工作噪聲：A 聲級(jí)≤ 75dB(A)
(大門前1m 離地面高度1.2m 處，自由空間中測(cè)量)
2積極參與、溫度指標(biāo)：
高溫箱⑴預(yù)熱上限溫度：+200℃
⑵升溫時(shí)間：常溫→+200℃ ≤ 45min（儲(chǔ)能時(shí)間）
注：升溫時(shí)間為高溫箱單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能
低溫箱⑴ 預(yù)冷下限溫度：-70℃
⑵ 降溫時(shí)間: 常溫→-70℃≤ 60min（儲(chǔ)能時(shí)間）
注：降溫時(shí)間為低溫箱單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能
沖擊溫度⑴ 高溫沖擊溫度范圍：+60℃～+150℃
⑵ 低溫沖擊溫度范圍：-55℃～-10℃
溫度波動(dòng)度:≤ ±0.5℃
溫度均勻度:≤ ±2.0℃
沖擊試驗(yàn)條件高溫沖擊：+60℃～+150℃ 高溫暴露時(shí)間15min 以上
低溫沖擊：-55℃～-10℃ 低溫暴露時(shí)間15min 以上
溫度偏差±2.0℃（≤ +150℃時(shí)）±3.0℃（＞+150℃時(shí)）
溫度分辨率0.01℃
沖擊試驗(yàn)方式：氣動(dòng)垂直吊籃式
除霜設(shè)置：手動(dòng)或者自動(dòng)除霜
除霜周期標(biāo)準(zhǔn)：除霜周期為20 個(gè)循環(huán)除霜一次(可選配20-200 個(gè)循環(huán)除霜一次問題分析；
200-500 個(gè)循環(huán)除霜一次；500-1000 個(gè)循環(huán)除霜一次)交流研討，外加低溫干燥處理器
沖擊恢復(fù)時(shí)間：≤ 3min 以內(nèi)完成
標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載能力：300W 發(fā)熱量5kg 鋁片
3更加完善、試樣限制和測(cè)試方法：
本試驗(yàn)設(shè)備禁止
易爆、易燃建設應用、易揮發(fā)性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)及儲(chǔ)存
腐蝕性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)及儲(chǔ)存
生物試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存
強(qiáng)電磁發(fā)射源試樣的試驗(yàn)及儲(chǔ)存
放射性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)及儲(chǔ)存
劇毒物質(zhì)試樣的試驗(yàn)及儲(chǔ)存
試驗(yàn)或儲(chǔ)存過(guò)程中可能產(chǎn)生劇毒物質(zhì)的試樣的試驗(yàn)及儲(chǔ)存
測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 2423.1—2008 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)A：低溫試驗(yàn)
GB/T 2423.2—2008 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)B：高溫試驗(yàn)
GB/T 2423.22—2002 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)N：溫度變化
GJB 150.3A-2009 裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第3 部分：高溫試驗(yàn)GJB
150.4A-2009 裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第4 部分：低溫試驗(yàn)GJB
150.5A-2009 裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第9 部分：溫度沖擊試驗(yàn)
GJB360A-1996 電子及電器元件試驗(yàn)方法方法107 條件A支撐作用、B、F
MIL-STD-202G METHOD 107G THERMAL SHOCK
GB/T 10592-2008 高低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件
GB/T 5170.1-2008 基本參數(shù)檢定方法總則
GB/T 5170.2-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法溫度試驗(yàn)設(shè)備
環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備溫度動力、濕度校準(zhǔn)規(guī)范：JJF1101—2003
