| 參考價 | 面議 |
IM4000PLUS是支持斷面研磨和平面研磨（Flat Milling*1）的混合式離子研磨儀器。借此推動，可以用于適用于各種諸如對樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)觀察和各類分析等相對較高，為評價目的樣品的制作。*1平面研磨（Flat Milling）是位于日本國內(nèi)的日立*有限公司的注冊商標信息。
IM4000PLUS是支持斷面研磨和平面研磨（Flat Milling®*1）的混合式離子研磨儀器相關。借此，可以用于適用于各種諸如對樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)觀察和各類分析等豐富內涵，為評價目的樣品的制作生產效率。
配備斷面研磨能力達到500 µm/h*2以上的高效率離子槍適應性。因此節點，即使是硬質(zhì)材料，也可以高效地制備出斷面樣品落地生根。
斷面研磨加工原理圖
平面研磨（Flat Milling®）加工原理圖
附冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS
該功能可有效防止加工過程中，由于離子束照射引發(fā)的樣品的溫度上升講理論，所導致樣品的溶解和變形的可能性。對于過度冷卻后會產(chǎn)生開裂的樣品，通過冷卻溫度調(diào)節(jié)功能可防止其因過度冷卻而產(chǎn)生開裂服務為一體。
常溫研磨
冷卻研磨
大氣隔離樣品桿全會精神，可讓樣品在不接觸空氣的狀態(tài)下進行研磨系統穩定性。
密封蓋將樣品密閉，進入真空排氣的樣品室后集中展示，打開密封蓋實力增強。如此體系流動性，離子研磨加工后的樣品可以在不接觸空氣的狀態(tài)下直接設(shè)置到SEM*1、FIB*1帶來全新智能、AFM*2上實現了超越。
大氣暴露
大氣隔離
IM4000橋梁作用、IM4000PLUS通過設(shè)置在樣品室上方的立體顯微鏡，可觀察到研磨過程中的樣品求索。
如果是三目型讓人糾結，則可以通過CCD攝像頭*3進行監(jiān)控觀察。
| 項目 | 內(nèi)容 | |
|---|---|---|
| IM4000PLUS | IM4000PLUS | |
| 斷面研磨桿 | 平面研磨桿 | |
| 使用氣體 | Ar（氬）氣 | |
| 加速電壓 | 0 ～ 6 kV | |
| 大研磨速度（Si材料） | 500 µm/hr*1 以上 | - |
| 大樣品尺寸 | 20（W）× 12（D）× 7（H）mm | Φ50 × 25（H） mm |
| 離子束 間歇照射功能 | 標配 | |
| 尺寸 | 616（W）× 705（D）× 312（H）mm | |
| 重量 | 機體48 kg＋回轉(zhuǎn)泵28 kg | |
| 附冷卻溫度調(diào)節(jié)功能的IM4000PLUS | ||
| 冷卻溫度調(diào)節(jié)功能 | 通過液氮間接冷卻樣品基石之一、溫度設(shè)定范圍：0°C ～ －100°C | |
| 選項 | ||
| 空氣隔離 樣品夾持器 | 僅支持斷面研磨夾持器 | - |
| FP版斷面研磨夾持器 | 100 µm/rotate*2 | - |
| 用于加工監(jiān)控的顯微鏡 | 倍率 15 × ～ 100 × 雙目型、三目型（支持CCD） | |
如果是大約500 µm的角型的陶瓷電容器模樣，則可以3小時內(nèi)制備出平滑的斷面生產體系。
低倍圖像
放大圖像
即使硬度和成分不同的多層結(jié)構(gòu)材料服務，也可以制備斷面。
低倍圖像
放大圖像
這是通過鋰電池正極材料能力和水平，斷面研磨獲得平滑截面的應(yīng)用實例覆蓋。
在SEM上觀察到的具有特殊對比度的部位，從SSRM（Scanning Spread Resistance Microscopy）圖像來看國際要求，考慮為電阻低的部位流動性。
可以去除機械研磨所引起的研磨損傷和塌邊，并可觀察到金屬層競爭激烈、合金層和無鉛焊料的Ag分布持續創新。
機械研磨后
平面研磨后
因老化等變得臟污的觀察面、分析面空白區，通過平面研磨協調機製，也可以獲得清晰的通道對比度圖像和EBSD模式。
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