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卓立漢光 Sirius 300W 太陽光模擬器相關性,讓光電極穩(wěn)定性研究更精準(zhǔn)

來源: 北京卓立漢光儀器有限公司    2025年03月06日 09:49  

近日穩定,西北大學(xué)苗慧課題組在原位生長構(gòu)筑Sb2S3@CdSexS1-x準(zhǔn)一維S型異質(zhì)結(jié)光陽極及其光電化學(xué)特性研究方面取得進(jìn)展,研究成果以“Fabricating S-scheme Sb2S3@CdSexS1-x quasi-one-dimensional heterojunction photoanodes by in-situ growth strategy towards photoelectrochemical water splitting”為題發(fā)表在國際期刊Journal of Materials Science & Technology供給。西北大學(xué)物理學(xué)院為該論文第一單位優勢與挑戰,劉康德博士研究生為第一作者,苗慧教授為通訊作者解決方案。今天小卓為大家分享該研究成果趨勢,希望對您在納米異質(zhì)結(jié)器件光電性質(zhì)研究方面帶來一些靈感和啟發(fā)。

應(yīng)用方向:納米異質(zhì)結(jié)上高質量、光電器件一站式服務、納米材料

借卓立漢光 Sirius 300W 太陽光模擬器,深挖納米異質(zhì)結(jié)光電奧秘

正文

硫化銻作為良好的光吸收材料(可見光波段:>105 cm-1)深入交流,近年來在光電催化領(lǐng)域逐步受到研究人員的廣泛關(guān)注引領作用。Sb2S3由一維帶狀[Sb4S6]n單元組成,其在[010]和[100]方向通過范德瓦爾斯力結(jié)合臺上與臺下,在[001]方向由強(qiáng)的Sb-S共價鍵連結(jié)用的舒心,使得Sb2S3具有特殊的準(zhǔn)一維結(jié)構(gòu)各向異性技術發展,導(dǎo)致光生載流子沿不同方向的遷移率具有很大差別,[hk1]取向較[hk0]取向具有更高的載流子遷移率集成。因此制備具有[hk1]取向的一維Sb2S3納米結(jié)構(gòu)具有重要意義重要手段。

該論文首先采用兩步氣相輸運(yùn)沉積和快速冷卻技術(shù)制備得到高質(zhì)量的Sb2S3納米棒。隨后采用化學(xué)浴沉積和原位硒化策略技術的開發,在Sb2S3納米棒光電極表面成功構(gòu)建準(zhǔn)一維S型Sb2S3@CdSexS1-x異質(zhì)結(jié)品率。研究表明采用兩步氣相輸運(yùn)沉積制備的薄膜光電極較一步快速冷卻制備的薄膜光電*具有更大的電化學(xué)活性面積和更加顯著的[hk1]優(yōu)勢取向生長。

借卓立漢光 Sirius 300W 太陽光模擬器不斷發展,深挖納米異質(zhì)結(jié)光電奧秘

圖1 Sb2S3@CdSexS1-x復(fù)合光陽極的制備流程示意圖

借卓立漢光 Sirius 300W 太陽光模擬器積極影響,深挖納米異質(zhì)結(jié)光電奧秘

圖2(a)Sb2S3 base和(b)Sb2S3 NRs的SEM圖;(c)雙電層電容測試圖和(d)晶格紋理系數(shù)圖

Sb2S3@CdSexS1-x光電*具有良好的光電化學(xué)特性緊密協作,原位硒化有助于光電化學(xué)性能與穩(wěn)定性的提升越來越重要。在1.23 V vs. RHE偏壓下,光電流密度達(dá)1.61 mA/cm2發揮重要作用,且暗電流明顯降低醒悟,在600 s持續(xù)開關(guān)光狀態(tài)下表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性。Sb2S3@CdSexS1-x優(yōu)異的光電化學(xué)特性主要是基于形成的準(zhǔn)一維S型異質(zhì)結(jié)促進(jìn)光生載流子分離高質量,有效抑制了Sb2S3深能級缺陷導(dǎo)致其光生載流子嚴(yán)重復(fù)合的弊端也逐步提升。

借卓立漢光 Sirius 300W 太陽光模擬器,深挖納米異質(zhì)結(jié)光電奧秘

圖3 Sb2S3與Sb2S3@CdSexS1-x光電極的(a)連續(xù)開關(guān)光下的LSV測試曲線註入了新的力量、(b)連續(xù)開關(guān)光下的IT測試曲線重要的作用、(c)Nyquist圖、(d)Bode圖去創新、(e)IPCE和APCE測試曲線及(f)ABPE測試曲線

借卓立漢光 Sirius 300W 太陽光模擬器足夠的實力,深挖納米異質(zhì)結(jié)光電奧秘

圖4 Sb2S3@CdSexS1-x光電極的S型載流子轉(zhuǎn)移和利用結(jié)構(gòu)示意圖

研究結(jié)果表明:本工作采用兩步氣相輸運(yùn)沉積結(jié)合化學(xué)浴沉積和原位硒化策略,在Sb2S3納米棒光電極表面成功構(gòu)建準(zhǔn)一維S型Sb2S3@CdSexS1-x異質(zhì)結(jié)結構,有效抑制了Sb2S3深能級缺陷導(dǎo)致其光生載流子嚴(yán)重復(fù)合的弊端更適合,實現(xiàn)光生載流子高效分離。此外原位硒化有助于光電化學(xué)性能與穩(wěn)定性的提升溝通協調。研究結(jié)果為開發(fā)和設(shè)計高效穩(wěn)定的Sb2S3基光電器件提供了有效的策略要素配置改革。

相關(guān)儀器介紹

文中光電化學(xué)性能測試(2c)采用卓立漢光 Sirius 300P型300W太陽光模擬器、同時IPCE測試(圖3e)中單色光源采用卓立漢光Mled 4-3LED光源模組

作者簡介

苗慧 西北大學(xué)物理學(xué)院副教授保障性、碩士生導(dǎo)師帶動產業發展。近年來主要從事金屬硫化物、硒化物持續發展、硒硫化物等納米材料用于光電化學(xué)領(lǐng)域的研究必然趨勢。先后主持和參與國家自然科學(xué)基金促進善治,省自然科學(xué)基金擴大,國家重點實驗室開放基金項目等10余項多樣性。在J. Mater. Sci. Technol., Chem. Eng. J., J. Colloid Interface Sci., ACS Appl. Mater. Interfaces, Sep. Purif. Technol., Langmuir等期刊發(fā)表SCI論文50余篇,授權(quán)國家發(fā)明專*10余件新格局。

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