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特點(diǎn)
- 集成700V功率MOS取得明顯成效，外圍器件極少
- 無(wú)需輔助繞組
- 啟動(dòng)時(shí)間小于100ms約定管轄，實(shí)現(xiàn)LED燈“即開(kāi)即亮”
- 恒流精度：+/-5%
- 內(nèi)置AC線輸入電壓恒流補(bǔ)償
- 內(nèi)置“智能熱響應(yīng)抑制”保護(hù)
- 150uA超低芯片工作電流
- 功率5W
- 管腳浮空保護(hù)
- LED 短路/開(kāi)路保護(hù)
- PFM 控制帶來(lái)優(yōu)異的EMI性能
- 逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
- VDD UVLO（欠電壓保護(hù)）
- VDD 過(guò)壓鉗位
- 3腳的TO-92封裝形式
概述
U6122 是一個(gè)低成本創新的技術、高恒流精度發揮、原邊反饋 (PSR, Primary Side Regulation) 控制的隔離式AC/DC LED恒流功率開(kāi)關(guān)，適用于LED照明領(lǐng)域快速增長。在全電壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高精度的恒流輸出開放以來，恒流精度在+/-5%以?xún)?nèi)。
U6122無(wú)需供電輔助繞組高質量，同時(shí)集成了功率MOSFET提供了有力支撐，大大降低了系統(tǒng)成本。U6122內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)技術(shù)逐步改善，在全電壓范圍內(nèi)啟動(dòng)時(shí)間小于100毫秒意見征詢，實(shí)現(xiàn)了LED燈的“即開(kāi)即亮”功能提升；U6122償大大提高，從而大大提高LED輸出電流的精度和一致性。
U6122同時(shí)集成了諸多保護(hù)功能研究成果，包括VDD欠壓保護(hù)取得了一定進展，VDD 過(guò)壓鉗位保護(hù)，LED短路/開(kāi)路保護(hù)體驗區，芯片過(guò)熱保護(hù)增多，逐周期電流限制，管腳浮空保護(hù)等等有望。
極限參數(shù)
| 參數(shù) | 參數(shù)范圍 | 單位 |
| 芯片電源電壓 | 7 | V |
| 芯片VDD鉗位電流 | 10 | mA |
| 內(nèi)部功率管的漏極 | -0.3 to 650 | V |
| 封裝熱阻 (TO-92) | 83 | °C/W |
| 結(jié)溫 | 150 | °C |
| 工作溫度范圍 | -40 to 85 | °C |
| 儲(chǔ)存溫度范圍 | -65 to 150 | °C |
| ESD 人體模型 | 2 | kV |
推薦的工作條件
| 參數(shù) | 參數(shù)范圍 | 單位 |
| 環(huán)境工作溫度范圍 | -40 to 85 | °C |
| 功率 | 5 | W |
電學(xué)參數(shù) 無(wú)特別說(shuō)明情況下T
A = 25°C
| 符號(hào) | 參數(shù) | 測(cè)試條件 | 最小 | 典型 | | 單位 |
| 芯片電源部分 (VDD管腳) |
| I_VDD | 靜態(tài)電流 | VDD=6.1V | | 150 | 250 | uA |
| VDD_reg | VDD供電壓 | | | 5.8 | 6.1 | V |
| UVLO(OFF) | VDD 欠壓保護(hù) | | | 5.3 | | V |
| VDD_Clamp | VDD 鉗位電壓 | I(VDD ) = 10 mA | | 6.3 | | V |
| 反饋輸入部分 |
| Tmin_OFF | 最小關(guān)斷時(shí)間 | | | 2
| | uS |
| TCC/TDEM | 恒流模式下消磁時(shí)間與開(kāi)關(guān)周期時(shí)間的比值 | | | 2 | | |
| Tdem_ovp | 開(kāi)路檢測(cè)參考消磁時(shí)間 | | | 5.5 | | uS |
| T_off_max | 消磁時(shí)間 | | | 250 | | uS |
| 保護(hù) |
| Tdem_ovp | 開(kāi)路過(guò)壓檢測(cè)消磁時(shí)間參考值 | | | 5.5 | | uS |
| T_f | 智能熱相應(yīng)降頻溫度 | | | 155 | | °C |
| 電流檢測(cè)部分 |
| T_blanking | CS 前沿消隱時(shí)間 | | | 500 | | nS |
| Vth_OC | 逐周期電流限制的閾值 | | 490 | 500 | 510 | mV |
| TD_OC | 芯片關(guān)斷延遲 | | | 100 | | nS |
| D_max | 占空比 | | | 50 | | % |
| 內(nèi)部功率管部分 |
| BVdss | 內(nèi)部功率管擊穿電壓 | | 650 | 750 | | V |
| Rdson | 功率管導(dǎo)通阻抗 | V(Drain)=50mA | | 30 | 40 | |
| Idss | 功率管關(guān)斷漏電流 | | | | 10 | uA |
