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GeminiSEM掃描電子顯微鏡

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蔡司GeminiSEM系列高對比度規模、低電壓成像的場發(fā)射掃描電子顯微鏡  具有出色的探測效率近年來,能夠輕松地實現(xiàn)亞納米分辨成像講故事。無論是在高真空還是在可變壓力模式下,更高的表面細(xì)節(jié)信息靈

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    蔡司GeminiSEM系列高對比度性能穩定、低電壓成像的場發(fā)射掃描電子顯微鏡

  具有出色的探測效率,能夠輕松地實現(xiàn)亞納米分辨成像支撐作用。無論是在高真空還是在可變壓力模式下研學體驗,更高的表面細(xì)節(jié)信息靈敏度讓您在對任意樣品進(jìn)行成像和分析時都具備更佳的靈活性,為您在材料科學(xué)研究最為突出、生命科學(xué)研究落實落細、工業(yè)實驗室或是顯微成像平臺中獲取各種類型樣品在微觀世界中清晰、真實的圖像高效化,提供靈活製高點項目、可靠的場發(fā)射掃描電子顯微鏡技術(shù)和方案。

場發(fā)射掃描電子顯微鏡

  運用GeminiSEM系列產(chǎn)品範圍和領域,您可輕松獲取真實世界中任意樣品出色的圖像和可靠的分析結(jié)果

  GeminiSEM 500 具有出色的分辨率有所增加,在較低的加速電壓下仍可呈現(xiàn)給您更強的信號和更豐富的細(xì)節(jié)信息,其創(chuàng)新設(shè)計的NanoVP可變壓力模式更高要求,甚至讓您在使用時擁有在高真空模式下工作的感覺;

  GeminiSEM 450 具有出色的易用性設(shè)計越來越重要的位置、更快的響應(yīng)和更高的表面靈敏度,使其能快速共同學習、靈活順滑地配合、可靠地對樣品進(jìn)行表面成像和分析,充當(dāng)您的得力助手;

  GeminiSEM 300 具有出色的分辨率效高、更高的襯度和更大且無畸變的成像視野前沿技術,可方便地選取適合樣品的真空度等環(huán)境參數(shù),使FESEM初學(xué)者也能快速掌握;

 

  •   更強的信號性能,更豐富的細(xì)節(jié)

      GeminiSEM 500 為您呈現(xiàn)任意樣品表面更強的信號和更豐富的細(xì)節(jié)信息多種方式,尤其在低的加速電壓下,在避免樣品損傷的同時快速地獲取更高清晰度的圖像技術創新。

      經(jīng)優(yōu)化和增強的Inlens探測器可高效地采集信號邁出了重要的一步,助您快速地獲取清晰的圖像,并使樣品損傷降至更低;

      在低電壓下?lián)碛懈叩男旁氡群透叩囊r度設施,二次電子圖像分辨率1 kV達(dá)0.9nm需求,500 V達(dá)1.0 nm,無需樣品臺減速即可進(jìn)行高質(zhì)量的低電壓成像組合運用,為您呈現(xiàn)任意樣品在納米尺度上更豐富的細(xì)節(jié)信息;

      應(yīng)用樣品臺減速技術(shù)-(Tandem decel)更讓我明白了,可在1 kV下獲得高達(dá)0.8nm二次電子圖像分辨率;

      創(chuàng)新設(shè)計的可變壓力模式-NanoVP技術(shù),讓您擁有身處在高真空模式下工作的感覺積極。

  •   更高的速度與靈敏度探索,更好的成像和分析

      GeminiSEM 450更快的響應(yīng)和更高的表面靈敏度使其能快速、靈活、可靠地對樣品進(jìn)行表面成像和分析管理,簡便優化上下、快速地進(jìn)行EDS能譜和EBSD等分析,同時保持出色的空間分辨率模樣,充當(dāng)您的得力助手生產體系。

      在EDS能譜和EBSD分析模式下仍保持高分辨率的成像,在低電壓條件下工作時更為優(yōu)異;

      可快速地對樣品進(jìn)行大范圍及高質(zhì)量成像;

      經(jīng)優(yōu)化的電子光學(xué)鏡筒很重要,減少了工作過程中進(jìn)行重新校準(zhǔn)的復(fù)雜流程能力和水平,節(jié)省成像時間,提高工作效率;

      無論是不導(dǎo)電樣品異常狀況、磁性樣品或是其他類型的樣品研究,無論是高真空或是可變壓力模式,均可實現(xiàn)快速和高質(zhì)量的成像和分析;

  •   更靈活的成像方式

      無論是用戶還是初學(xué)者應用創新,GeminiSEM 300將讓您體驗到在更高的分辨率和更佳的襯度下進(jìn)行*大視野范圍成像的樂趣提高,并且在高真空或是可變壓力模式下都可以實現(xiàn)。

      得益于高效的信號采集系統(tǒng)和優(yōu)異的分辨率性能的特性,可實現(xiàn)快速開展試點、高質(zhì)量、無畸變的大范圍成像;

      創(chuàng)新設(shè)計的高分辨率電子槍模式共同,為對磁性樣品推進一步、不導(dǎo)電樣品以及電子束敏感樣品的低電壓成像量身訂制解決方案;

      蔡司獨樹一幟的鏡筒內(nèi)能量選擇背散射探測器,在低電壓下也可輕松地獲得高質(zhì)量的樣品材料襯度圖像;

      NanoVP技術(shù)讓您可以使用鏡筒內(nèi)Inlens二次電子探測器對要求苛刻的不導(dǎo)電樣品進(jìn)行高靈敏度簡單化、高分辨成像力度。

基本規(guī)格 蔡司 GeminiSEM 500  蔡司 GeminiSEM 450 蔡司 GeminiSEM 300
  熱場發(fā)射電子槍,穩(wěn)定性優(yōu)于0.2 %/h
加速電壓 0.02 - 30 kV
探針電流 3 pA - 20 nA 3 pA - 40 nA 3 pA - 20 nA
(100 nA配置可選) (100 nA或300 nA配置可選) (100 nA配置可選)
存儲分辨率 達(dá)32k × 24k 像素
放大倍率 50 – 2,000,000 12 – 2,000,000 12 – 2,000,000
標(biāo)配探測器 鏡筒內(nèi)Inlens二次電子探測器
樣品室內(nèi)的Everhart Thornley二次電子探測器

可選配的

項目

鏡筒內(nèi)能量選擇背散射探測器
- 角度選擇背散射探測器 角度選擇背散射探測器
環(huán)形STEM探測器(aSTEM 4)
EDS能譜儀
EBSD探測器(背散射電子衍射)
NanoVP可變壓力模式
高效VPSE探測器(包含在NanoVP可變壓力選件中)
局部電荷中和器
可訂制特殊功能樣品臺
環(huán)形背散射電子探測器
陰極射線熒光探測器


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