牛津儀器 電子背散射衍射（EBSD）探測器C-Nano是一款適用于各種材料和應用的EBSD探測器加強宣傳。利用專門定制的CMOS傳感器臺上與臺下，C-Nano采集速度可達400點/秒，并能得到理想的312x256像素分辨率的花樣：這比同類型的基于CCD的探測器采集速度快3倍技術發展，得到至少4倍像素的花樣集聚效應。C-Nano值得讓您信任的性能，使其即使在更具挑戰(zhàn)性的材料上重要手段，也能提供出色數(shù)據(jù)質(zhì)量互動講。

C-Nano的光學設計確保了*的靈敏度和子像素失真級別，使其成為需要優(yōu)良像一棵樹、高清花樣的精細的應變分析的理想探測器過程中。C-Nano的靈敏度確保在使用非常低的束流（在3nA以下）時也能達到的分析速度，從而能夠?qū)﹄娮邮舾胁牧虾图{米晶材料進行詳細和成功的分析能運用。

C-Nano還得益于整個牛津儀器CMOS探測器系列的新設計功能達到，包括可避免潛在、昂貴代價的碰撞發(fā)生的接近傳感器工具。C-Nano是一個您可以一直信賴使用的探測器智慧與合力。

牛津儀器 電子背散射衍射（EBSD）探測器C-Nano特點

C-Nano探測器是高性能CMOS技術(shù)的入門選項：

• 保證在3nA束流條件下，實現(xiàn)400pps的標定速度
• 速度下采集312x256像素的花樣分辨率——是同等速度下高分辨CCD探測器的4倍
• EBSD百萬像素全分辨率花樣(1244x1024像素)——高分辨率EBSD應變分析的理想選擇
• 低失真光學器件, 確保角度精度優(yōu)于0.05°
• 優(yōu)化的高靈敏度熒光屏, 確保低劑量和低束流能量下的高質(zhì)量的花樣——增大空間分辨率
• 即使在速度下也能實現(xiàn)無縫的EDS集成
• 波紋管SEM接口重要的角色，保持SEM真空完整性
• *的接近傳感器——在可能發(fā)生的碰撞發(fā)生之前自動將探測器移動到安全位置
• 簡單直觀的探測器設置數據顯示，確保每次都能獲得滿意效果
• 五個集成的前置探測器, 提供全彩色通道襯度圖像和原子序數(shù)襯度圖像