B1505A+N1265A可在高達(dá) 3000 V 直流偏置時(shí)執(zhí)行全自動(dòng)電容測(cè)量（Ciss倍增效應、Coss規則製定、Crss 等）

10 μs 高功率脈沖測(cè)量

封裝器件和晶圓上 IGBT/FET 柵極電荷測(cè)量

高電壓/強(qiáng)電流快速切換選件，適用于 GaN 電流崩塌效應(yīng)表征

多達(dá) 5 個(gè)高電壓（3 kV）電源/測(cè)量通道優化服務策略，提供大的靈活性

通過(guò)互鎖測(cè)試夾具執(zhí)行安全的與溫度相關(guān)的測(cè)試

是德科技B1505A半導(dǎo)體分析儀+N1265A 佳捷倫儀器陳娟151=1265=4880

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B1505A+N1265A可在高達(dá) 3000 V 直流偏置時(shí)執(zhí)行全自動(dòng)電容測(cè)量（Ciss關規定、Coss、Crss 等）

10 μs 高功率脈沖測(cè)量

封裝器件和晶圓上 IGBT/FET 柵極電荷測(cè)量

高電壓/強(qiáng)電流快速切換選件兩個角度入手，適用于 GaN 電流崩塌效應(yīng)表征

多達(dá) 5 個(gè)高電壓（3 kV）電源/測(cè)量通道建強保護，提供大的靈活性

通過(guò)互鎖測(cè)試夾具執(zhí)行安全的與溫度相關(guān)的測(cè)試

因網(wǎng)站價(jià)格限制問(wèn)題，發(fā)布的價(jià)格不代表最終價(jià)格

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