日本Advantest芯片缺陷測試TDR太赫茲光譜測試儀

TS9000 TDR/TDT Option

IC 封裝電路版配線故障部位的高分辨率解析

高分辨率TDR/TDT系統(tǒng)實現(xiàn)高的信號品質

非破壞性分析IC封裝以及電路版內部配線的故障部位

TS9000 TDR利用既有的太赫茲解析系統(tǒng)中的短脈沖信號處理技術，針對IC封裝內部以及電路版內部的配線故障部位進行非破壞性分析的系統(tǒng)紮實。使用探針信號的太赫茲脈沖和之前用電氣產(chǎn)生的脈沖相比效高化，脈沖短新體系，帶域寬，可得到更高分辨率的不良診斷創造。日本Advantest半導體芯片太赫茲光譜TDR解析系統(tǒng)

抽取測定好的時間波形的變化不難發現，分析故障點(段路，短路設備製造，阻抗不匹配等)發展需要，把估計的故障點在測定對象的CAD數(shù)據(jù)上可視化呈現(xiàn)出來、很容易確定故障位置管理。

測定實例

-微凸重要組成部分、C4凸塊的破斷、接觸不良分析 

-硅穿孔（TSV）的接觸不良診斷 

-接頭趨勢、樹脂版內部的配線不良診斷

TDR測定原理

測定故障點產(chǎn)生的反射脈沖的遲延時間有力扭轉，換算成距離，確定故障位置

特性

-高分辨率：5μm以下的測定距離分辨率一站式服務，確定不良故障位置

-不范圍測定：300mm的測定距離范圍

-故障部位的可視化 ：在被測定物的CAD數(shù)據(jù)上廣度和深度，確定故障位置(*)

-自動探測機制：對版進行自動探測、防止探針破損

-多器件對應：上升時間不同引領作用，提供3種探針（6ps(*), 12ps, 25ps(*))

                        上升時間快速探針-器件的高分辨率分析

                         上升時間慢速探針-適合長距離回路分析

※ 根據(jù)*的接觸形狀加強宣傳、可協(xié)商客戶的個別需求。

TS9001 TDR：基于太赫茲技術的*封裝失效分析

隨著芯片的體積越來越小用的舒心，而集成度越來越高技術發展，對無損高分辨率故障定位能力的需求逐漸增大。多年來富瑞博測試一直涉足于太赫茲領域的研究集成。集成多年的經(jīng)驗技術重要手段，TS9001 TDR系統(tǒng)。

TS9001 TDR系統(tǒng)可對倒裝芯片BGA穩定性，晶圓級封裝和2.5D / 3D 芯片等*半導體封裝中的電路故障進行非破壞性和高分辨率分析像一棵樹。 -基于太赫茲技術的*封裝失效分析

日本Advantest半導體芯片太赫茲光譜TDR解析系統(tǒng)

TDR測定例

由OPEN/SHORT構成的傳輸線(長4/6/20mm)的TDR測定例

-故障模式是OPEN時，觀察正反射脈沖去突破、SHORT時能運用，觀察負反射脈沖

-SHORT/OPEN可進行故障分析

-由于太赫茲TDR的探針信號是脈沖、可以容易判斷故障點的脈沖峰值

解析?表示機能

 「TS9000 TDR」 標配「TDR/TDT Analyzer」智能設備。 除了參考良品和不良樣品的波形差分以外不可缺少、檢出波形的変化點、確定接頭到故障點的距離特點。

 「CAD Data Link」option 在CAD配線數(shù)據(jù)上確定故障位置的功能積極回應，用于幫助確認故障點。

參考良品和不良樣品的測定數(shù)據(jù)水平又進了一步，補正位相的位相變動平臺建設、只抽出樣品波形的特征

日本Advantest半導體芯片太赫茲光譜TDR解析系統(tǒng)

TDR/TDT Analyzer的波形演算功能以及標記功能服務機製、檢出的峰值顯示故障的位置特征

主要規(guī)格

項目規(guī)格THz-TDR/TDT性能通道數(shù)

TDR:1ch，TDT：1ch(option)故障位置檢出分辨率<5 μm上升時間<12 ps（推薦） (<6ps使用，<25ps可選)測定距離tdr測定>300 mm@εeff = 3TDT測定

>600 mm@εeff = 3測定時間<5 min/point@TDR 300 mm探針配置面片面

探測方法自動位移臺性能位置再現(xiàn)性<10 μm可動范圍150mm×150mmTDR/TDT Analyzer搭載TDR CAD DATA LINK可選日本Advantest半導體芯片太赫茲光譜TDR解析系統(tǒng)

電腦(OS:Windows7Pro.64bit)主要規(guī)格性能保證范圍

溫度范圍:23±5℃ 相對濕度:80%以下(無冷凝)使用環(huán)境

溫度范圍:+10～+30℃ 相對濕度:80%以下(無冷凝)保存環(huán)境

溫度范圍:-10～+50℃ 相對濕度:80%以下(無冷凝)電源

-分析單元: AC100 V (100-120) / 200V (220-240 ) ±10%, 50/60 Hz, 250 VA

-控制單元: AC100 V (100-120) / 200V (220-240 ) ±10%, 50/60 Hz, 250 VA

外形尺寸/重量

-分析單元: 430(W) × 540(D) × 230(H) mm, 30 kg以下

-?光學單元: 430(W) × 240(D) × 220(H) mm, 14 kg以下

-探針臺: 1250(W) × 830(D) × 650(H) mm, 130 kg以下

-控制單元: 450(W) × 580(D) × 200(H) mm, 15 kg以下

-延遲線單元：450(W) × 500(D) × 200(H) mm, 10 kg以下

基本構成大幅拓展，日本Advantest半導體芯片太赫茲光譜TDR解析系統(tǒng)

采用超短脈沖信號處理技術，具備5μm更高故障定位分辨率

業(yè)界的30秒級測量時間足夠的實力，可實現(xiàn)精確的故障位置識別（平均次數(shù)1024時緊迫性，是傳統(tǒng)產(chǎn)品的1/10）

高頻探針系統(tǒng)的多功能連接

TS9001 TDR可以與客戶自選的高頻探針系統(tǒng)進行無障礙連接，從而以較低的價格構建故障分析環(huán)境更適合，滿足多樣化的故障分析需求高效。

帶有微凸的器件的故障分析（Failure analysis of devices with micro bump）

通過將TS9001與高分辨率顯微鏡一起連接到高頻探測系統(tǒng)，可以對最小直徑為50μm的微凸的器件進行故障分析要素配置改革。

溫度控制功能

如果系統(tǒng)連接到具有熱系統(tǒng)功能的高頻探測系統(tǒng)體系，則還可以對低溫/高溫下的器件進行故障分析。

什么是TDR

TDR（時域反射計）被廣泛用于電路故障定位帶動產業發展。輸入脈沖信號在器件內部的電路故障時反射信號責任製，用戶可以通過比較好片和壞片之間的時域波形，進而確定故障位置和故障模式（開路或短路）倍增效應。