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MDpicts 微波探測光誘導電流瞬態(tài)譜儀

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公司名稱 弗萊貝格儀器（上海）有限公司
品牌
型號
所在地 上海市
廠商性質(zhì) 其他
更新時間 2024/4/26 17:20:16
訪問次數(shù) 87

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模內(nèi)澆口分離自動化堅定不移，降低對人的依賴度；傳統(tǒng)的塑膠模具開模后產(chǎn)品與澆口相連更讓我明白了，需二道工序進行人工剪切分離迎難而上，模內(nèi)熱切模具將澆口分離提前至開模前，消除后續(xù)工序探索，有利于生產(chǎn)自動化生產創效，降低對人的依賴。

產(chǎn)品簡介

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MDpicts微波探測光誘導電流瞬態(tài)譜儀圖1.與溫度有關的載流子發(fā)射瞬態(tài)靈敏度：對半導體材料電學缺陷有靈敏度溫度范圍：液氮(77k)至500k

詳細信息在線詢價

MDpicts
微波探測光誘導電流瞬態(tài)譜儀
圖1. 與溫度有關的載流子發(fā)射瞬態(tài)

靈敏度：對半導體材料電學缺陷有靈敏度
溫度范圍：液氮(77k)至500k管理。可選:液氦(4k)或更高溫度
衰減常數(shù)范圍：20納秒到幾毫秒
沾污檢測：電學陷阱基本性能確定：激活能和陷阱的俘獲截面優化上下，受溫度和注入水平影響的少子壽命參數(shù)等

重復性：> 99.5%，測量時間：< 60分鐘模樣。液氮消耗：2升/次
靈活性：從365 nm 到1480nm生產體系，根據(jù)不同材料選擇不同波長激發(fā)光源
可訪問性：基于IP的系統(tǒng)允許來自世界任何地方的遠程操作和技術支持

圖2. 不同缺陷的評價

從Arrhenius斜率(圖3)可以確定活化能。

圖3.Arrhenius曲線圖

利用這種新型MDPpicts設備很重要，可在20~500k范圍內(nèi)測量溫度依賴性的瞬態(tài)光電導能力和水平。

Si, GaAs, InP, SiC和其他很多半導體材料已成功采用了這種方法進行研究。

圖4. 不同溫度的Cz-Si晶圓片的MD-PICTS圖譜

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