Microtech的熱釋電探測(cè)器是利用熱釋電材料的自發(fā)極化強(qiáng)度隨溫度變化的效應(yīng)制成的熱敏型探測(cè)器。Microtech基于 LiTa03 晶體開發(fā)的熱釋電THz探測(cè)器方法，專門設(shè)計(jì)用于調(diào)制在毫米或者亞毫米波長(zhǎng)范圍內(nèi)的電磁輻射行動力。在方波調(diào)制輻射中，探測(cè)器鋸齒信號(hào)電壓是和輻射的強(qiáng)度成正比發揮作用。探測(cè)器輸入端裝有黑色濾光片良好，用于去除可見光和紅外區(qū)域的雜散光。此外銘記囑托，熱釋電探測(cè)器具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單引領、成本低、室溫可工作和探測(cè)頻帶寬的性能示範，可以很好地用于被動(dòng)成像等領(lǐng)域應用前景。

太赫茲熱釋電探測(cè)器-熱釋電太赫茲功率計(jì)-太赫茲功率計(jì) 產(chǎn)品描述：

Microtech 太赫茲熱釋電探測(cè)器-熱釋電太赫茲功率計(jì)-太赫茲功率計(jì) 是利用熱釋電材料的自發(fā)極化強(qiáng)度隨溫度變化的效應(yīng)制成的熱敏型探測(cè)器有很大提升空間。Microtech基于 LiTa03 晶體開發(fā)的熱釋電THz探測(cè)器，專門設(shè)計(jì)用于調(diào)制在毫米或者亞毫米波長(zhǎng)范圍內(nèi)的電磁輻射首次。在方波調(diào)制輻射中可能性更大，探測(cè)器鋸齒信號(hào)電壓是和輻射的強(qiáng)度成正比。探測(cè)器輸入端裝有黑色濾光片搖籃，用于去除可見光和紅外區(qū)域的雜散光技術。探測(cè)器配有標(biāo)準(zhǔn)BNC連接器。熱釋電探測(cè)器的光譜范圍為o-1.5 THz(帶黑色濾光片)或近紅外(不帶濾光片)推動。與高萊探測(cè)器相比相對較高，太赫茲熱釋電探測(cè)器提供較低的響應(yīng)率，但有一個(gè)更快的響應(yīng)時(shí)間信息。它通過(guò)電池供電相關，便于使用與攜帶，具有高靈敏度豐富內涵、高動(dòng)態(tài)范圍及較廣的探測(cè)范圍等優(yōu)點(diǎn)生產效率。此外，熱釋電探測(cè)器具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單發展、成本低保持穩定、室溫可工作和探測(cè)頻帶寬的性能，可以很好地用于被動(dòng)成像等領(lǐng)域面向。

工作原理：

熱釋電太赫茲探測(cè)器就是通過(guò)晶體的熱釋電效應(yīng)來(lái)探測(cè)太赫茲輻射的支撐作用，所以其材料主要是具有熱釋電性的晶體。如圖所示建設項目，當(dāng)太赫茲輻射到這類晶體上時(shí)最為突出，會(huì)引起晶體溫度的變化，這個(gè)溫度變化會(huì)導(dǎo)致晶體內(nèi)部的載流子分布發(fā)生變化相結合，從而在晶體兩端形成一個(gè)電勢(shì)差提升。電勢(shì)差的變化情況不同，對(duì)應(yīng)不同能量的太赫茲輻射不折不扣。然而由于這種熱釋電效應(yīng)產(chǎn)生的電勢(shì)差是由于晶體溫度差所引起的支撐能力，當(dāng)晶體的溫度重新平衡以后，這個(gè)溫度差就不再存在高效利用，電勢(shì)差也隨即消失特征更加明顯，所以熱釋電太赫茲探測(cè)器只能探測(cè)被調(diào)制的太赫茲輻射或是脈沖太赫茲輻射。雖然這種熱釋電特性使其探測(cè)具有一定的局限性講理論，并且靈敏度不高的可能性，但是熱釋電探測(cè)器具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低服務為一體、室溫可工作和探測(cè)頻帶寬的性能問題，可以很好地用于被動(dòng)成像等領(lǐng)域逐漸顯現。

太赫茲熱釋電探測(cè)器-熱釋電太赫茲功率計(jì)-太赫茲功率計(jì) 技術(shù)參數(shù)：

• 產(chǎn)品尺寸：135*40*30mm
• 工作電壓：2*1.5V（2節(jié)AA干電池）
• 工作電流：0.14mA
• 電池壽命：>10000小時(shí)
• 光譜范圍：0.02-3THz
• 響應(yīng)度：1000V/W
• 動(dòng)態(tài)范圍：1uW-10mW
• 調(diào)制頻率：5-30Hz
• 噪聲等級(jí)：1.0mV

典型響應(yīng)曲線：