單晶硅壓力變送器具有0.075%超高測量精度，100:1寬量程比鍛造，穩(wěn)定性高競爭激烈、響應(yīng)速度快、可靠性高改善，自帶HART通訊功能方便手操器調(diào)試空白區，具有本質(zhì)安全型、隔爆型信息化、選配多種隔離膜片結(jié)構(gòu)形勢，多種過程連接標(biāo)準(zhǔn)，

單晶硅壓力變送器具有0.075%超高測量精度充分發揮，100:1寬量程比選擇適用，穩(wěn)定性高、響應(yīng)速度快設計、可靠性高業務指導，自帶HART通訊功能方便手操器調(diào)試，具有本質(zhì)安全型就此掀開、隔爆型長足發展、選配多種隔離膜片結(jié)構(gòu)，多種過程連接標(biāo)準(zhǔn)穩步前行，適用微壓結構不合理、絕壓、負壓逐步改善、高溫高壓效果較好、低溫和腐蝕條件的壓力測量重要的意義。

一、單晶硅壓力變送器工作原理

利用單晶硅的壓阻效應(yīng)而構(gòu)成等多個領域。采用單晶硅片為彈性元件再獲，在單晶硅膜片上利用集成電路的工藝，在單晶硅的特定方向擴散一組等值電阻應用擴展，并將電阻接成橋路體驗區，單晶硅片置于傳感器腔內(nèi)。當(dāng)壓力發(fā)生變化時活動上，單晶硅產(chǎn)生應(yīng)變有望，使直接擴散在上面的應(yīng)變電阻產(chǎn)生與被測壓力成比例的變化，再由橋式電路獲得相應(yīng)的電壓輸出信號導向作用。

二方案、單晶硅壓力變送器技術(shù)參數(shù)

測量范圍
相對壓力：0～400Pa～35MPa

J.D壓力：0～1.75KPa～35MPa
信號輸出
4-20mA +HART通訊協(xié)議（兩線制）

測量精度
綜合誤差：0.1%（包括線性度、重復(fù)性堅持好、遲滯）即將展開，特殊要求可定0.075%

長期穩(wěn)定性
每年優(yōu)于0.15%F.S
五年優(yōu)于0.2%F.S
溫度范圍

允許介質(zhì)溫度：（-40～120）℃

允許環(huán)境溫度：（-40～85）℃

允許儲存溫度：（-40～85）℃

溫度影響
相對于25℃：≤±0.4%標(biāo)準(zhǔn)量程

阻尼時間
0~40S連續(xù)可調(diào)

抗震動：2g 1000HZ ±0.05%g

抗沖擊：50g 11mesc

電磁兼容特性：符合IEC801標(biāo)準(zhǔn)

傳感器允許過壓：標(biāo)準(zhǔn)量程3倍壓力

零點z.ui小報警電流范圍：3.8mA

滿度z.ui大報警電流范圍：21mA

啟動時間：3S 無需預(yù)熱

與介質(zhì)接觸部分材料

過程連接件：不銹鋼316， 哈氏合金C

傳感器膜片：不銹鋼316特性， 哈氏合金C

與介質(zhì)非接觸部分材料

外殼：壓鑄鋁帶環(huán)氧樹脂涂層

傳感器充灌液:硅油 厭氧油

現(xiàn)場顯示:液晶3 1/2精度數(shù)字式顯示器 液晶模擬條狀顯示器

防護等級:IP66

重量:約1Kg

防爆等級防爆型 Ex d ⅡC T5 傳承，本安型 Ex ia ⅡC T5

允許環(huán)境濕度:99%RH