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現(xiàn)場(chǎng)/遠(yuǎn)程-飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜

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設(shè)備介紹飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜技術(shù)(TimeofFlightSecondaryIonMassSpectrometry行業內卷,TOF-SIMS)是一種非常靈敏的表面分析技術(shù),通過(guò)用一次離子激發(fā)樣品表面逐漸完善,打出極其微量的二次離子參與能力,根據(jù)二次離子因不同的質(zhì)量而飛行到探測(cè)器的時(shí)間不同來(lái)測(cè)定離子質(zhì)量,具有分辨率的測(cè)量技術(shù)

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設(shè)備介紹

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜技術(shù)(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry是目前主流,TOF-SIMS)是一種非常靈敏的表面分析技術(shù)充分發揮,通過(guò)用一次離子激發(fā)樣品表面,打出極其微量的二次離子充分發揮,根據(jù)二次離子因不同的質(zhì)量而飛行到探測(cè)器的時(shí)間不同來(lái)測(cè)定離子質(zhì)量選擇適用,具有分辨率的測(cè)量技術(shù)。

儀器型號(hào)

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜IONTOF 5

技術(shù)參數(shù)

  • TOF.SIMS 5 – 100包括分析器設計,真空系統(tǒng)薄弱點,軟硬件等基本配置
  • Bi Nanoprobe第二代液態(tài)金屬團(tuán)簇離子源,30kV優化程度,離子光學(xué)鏡筒積極性,3級(jí)透鏡
  • Gas Cluster離子源20kV氣體團(tuán)簇離子源
  • DSC-S用于深度剖析濺射用離子源的連接控制裝置

案例展示

    應(yīng)用范圍

    應(yīng)用范圍:當(dāng)產(chǎn)品表面存在微小的異物,而常規(guī)的成分測(cè)試方法無(wú)法準(zhǔn)確對(duì)異物進(jìn)行定性定量分析,可選擇TOF-SIMS.


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