下降式晶體生長爐

技術(shù)規(guī)格書

一·設(shè)備用途：

主要用于LED半導體、太陽能等工業(yè)晶體的提純去完善、制備橋梁作用。

二·設(shè)備特點：

本設(shè)備采用一體化設(shè)計，立式鐘罩式結(jié)構(gòu)求索，爐膛材料采用優(yōu)質(zhì)的氧化鋁多晶纖維真空吸附制成讓人糾結，節(jié)能50%，爐體采用雙層爐殼結(jié)構(gòu)穩定發展，雙層爐殼之間裝有風機至關重要，可以快速升降溫，爐殼表面溫度低，**整潔大方的發生。

三·主要技術(shù)參數(shù)

1.**使用溫度：1600℃

2.控溫區(qū)：兩區(qū)（一區(qū)高溫區(qū)組成部分，一區(qū)輔助加熱區(qū)）

3.功率：                          15Kw±10%單相

4.發(fā)熱材料：硅鉬棒（高溫區(qū)）電阻絲（輔助加熱區(qū)）

5.恒溫區(qū)間：200mm（高溫區(qū)）

6.爐膛內(nèi)徑：120mm

7.測溫系統(tǒng)：                   熱電偶

8.控溫精度：                   ±1℃

9.坩堝升降：位移行程 300mm

慢速升降0.1-10mm/h（伺服控制）精度±0.01mm

          快速升降50-200mm/min（伺服控制）

坩堝旋轉(zhuǎn)：坩堝轉(zhuǎn)速 1~50RPM

四、結(jié)構(gòu)組成

1新的動力、爐體及爐體升降機構(gòu)

2的過程中、坩堝升降旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)

3、變壓器及聯(lián)接電纜

4廣泛關註、 溫控系統(tǒng)

五促進進步、結(jié)構(gòu)說明

1、爐體及爐體升降系統(tǒng)：爐體殼體采用優(yōu)質(zhì)冷軋鋼板雙層結(jié)構(gòu)設(shè)計技術(shù)優勢領先，殼體顏色漆經(jīng)過高溫烘烤而成迎來新的篇章，經(jīng)久耐用，爐膛采用高純氧化鋁多晶體纖維材料推動並實現，分兩區(qū)***控溫空白區，高溫區(qū)采用優(yōu)質(zhì)硅鉬棒為加熱元件，輔助溫區(qū)采用優(yōu)質(zhì)電阻絲為加熱元件信息化，兩個溫區(qū)之間形成溫度梯度形勢，從而保證晶體的正常生長，雙層爐殼間配有風冷系統(tǒng)取得明顯成效，能快速對溫控系統(tǒng)降溫約定管轄；該爐具有溫場均衡、表面溫度低創新的技術、升降溫度速率快發揮、節(jié)能等優(yōu)點。爐體整體做成一個圓筒的罩式結(jié)構(gòu)快速增長，與固定在支架平臺上的爐底組成一個完整的爐膛開放以來，爐體配有一升降系統(tǒng)，可是爐體**升降高質量，方便裝卸料提供了有力支撐。

2、坩堝升降旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)：坩堝升降采用伺服控制前景，位移精度可達0.01毫米進一步意見，控制精度高，它是由一套線性模組和伺服電機落到實處，減速機組成服務水平，旋轉(zhuǎn)機構(gòu)由旋轉(zhuǎn)電機減速機組成，升降和旋轉(zhuǎn)安裝在同***臺上技術創新，組成一個完整的機構(gòu)處理方法，安裝在爐底中心位置重要作用，從而帶動坩堝桿的升降與旋轉(zhuǎn)，坩堝桿的上部裝有一坩堝平臺習慣，采用高溫陶瓷材料充足，經(jīng)久耐用。

3導向作用、溫控系統(tǒng)：電爐的溫度控制采用可控硅功率控制器＋低電壓大電流變壓器方案，可控硅功率控制器采用移相觸發(fā)方式來實現(xiàn)電壓的無級調(diào)節(jié)，從而達到自動控制功率的目的十大行動。采用宇電50段溫控儀表左右，控溫精度高，可根據(jù)需要設(shè)定多段升溫曲線綜合措施，從而達到自動控制溫度的目的可靠保障。功能強大，操作方便設計標準，具有超溫開展，上線***聲光**功能“l揮重要帶動作用？刂乒衩姘迳显O(shè)有液晶觸模屏意向，可顯示、設(shè)定坩堝升降速度文化價值，旋轉(zhuǎn)速度形式、位移等，直觀顯示系統(tǒng)各部件的工作狀態(tài)不斷完善，并可實時顯示記錄工況爐內(nèi)的溫度數字化。可顯示溫度基礎上、位移曲線各領域，記錄保存數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)也可以刪除保持競爭優勢、導出進行培訓。爐子的所有動作都有一臺PLC來完成，控制精確自動化程度高規劃。

4提高、變壓器及聯(lián)接電纜：采用三相干式變壓器，聯(lián)接電纜采用銅排或軟電纜降低損耗進入當下，環(huán)保節(jié)能。