UBTS系統(tǒng)被廣泛應(yīng)用于器件研發(fā)效高性、認(rèn)證和批量生產(chǎn)中模式，其靈活、完善的測試報(bào)告軟件可以為研發(fā)工程師和可靠性工程師提供豐富的信息提升。
適用范圍：
♦ 大規(guī)模數(shù)字集成電路：MCU高品質、DSP、FPGA支撐能力、CPU資源優勢、邏輯器件、接口器件和驅(qū)動器件等
♦ 存儲器集成電路：SRAM特征更加明顯、DRAM估算、SDRAM、DDR2的可能性、EEPROM不要畏懼，Nａnd Flash（PARALLEL, SERIAL），Nor Flash （PARALLEL SERIAL）等
♦ 混合集成電路：ADC問題，DAC逐漸顯現，DC/DC，Smart power supplier系統穩定性，OP-AMP拓展基地，Voltage Regulator，Analog Switch，Analog Multiplexer等;
♦ 特殊器件：ASIC體系流動性、SOC探索創新、Medical、Sensor和客戶定制等器件實現了超越。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
♦ 基于無二功能的PTDM模塊新產品，將圖形產(chǎn)生和測試驅(qū)動合二為一；
♦ 50MHz的系統(tǒng)主時(shí)鐘相對開放，可以實(shí)現(xiàn)高頻率的功能測試推進高水平；最小可編程脈沖寬度10ns；
♦ 實(shí)現(xiàn)了老化情況下的器件功能測試拓展應用；
♦ 一臺系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)數(shù)字集成電路好宣講、存儲器電路和混合集成電路的老化和功能測試；
♦ 容易實(shí)現(xiàn)批器件的可靠性評估及性能參數(shù)分布分析領先水平，如批存儲器10萬次的有效擦寫可靠性評估等；
♦ 每個(gè)BIB對應(yīng)一個(gè)PTDM模塊，每個(gè)PTDM模塊都有自己的微處理器單元戰略布局，使不同的BIB可以單獨(dú)運(yùn)行不同類型的老煉程序（利用Firmware）事關全面；
♦ 12到48插槽的老煉箱可以選擇，還能為客戶提供定制的老煉箱柜狀態；
♦ 每個(gè)PTDM模塊技術節能，可以配置多達(dá)6個(gè)程控電源（選件）；可為每個(gè)老化板提供高達(dá)104A的老化電流廣泛認同，提高了每個(gè)老化板的老化器件的數(shù)量國際要求。老化電壓可以并聯(lián)使用；
♦ 另外每個(gè)PTDM模塊還配置了4路可編程參考電源（Vref）鍛造；
♦ 配合EDA的HD/H型BIB競爭激烈，有多達(dá)480個(gè)金手指和44個(gè)低插入力的電源通道，大大提升了提供給每個(gè)老化板的綜合電流能力改善。每個(gè)老化板的信號連續(xù)驅(qū)動電流高達(dá)15A空白區；
♦ 1G超大矢量存儲器；
♦ 每個(gè)PTDM模塊均有時(shí)鐘發(fā)生器信息化、地址發(fā)生器（包括1個(gè)16位加減Refresh地址計(jì)數(shù)器）形勢、數(shù)據(jù)發(fā)生器、掃描發(fā)生器充分發揮、圖形發(fā)生器和信號格式化器等信號發(fā)生能力選擇適用，滿足各種器件的功能測試要求；
♦ 算法圖形發(fā)生器實(shí)現(xiàn)存儲器激勵(lì)信號的產(chǎn)生和輸出信號監(jiān)測
♦ I/O通道均具備三態(tài)編程控制及信號格式化（NRZ, DNRZ, RTZ, RTO, SBC,FORCE）能力設計，最多可以多達(dá)16組；
♦ 具備拓?fù)浼岸嗦忿D(zhuǎn)換功能改進措施；
標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格或主要參數(shù)：
♦ 老化箱溫度范圍：RT+20℃～+150℃或-40℃～+150℃可選就此掀開；
♦ 12插槽長足發展、24插槽和48插槽老化箱可選，PTDM模塊可以任意選配穩步前行；
♦ HD/H老化板標(biāo)準(zhǔn)尺寸：440mm X 570mm結構不合理；
♦ 每個(gè)PTDM模塊的主要參數(shù)：
? 1G矢量存儲器和失效存儲器；
? 主時(shí)鐘：50MHz逐步改善，定時(shí)分辨率：10ns效果較好；
? 最多可提供256 I/O通道，48個(gè)激勵(lì)信號通道和32個(gè)特殊監(jiān)測通道持續；
? 多達(dá)4組不同的Vih和Vil數(shù)字信號電平編程設(shè)置能力等多個領域，保證混合工藝器件的功能測試能力；
? Vih編程范圍：0-8V產品和服務、Vil編程范圍（）：-0.5V～2V應用擴展；測試閾值電平Vth編程范圍：0V～8V；
? 48路激勵(lì)通道具備超高信號高電平Vihh的編程能力增多，編程范圍：0V～15V活動上；
? On-the -fly時(shí)鐘邊沿設(shè)置數(shù)量：32個(gè)；
? I/O通道具備NRZ, DNRZ, RTZ, RTO等格式化編程能力進一步推進；
? 通道矢量深度：32M
? 每個(gè)信號通道的連續(xù)驅(qū)動電流能力：200mA導向作用，峰值驅(qū)動電流：3A；
? 4路可編程參考電壓應用的選擇，另外最多可選配6組程控老化電源十大行動，可為單個(gè)老化板提供108A老化電流；
? 可選配模擬模塊大幅增加，每個(gè)模塊的模擬通道：4路特性，具備各種標(biāo)準(zhǔn)模擬信號的產(chǎn)生能力；
