可變角度單次反射ATR，用于多層膜置之不顧、鍍層不斷完善、脫模劑、硅外延層方便、金屬或硅片等表面單層膜或超薄膜基礎上、化學遷移等的分析，亦可用于紅外光譜電化學研究應用領域。

產(chǎn)品特點：

• 30°～80°連續(xù)可變?nèi)肷浣?/li>

• 0.4-46微米入射深度保持競爭優勢，適合深度剖析，如多層膜發展機遇、鍍層分析

• 20mm大尺寸晶體長效機製，非常適合硅片或金屬基底表面的單層膜、超薄膜分析服務體系，相比于鏡面反射說服力，靈敏度可提高1-2數(shù)量級

• 結(jié)合電化學池用于紅外光譜電化學研究

• *的光通量搶抓機遇，以最短的掃描時間提供的光譜質(zhì)量分析，提高檢出限
• 可選ZnSe\Ge\Si\ZnS晶體
• 可作為變角鏡面反射附件使用
• 預(yù)留偏振片位置，可選配手動或自動偏振片
• 可選配自動版，軟件調(diào)節(jié)入射角

• 可加熱晶體盤非常激烈，溫度至130℃