橢圓偏振法測量當線性偏振光照射到樣品時反射光（橢圓偏振）時偏振的變化品率。 當s和p波根據(jù)樣本分別改變其相位和反射幅度時，可以獲得量化偏振變化的幅度比“tanψ”和相位差“cosΔ”不斷發展。 tanψ技術發展，cosΔ稱為“橢圓參數(shù)”，其光譜通過“光譜橢偏儀”進行測量集成。Otsuka FE-5000/5000S膜厚測量儀除了基本的光譜橢圓儀系統(tǒng)外重要手段，自動角度調(diào)節(jié)機構(gòu)還可以針對各種厚度進行高精度的膜厚測量。 可拆卸的緩速器和旋轉(zhuǎn)分析儀還拓寬了可供測量的選擇范圍穩定性，并提高了測量精度像一棵樹。測量范圍包括：橢圓參數(shù)（tanψ，cosΔ）去突破，光學常數(shù)分析（和：折射率能運用，k：消光系數(shù)），厚度分析智能設備。

嵌入式膜厚儀-橢偏儀-膜厚測量儀-橢圓偏振光譜儀 產(chǎn)品描述：

嵌入式膜厚儀-橢偏儀-膜厚測量儀-橢圓偏振光譜儀 是測量當線性偏振光照射到樣品時反射光（橢圓偏振）時偏振的變化不可缺少。當s和p波根據(jù)樣本分別改變其相位和反射幅度時，可以獲得量化偏振變化的幅度比“tanψ”和相位差“cosΔ”特點。 tanψ積極回應，cosΔ稱為“橢圓參數(shù)”，其光譜通過“光譜橢偏儀”進行測量又進了一步。Otsuka FE-5000/5000S膜厚測量儀除了基本的光譜橢圓儀系統(tǒng)外多種場景，自動角度調(diào)節(jié)機構(gòu)還可以針對各種厚度進行高精度的膜厚測量。 可拆卸的緩速器和旋轉(zhuǎn)分析儀還拓寬了可供測量的選擇范圍規劃，并提高了測量精度擴大公共數據。測量范圍包括：橢圓參數(shù)（tanψ，cosΔ）帶動擴大，光學常數(shù)分析（和：折射率核心技術體系，k：消光系數(shù)），厚度分析持續發展。

產(chǎn)品亮點：

• 橢圓光度法測量可見光和紫外線范圍（250-800nm）
• 納米級薄膜厚度
• 使用多通道光譜儀（超過400ch）進行快速測量
• 角度可調(diào)機構(gòu)進行詳細分析
• 通過光學常數(shù)數(shù)據(jù)庫和配方注冊功能實現(xiàn)高度可操作性
• 使用多層擬合分析進行光學常數(shù)測量必然趨勢，以控制膜厚度和膜性能

應用范圍：

• 半導體晶圓(柵氧化薄膜，氮化膜 SiO2溝通協調，SixOy要素配置改革，SiN體系，SiON，SiNx帶動產業發展，Al2O3責任製，SiNxOy，多晶硅倍增效應，ZnSe規則製定，BPSG，TiN 每種波長下抗蝕劑的光學常數(shù))
• 復合半導體(AlxGa（1-x）As多層膜優化服務策略，非晶硅)
• FPD（平板顯示器）(定向膜 ITO關規定，MgO用于等離子顯示器)
• 新材料(DLC（類金剛石），超導薄膜兩個角度入手，磁頭薄膜)
• 光學薄膜(TiO2建強保護，SiO2，多層膜生產效率，減反射膜使命責任，反射膜)
• 平版印刷(g射線（436nm），h射線（405nm）使用，i射線（365nm）合規意識，KrF（248nm）的光學常數(shù) 每種波長下抗蝕劑的光學常數(shù))

技術(shù)參數(shù)：

• 測量樣品：反光樣品
• 樣品尺寸：100x100mm
• 基本原理：旋轉(zhuǎn)分析儀方法
• 膜厚范圍：0.1 nm
• 照射（反射）角度：45～90°
• 照射（反射）角驅(qū)動方式：自動正弦驅(qū)動
• 點徑：φ2.0/1.2
• tanψ精度：< ±0.01
• cosΔ精度：< ±0.01
• 可重復性：< 0.01%
• 波長范圍：300-800nm/250-800 nm
• 探測器：多色儀（PDA, CCD）
• 光源：高穩(wěn)定性氙氣燈
• 平臺驅(qū)動方式：手動/自動
• 尺寸：650（W)×400（D)×560（H）mm/1300（W)×900（D)×1750（H）mm
• 重量：50kg/350kg
• 軟件分析：小二乘薄膜分析（反射系數(shù)模型函數(shù)，Cauchy色散模型有效性，nk-Cauchy色散模型）
• 理論分析（體表面分析（n.k.）創新內容，角度相關(guān)性的同時分析

測量案例：

使用梯度模型進行ITO結(jié)構(gòu)分析—應用FE0006。ITO（銦錫氧化物）是用于LCD顯示器等平面顯示器的透明電極材料廣泛關註。 ITO的成膜后善於監督，通過退火處理（熱處理），可以提高ITO的導電性和色相深入實施。 那時至關重要，ITO的氧狀態(tài)和結(jié)晶狀態(tài)將發(fā)生變化發展空間。 該變化趨于相對于膜厚度逐步獲得斜率變化效果，并且它不會變成光學組成均一的單層。 我們想介紹一種使用梯度模型來測量上下表面nk的傾斜度的情況足了準備。