舉報評價

Crossbeam350/550 聚焦離子束掃描電子顯微鏡（FIB-SEM）

參考價	面議

參考價

面議

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱 深圳市順心科技有限公司
品牌
型號 Crossbeam350/550
所在地 深圳市
廠商性質(zhì) 其他
更新時間 2023/12/3 19:58:45
訪問次數(shù) 64

在線詢價收藏產(chǎn)品點擊查看聯(lián)系電話

索取相關(guān)資料

促銷詳情

促銷時間：

特價說明：

促銷詳細(xì)：

2020年01月08日至 2020年02月08日

特價促銷

模內(nèi)澆口分離自動化戰略布局，降低對人的依賴度；傳統(tǒng)的塑膠模具開模后產(chǎn)品與澆口相連表現明顯更佳，需二道工序進行人工剪切分離讓人糾結，模內(nèi)熱切模具將澆口分離提前至開模前，消除后續(xù)工序穩定發展，有利于生產(chǎn)自動化基石之一，降低對人的依賴。

蔡司 Crossbeam 將場發(fā)射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）鏡筒的強大成像和分析性能與新一代聚焦離子束（FIB) 的優(yōu)異加工能力相結(jié)合增持能力。無論是切割共同努力、成像或進行 3D 分析，Crossbeam 系列都能極大地提升您的應(yīng)用體驗追求卓越。借助 Gemini 電子光學(xué)系統(tǒng)逐漸完善，您可從高分辨率掃描電子顯微鏡（SEM）圖像中獲取真實的樣品信息。Ion-sculptor FIB 鏡筒整體上引入了全新的 FIB 加工方法發展契機。這種方法能夠減少樣品損傷廣泛關註，提升樣品質(zhì)量，從而加快實驗進程發力。通過為您量身定制儀器優勢領先，可以實現(xiàn)高質(zhì)量和高速度的 TEM 薄片樣品制備。Crossbeam 350 具有可選的可變氣壓功能共創美好。Crossbeam 550 可以針對您急需的樣品實現(xiàn)更嚴(yán)苛的制樣與表征推動並實現，以及選擇更適配樣品的樣品倉尺寸薄弱點。無論用于科研機構(gòu)還是工業(yè)實驗室，單用戶實驗室或多用戶實驗平臺優化程度，如果您追求獲得高質(zhì)量積極性，高影響力的實驗結(jié)果，則蔡司 Crossbeam 的模塊化平臺設(shè)計允許您根據(jù)自身需求變化不斷豐富，隨時對儀器系統(tǒng)進行升級實施體系。

詳細(xì)信息在線詢價

產(chǎn)品介紹

Crossbeam 350 的 Gemini 可變氣壓鏡筒適用于各類樣品，用途廣泛各有優勢。利用可變氣壓模式發揮，可進行原位實驗，即便樣品含有氣體或容易荷電快速增長，也能提供出色的分析環(huán)境開放以來。
Crossbeam 550 的 Gemini II 鏡筒與其雙聚光鏡系統(tǒng)在低電壓或高束流下也能獲得高分辨率圖像，如需在高束流條件下獲得高分辨率圖像以及進行快速分析高質量，這無疑是您的理想之選提供了有力支撐。

技術(shù)參數(shù)

型號	察司 Crossbeam 350	察司 Crossbeam 550
掃描電子顯微鏡（SEM）	肖特基發(fā)射源	肖特基發(fā)射源
	1.7 nm @ 1 kV	1.4 nm @ 1 kV
		1.2 nm @ 1 kV,配備 Tandem decel
		1.6 nm @ 2（X） V,配備 Tandem decel
	0.9 nm @ 5 kV	0.7 nm? 15kV
	0.7 nm 仞 30 kV （STEM 模式）	0.6nm@30kV （STEM 模式）
	2.3 nm ? - kV （工作距離 5 mm）	1.8 nm ? 1 kV （工作距離 5mm）
		1.3 nm ? 1 kV.配備 Tandem deed （工作距離 5 mm）
	1.1 nm ? "5kV （工作距離 5 mm）	0.9nm@ 15kV （工作距離 5 mm）
	2.3 nm 仞 20 kV & 10 nA （工作距離 5 mm）	2.3nm@20kV&10nA （工作距離 5 mm）
	電子束流：5 M-100 nA	電子束流：10 pA-100 nA
聚焦離子束（FIB）	液態(tài)金屬離子源：壽命：3000 pAh	液態(tài)金屬離子源：壽命：3000 pAh
	分辨率：3nm@30kV （統(tǒng)計方法）	分辨率：3nm@30kV （統(tǒng)計方法）
	分辨率：120nm@1 kV&10pA （可選）	分辨率：120nm 仞 1 kV& 10pA
檢測器	Intens SE. hlens EsB. VPSE （可變氣壓二次電子探測劉、 SESI （二次電子二次離子探測器）前景、aSTEM （掃描透射電子探測器）進一步意見、 aBSD （背散射探測器）	Inlens SE. Intens EsE. ETD （Everhard-Thomley 探測器）、 SESI （二次電子二次離子探測器）共享應用、aSTEM （掃描透射電子探測器）生產能力、 aBSD （背散射探測器）和CL （陰披熒光探測器）
樣品倉規(guī)格和鎭口	標(biāo)準(zhǔn)樣品倉配有18個可配買端口	標(biāo)準(zhǔn)樣品倉配有18個可配買端口大型樣品倉配有22個可配置說口
樣品臺	X/Y = 100 mm	X/Y = 100 mm X/Y = 153 mm
	Z = 50 rnrr, Z '=13 mm	Z = 50 mm. Z * = 13 mm Z = 50 mm. Z * = 20 mm
	T = -4° 至 70。示範推廣，R = 360°	T = -4° 至 70堅持好。，R =360° T=-15大幅增加。至 70特性。，R = 360°
電荷控制	電子束流槍	電子束流槍
	局部電荷中和箋	局部電荷中和箋
	可變氣壓	—
氣體	單通道氣體注入系統(tǒng):Pt. C. SiO,. W. H.0	單通道氣體注入系統(tǒng)：Pt. C. SiOx. w. h2o
氣體	多通道氣體注入系統(tǒng)：Pt. C. W. Au. H2O. SiOx XeF2	多通道氣體注入系統(tǒng)：Pt. C進展情況、W的積極性、Au. A。至關重要、SOX. XeF2

應(yīng)用案例

典型應(yīng)用不久前，典型樣品	任務(wù)	蔡司Crossbeam應(yīng)用案例
橫截面切割	獲取橫裁面的高渤率醐，以得到亞表面信息提升行動。	Crossbeam提供一系列用于全面樣品表征的探測器能力建設，可同時呈現(xiàn)四種探測器信號，從樣品中得到更多信息自然條件。Gemini鏡筒的設(shè)計可避免樣品暴路于磁場中設計標準，在大觀察視野下圏像無崎變。高達50 kx 40 k的圖像幀存儲分辨率令Crossbeam成為大面枳作分布囲應(yīng)用的理想之選互動互補。
FIB-SEM斷層掃描成像	可在獲得一系列哉面圖像后進行3D重構(gòu)發揮重要帶動作用。	Inlens EsB探測器提供優(yōu)異的材科成分襯度，并由于其只探測樣品表面幾納米深度內(nèi)的信號從而實現(xiàn)極表面成像意料之外。在F舊切割時使用EsB成像可使持續(xù)時間較長的實驗效率更高文化價值。智能軟件解決方案能鑼在短時間內(nèi)實現(xiàn)長時間無人值守的3D數(shù)據(jù)采集工作，以獲得可靠和精確的結(jié)果置之不顧。
生命科學(xué)領(lǐng)域中的FIB-SEM三維至構(gòu)	獲取橫裁面的高渤圖像或執(zhí)行大量斷層掃描不斷完善，以逬行形態(tài)分析。	通過對感興趣區(qū)域進行精準(zhǔn)定位.成像以及重構(gòu)來獲取生物樣品的3D信息方便。
3D分析	研究樣品的化學(xué)和晶體微觀結(jié)構(gòu)基礎上。	Crossbeam是對樣品誑行3D EDS和3DEBSD分析的利器，可通過提供的不同軟件包全自動采集3D數(shù)據(jù)集應用領域。
TEM樣品制備	制謹(jǐn)TEM或STEM薄片樣品保持競爭優勢，以進行分析。	Crossbeam提供了完整的TEM薄片樣品制備解戻方案發展機遇，晝至可逬行批量制備長效機製。 Ion-sculptor FIB鏡筒貝有在低電壓下獲取高質(zhì)量薄片樣品的出色性能，可避免情密樣品的非晶體化全技術方案，定會讓您受益匪淺分享。只需完成簡單的三步工作流程，然后等待自動執(zhí)行即可信息化。在最終筋薄期間經驗分享，采用獲得的X2樣品夾可制備高質(zhì)量的薄片樣品。終點探測軟件能夠獲取薄片樣品厚度的精確信息趨勢，對您大有助益不難發現。
納米圖形化加工	利用FIB （或SEM）結(jié)合不同的輔助氣體，創(chuàng)建新結(jié)構(gòu)或?qū)ΜF(xiàn)有結(jié)構(gòu)進行加工設備製造。	在SEM的全面實時控制下逬行FIB圏形化加工發展需要。在FIB圏像中選擇和繪制您要創(chuàng)建的形狀、設(shè)置參數(shù)并開始加工即可管理。即使臺無經(jīng)驗的用戶也可利用此方便易用的系統(tǒng)軟件獲得出色的成像結(jié)果顯示。在多數(shù)高級加工任務(wù)中，您可使用軟件訪問所有相關(guān)的SEM效率和安、F舊或GIS參數(shù)設計能力，從而在單個對象層面上定制的F舊加工方案。您可在潔線狀態(tài)下計劃和創(chuàng)建FIB任務(wù)深入開展。
電池或聚合物的表面高靈敏分析	對固體表面幾個原子層的組分逬行表征更為一致。	新増ToF-SIMS飛行時間二次離子段譜儀使您能夠分析鋰等微量元素等形式，檢測同位素，并作元素分布圖及深度剖面分析研究與應用，其橫向分析分辨率低至35nmo