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PVA SIRD

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PVATeplaSIRD(原名JenaWave)ScanningInfra-RedDepolarization非接觸式內(nèi)應(yīng)力檢測(cè)系統(tǒng)主要原理:Wafer下方有一個(gè)激光源

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PVA&Tepla SIRD(原名Jena Wave) Scanning Infra-Red Depolarization 非接觸式內(nèi)應(yīng)力檢測(cè)系統(tǒng)

主要原理:
Wafer 下方有一個(gè)激光源更多的合作機會,激光通過偏光器變成水平方向的一束激光透過wafer,被樣品上方的Photo Diodes 接收認為,若wafer 無(wú)應(yīng)力有效保障,激光會(huì)直接透過wafer 而不會(huì)發(fā)生任何改變,相應(yīng)的P 則不會(huì)接收到任何信號(hào)長效機製,對(duì)應(yīng)的數(shù)值為0講實踐,最后得到的D 值為0,說(shuō)明樣品內(nèi)部無(wú)應(yīng)力製高點項目,若wafer 內(nèi)部有應(yīng)力為產業發展,則激光的光束會(huì)變成橢圓形,再被分光鏡分光有所增加,這時(shí)P 就會(huì)接收到相應(yīng)的信號(hào)各項要求,最后算出的D 值則大于0,說(shuō)明樣品內(nèi)部有應(yīng)力越來越重要的位置。


主要應(yīng)用:
由于wafer 內(nèi)部的應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品在后續(xù)的工藝過程中產(chǎn)生缺陷新技術,所以需要在wafer 制作時(shí),或者在wafer 出貨到fab 廠時(shí)順滑地配合,量測(cè)wafer 內(nèi)部的應(yīng)力深入,確認(rèn)是否可以出貨,或者用于后續(xù)的工藝過程前沿技術,SIRD 用于monitor 產(chǎn)品各個(gè)工藝過程中產(chǎn)生的內(nèi)部的應(yīng)力基礎,確認(rèn)機(jī)臺(tái)何時(shí)需要更換parts,或者需要檢修多種方式,減少缺陷對外開放,提高產(chǎn)品良率技術創新。


應(yīng)用實(shí)例:





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