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IM4000日立高新離子研磨裝置

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱(chēng) 上海西努光學(xué)科技有限公司
  • 品牌
  • 型號(hào)
  • 所在地 上海市
  • 廠(chǎng)商性質(zhì) 代理商
  • 更新時(shí)間 2017/11/8 13:10:25
  • 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù) 1116

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日立IM4000離子研磨儀利用氬離子對(duì)樣品進(jìn)行無(wú)應(yīng)力加工的理想工具,即可以進(jìn)行平面加工解決方案,也可以進(jìn)行截面切割趨勢,不會(huì)產(chǎn)生傳統(tǒng)的切割或機(jī)械拋光帶來(lái)的變形錯(cuò)位、機(jī)械應(yīng)力或劃痕污染等對(duì)樣品的形貌觀(guān)察和結(jié)構(gòu)分析帶來(lái)的不利影響上高質量。

詳細(xì)信息 在線(xiàn)詢(xún)價(jià)

使用切片方式制備像紙張一站式服務、纖維等軟材料截面樣品,容易使樣品變形錯(cuò)位深入交流;機(jī)械拋光處理的樣品表面經(jīng)常也會(huì)留下劃痕引領作用、污染和表面應(yīng)力,對(duì)樣品的形貌觀(guān)察和結(jié)構(gòu)分析帶來(lái)不利影響雙向互動。日立新推出的IM4000離子研磨儀既可以對(duì)樣品進(jìn)行氬離子截面切割效率和安,可以進(jìn)行氬離子平面研磨,是截面樣品制備和平面樣品無(wú)應(yīng)力拋光的理想工具品牌。

日立高新離子研磨裝置IM4000具有斷面加工和平面研磨功能的混合儀器深入開展!

日立高新離子研磨裝置IM4000的混合模式帶有兩種研磨配置:

斷面加工:將樣品斷面研磨光滑,便于表面以下結(jié)構(gòu)高分辨成像等形式。

平面研磨:將樣品表面均勻研磨5平方毫米技術的開發,從不同角度有選擇地研磨,以便突出樣品的表面特性飛躍。

日立高新離子研磨裝置IM4000的高通量能提高加工效率:

與之前的E-3500型相比更高效,采用新型離子槍設(shè)計(jì),減少了橫截面研磨時(shí)間重要部署。(zui大加工率:硅元素為300微米/小時(shí) — 加工時(shí)間減少了66%具體而言。

日立高新離子研磨裝置IM4000的可拆卸樣品臺(tái)裝置:為便于樣品設(shè)置和定義研磨邊緣,可將樣品臺(tái)裝置拆卸智慧與合力。

日立高新離子研磨裝置特點(diǎn)

混合模式:兩種研磨配置

斷面加工:將樣品斷面研磨光滑喜愛,便于表面高分辨觀(guān)察

平面研磨:不同角度有選擇地,大面積數據顯示,均勻地研磨5 mm的平面高質量,以突顯樣品的表面特性

高效:提高加工效率

與之前的E-3500型相比,采用新型離子槍設(shè)計(jì)記得牢,減少了橫截面研磨時(shí)間

(zui大加工速度:硅材質(zhì)為300 μm/h - 加工時(shí)間減少了66%)

可拆卸式樣品臺(tái):

為便于樣品設(shè)置和邊緣研磨註入了新的力量,樣品臺(tái)設(shè)計(jì)為可拆卸型

項(xiàng)目 內(nèi)容
平面研磨 截面研磨
使用氣體 氬氣
加速電壓 0 ~ 6 kV
zui大加工速率(材料Si)

約20 m/h*1

約2 m/h*2

約300 m/h*3
zui大樣品尺寸 φ50×25(H)mm 20(W)×12(D)×7(H)mm
樣品移動(dòng)范圍 X : 0 ~ +5 mm X :±7 mm、Y : 0 ~ +3 mm
旋轉(zhuǎn)速度 1 r/min更多可能性、 25 r/min -
擺動(dòng)角度 ±60°去創新、±90° ±15°足夠的實力、±30°、±40°
傾斜角度 0~90° -
氬氣(Ar)流量控制方式 質(zhì)量流量計(jì)(Mass Flow Controller)
真空系統(tǒng) 渦輪分子泵(33 L/s)+機(jī)械泵(135 L/min(50 Hz)又進了一步、162 L/min(60 Hz))
裝置尺寸 616(W)×705(D)×312(H)mm
重量 主機(jī)48 kg+機(jī)械泵28 kg
  選配
加工觀(guān)測(cè)用顯微鏡 倍率 :15× ~ 100× 雙目型多種場景、三目型(可加裝CCD)
真空轉(zhuǎn)移盒單元 旋蓋式(O形圈密封)密閉樣品多元化服務體系,樣品倉(cāng)內(nèi)打開(kāi)旋蓋
冷卻系統(tǒng)*4 使用液氮間接冷卻樣品 規劃;冷卻Mask溫度 :-30℃以下*5 ;配有恢復(fù)到室溫的控制器

*1 :照射角 0° 偏心量 0 mm∩疃?。? :照射角 60° 偏心量 4 mm 訑U大。? :Si片突出遮擋板(Mask)邊緣100 m加工時(shí)的zui大深度  *4 :不能后裝開拓創新,需出廠(chǎng)時(shí)配置 〕掷m發展。? :加入液氮30分鐘后遮擋板(Mask)的溫度


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