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日立(Hitachi)掃描電鏡

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日立(Hitachi)掃描電鏡 品牌:日立(Hitachi) 型號:SU9000 產(chǎn)地:Japan二次電子圖象分辨率

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品牌:日立(Hitachi)    型號:SU9000      產(chǎn)地:Japan

二次電子圖象分辨率:0.4nm@30kV,1.2nm@1kV

放大倍數(shù):220~8,000,000

儀器種類:場反射

加速電壓:0.5~30kV

日立高新超高分辨率場發(fā)射掃描電子顯微鏡SU9000是專門為電子束敏感樣品和需300萬倍穩(wěn)定觀察的半導(dǎo)體器件信息,高分辨成像所設(shè)計。

全新的電子槍和電子光學(xué)設(shè)計提高了低加速電壓性能大力發展。

0.4nm / 30kV(SE)

1.2nm / 1kV(SE)

0.34nm / 30kV(STEM)

用改良的高真空性能和的電子束穩(wěn)定性來實現(xiàn)高效率截面觀察豐富內涵。

采用全新設(shè)計的Super E x B能量過濾技術(shù),高效產能提升,靈活地收集SE / BSE/ STEM信號適應性。


品牌:日立(Hitachi)    型號:SU9000      產(chǎn)地:Japan

二次電子圖象分辨率:0.4nm@30kV,1.2nm@1kV

放大倍數(shù):220~8,000,000

儀器種類:場反射

加速電壓:0.5~30kV

日立高新超高分辨率場發(fā)射掃描電子顯微鏡SU9000是專門為電子束敏感樣品和需300萬倍穩(wěn)定觀察的半導(dǎo)體器件,

高分辨成像所設(shè)計通過活化。

全新的電子槍和電子光學(xué)設(shè)計提高了低加速電壓性能面向。

0.4nm / 30kV(SE)

1.2nm / 1kV(SE)

0.34nm / 30kV(STEM)

用改良的高真空性能和的電子束穩(wěn)定性來實現(xiàn)高效率截面觀察。

采用全新設(shè)計的Super E x B能量過濾技術(shù),高效建設項目,靈活地收集SE / BSE/ STEM信號最為突出。



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