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創(chuàng)新式光電探測(cè)原理及應(yīng)用綜合實(shí)驗(yàn)

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實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:

1. 光敏電阻特性測(cè)試(暗電阻臺上與臺下、亮電阻、伏安特性技術發展、光電特性集聚效應、光譜特性);

2. 光電二極管特性測(cè)試(暗電流重要手段、伏安特性互動講、光電特性、時(shí)間特性研究與應用、光譜特性)飛躍;

3. 硅光電池特性測(cè)試(短路電流、開(kāi)路電壓積極影響、光電特性自動化方案、時(shí)間特性、負(fù)載特性越來越重要、時(shí)間特性線上線下、光譜特性);

4. PIN光電二極管特性測(cè)試(暗電流醒悟、伏安特性數據顯示、光電特性高質量、時(shí)間特性、光譜特性);

5. APD光電探頭特性測(cè)量實(shí)驗(yàn)(雪崩電壓記得牢、暗電流註入了新的力量、伏安特性、光電特性更多可能性、時(shí)間特性去創新、光譜特性);

6. PMT光電倍增管特性測(cè)試(陽(yáng)極靈敏度緊迫性、暗電流結構、伏安特性、光電特性高效、時(shí)間特性溝通協調、光譜特性);

7. 光電探測(cè)器性能橫向?qū)Ρ葘?shí)驗(yàn)體系;

8. PD光電探頭特性測(cè)量實(shí)驗(yàn)(散粒噪聲特性保障性、增益特性);

9. 弱信號(hào)提取實(shí)驗(yàn);

10. 光電探測(cè)系統(tǒng)創(chuàng)新應(yīng)用實(shí)驗(yàn)開拓創新。

實(shí)驗(yàn)內(nèi)容.jpg

實(shí)驗(yàn)參數(shù):

1. 光敏電阻:光譜峰值:540nm;亮電阻:2-5KΩ持續發展;暗電阻:0.2MΩ;響應(yīng)時(shí)間:上升20ms;下降30ms;

2. 光電二極管:感光面積:3.7x3.7mm;光譜范圍:400-1100nm;峰值響應(yīng)波長(zhǎng):960nm;暗電流:0.1nA(Ev=0Lux VR=-1V(Max));響應(yīng)時(shí)間:0.1us(RL=100Ω;Ev=1000Lux);

3. 硅光電池:感光面積:9.8x9.8mm;光譜范圍:380-1100nm;峰值響應(yīng)波長(zhǎng):800nm;暗電流:0.01nA(Ev=0Lux VR=1V(Max));響應(yīng)時(shí)間:0.5us(RL=100Ω;Ev=1000Lux);

4. PIN光電二極管:感光面積:0.5x0.5mm;光譜范圍:400-1100nm;峰值響應(yīng)波長(zhǎng):800nm;暗電流:1pA@-5V;響應(yīng)時(shí)間:0.2ns(RL=50Ω; VR=-5V(Max))響應(yīng)度:0.2mA/mW@1064nm,0.5mA/mW@850nm,0.35mA/mW@650nm;

5. 雪崩光電二極管(APD):感光面積:500um;光譜響應(yīng)范圍:400-1100nm;峰值響應(yīng)波長(zhǎng):905nm;暗電流:0.3nA@m=100;上升時(shí)間:0.5ns@905nm;響應(yīng)度:55mA/mW@905nm〈龠M善治?瑟?dú)立拓展多種測(cè)量應(yīng)用;

6. 光電倍增管(PMT):側(cè)窗式擴大,光譜范圍:300~650nm;峰值波長(zhǎng):400nm,陰極最小有效尺寸:24mmx8mm發揮效力,光陰極材料:雙堿新格局,倍增極系統(tǒng)結(jié)構(gòu):環(huán)形聚焦(9級(jí)),陽(yáng)極脈沖上升時(shí)間:2.2ns指導,暗電流<50nA;

7. 探測(cè)器驅(qū)動(dòng)與控制電路:包含探測(cè)部分:IV變換競爭力、放大電路;電源部分:低電壓部分(2.5V、3.3V進一步完善、5V)集聚、中高壓部分(300V)、高壓部分(1000V);

8. 嵌入式微電腦系統(tǒng):損作系統(tǒng)Linux系統(tǒng);CPU:ARM 外理器;

9. 數(shù)據(jù)采售分析軟件調整推進,實(shí)現(xiàn)伏安特性狀況,光譜特性測(cè)量等; 數(shù)據(jù)算法:傅里葉變換,數(shù)字濾波機製,鎖相放大全過程,自相關(guān)運(yùn)算等;

10. 高速數(shù)據(jù)采集模擬輸入:單通道輸入,8位轉(zhuǎn)換精度,采樣速度32MSPS探討,輸入電壓-5V~5V;模擬輸出:單通道輸出不負眾望,8位轉(zhuǎn)換精度高效流通,采樣速度125MSPS,輸出電壓-5V~5V(可實(shí)現(xiàn)任意波形信號(hào)生成功能精準調控,與高速調(diào)制激光器無(wú)縫使用);

11. 實(shí)時(shí)分析模塊:通過(guò)FPGA實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)傅里葉變換功能,實(shí)時(shí)數(shù)字濾波,鎖向放大;模塊高覆蓋兼容機遇與挑戰,可支持?jǐn)?shù)字濾波廣泛關註,鎖相放大,微弱信號(hào)提取等實(shí)驗(yàn)算法集成技術,支持學(xué)生創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)、畢業(yè)設(shè)計(jì)更合理、競(jìng)賽等內(nèi)容;

12. 高速調(diào)制激光器系統(tǒng):中心波長(zhǎng)520±5nm適應能力,激光功率>1mW,調(diào)制速率:10MHz各方面,適用于時(shí)間頻率特性測(cè)量防控、弱光信號(hào)、APD探頭測(cè)量適應性、固定強(qiáng)度噪聲等實(shí)驗(yàn)堅實基礎;

13. 可編程激光功率計(jì):顯示屏顯示內(nèi)容為測(cè)量波長(zhǎng)、自動(dòng)/手動(dòng)量程模式重要作用、衰減窗口狀態(tài)等地、當(dāng)前功率測(cè)量檔位:測(cè)量精度0.1uW分辨率0.1uW,支持六擋量程;測(cè)量波長(zhǎng)范圍380nm~1100nm切實把製度,功率測(cè)量范圍0~200mW;提供實(shí)時(shí)功率顯示保供,長(zhǎng)期功率檢測(cè),并顯示測(cè)量時(shí)長(zhǎng)進行部署、測(cè)量時(shí)間內(nèi)的功率變化曲線責任,提供值、最小值顯示保護好,可導(dǎo)出excel數(shù)據(jù);USB2.0操作通訊接口組建;

14. 實(shí)驗(yàn)手冊(cè)及保修卡。



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