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SUP60030E-GE3 n溝道場效應管更新：2024-3-13 14:46:49點擊：產(chǎn)品品牌Vishay產(chǎn)品型號SUP60030E-GE3產(chǎn)品描述MOSFET N-Channel 80V (D-S) TrenchFET...PDF下載 詢價 申請樣品
描述
Vishay SUM 和 SUP ThunderFET 技術(shù) TrenchFET MOSFET 引入新的 N 通道極性選項，可在 ThunderFET 和 TrenchFET IV 系列中小直流電壓范圍 MOSFET 上進行擴展可能性更大。這些 MOSFET 采用 TO-220 和 TO-263 封裝部署安排，具有60V搖籃、80V 和 100V 直流電壓。應用包括電源推廣開來、電機驅(qū)動器開關(guān)推動、直流/直流電源逆變器和整流器、電動工具及電池管理資源配置。
特性
TrenchFET® 功率 MOSFET
結(jié)溫 175°C
非常低的 Qgd 減少了通過 Vplateau所造成的功率損耗
經(jīng) 100（單位：%） Rg 和 UIS 測試
Qgd/Qgs 比 < 0.25
可通過邏輯電平柵極驅(qū)動進行操作
規(guī)格
安裝風格: | Through Hole | |
封裝 / 箱體: | TO-220AB-3 | |
通道數(shù)量: | 1 Channel | |
晶體管極性: | N-Channel | |
Vds-漏源極擊穿電壓: | 80 V | |
Id-連續(xù)漏極電流: | 120 A | |
Rds On-漏源導通電阻: | 3.6 mOhms | |
Vgs - 柵極-源極電壓: | +/- 20 V | |
Vgs th-柵源極閾值電壓: | 2 V | |
Qg-柵極電荷: | 94 nC | |
工作溫度: | + 175 C | |
技術(shù): | Si | |
封裝: | Reel | |
通道模式: | Enhancement | |
配置: | 1 N-Channel | |
下降時間: | 14 ns | |
最小工作溫度: | - 55 C | |
Pd-功率耗散: | 375 W | |
上升時間: | 24 ns | |
晶體管類型: | N-Channel | |
典型關(guān)閉延遲時間: | 34 ns | |
典型接通延遲時間: | 24 ns | |
單位重量: | 2.300 g | |
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