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微光顯微鏡EMMI(P-100)

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EMMI測(cè)試系統(tǒng)又名光發(fā)射顯微鏡,是器件失效分析中漏電定位的重要工具更優美。P-100 EMMI測(cè)試系統(tǒng)是儀準(zhǔn)科技自有品牌有所應,進(jìn)入中國(guó)已經(jīng)有15年之久。目前國(guó)內(nèi)擁有三安光電合作關系、中興通訊著力提升、智芯微電子、歐司朗結構、東南大學(xué)重要的作用、北京772所、MPS規模最大、樂山菲尼克斯穩中求進、深圳明微、國(guó)家軟件測(cè)評(píng)中心等幾十家客戶最深厚的底氣。

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微光顯微鏡EMMI(P-100)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

EMMI測(cè)試系統(tǒng)又名光發(fā)射顯微鏡協同控製,是器件失效分析中漏電定位的重要工具。P-100 EMMI測(cè)試系統(tǒng)是儀準(zhǔn)科技自有品牌品質,進(jìn)入中國(guó)已經(jīng)有15年之久利用好。目前國(guó)內(nèi)擁有三安光電、中興通訊解決問題、智芯微電子系列、歐司朗、東南大學(xué)相互配合、北京772所慢體驗、MPS、樂山菲尼克斯智能化、深圳明微科技實力、國(guó)家軟件測(cè)評(píng)中心等幾十家客戶。

具體規(guī)格如下:

Si探測(cè)器

采集晶片

硅基芯片

像素

1024  × 1024 pixel

像素尺寸

13 微米  × 13 微米

晶片尺寸

13.3毫米 × 13.3 毫米

噪音

6 electrons rms

冷卻方式

電制冷+水冷

探測(cè)器晶片降溫

-70°C

冷卻時(shí)間

小于10分鐘(常溫至-70°C)

InGaAs探測(cè)器

采集晶片

銦砷化鎵晶片

像素

640  × 512 pixel

像素尺寸

20 微米 x 20 微米

圖像范圍

12.8毫米 x 10.24 毫米

冷卻方式

電制冷+水冷

探測(cè)器晶片降溫

-70°C

冷卻時(shí)間

小于10分鐘(常溫至-70°C)

探針臺(tái)

尺寸

6建設、8在此基礎上、12寸單雙面探針臺(tái)可選

電壓范圍

3000V以下可選

電流范圍

直流10A以內(nèi);脈沖40A以內(nèi)可選

探針座移動(dòng)精度

0.7微米

主機(jī)臺(tái)

移動(dòng)方式

電控移動(dòng)

X-Y-Z移動(dòng)范圍

50*50*70毫米(z軸移動(dòng)100毫米選配)

X-Y移動(dòng)精度

1微米

Z移動(dòng)精度

0.2微米

光學(xué)顯微鏡

品牌

日本三豐

目鏡

10X一對(duì)

物鏡

2.5x,5x,20x,50x(100x選配)

其它

屏蔽箱

關(guān)門自動(dòng)切斷光源極致用戶體驗,內(nèi)部處于暗場(chǎng)環(huán)境

減震臺(tái)

97%@10HZ


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