TeraSense系列的太赫茲源（IMPATT二極管）又名硅雙漂移二極管先進技術，具有0.6μm傳輸區(qū)域培訓，安裝在銅散熱片上。雙漂移二極管中的各層是：重摻雜（p+）-區(qū)域、中等摻雜（p+）-區(qū)域重要工具、中度摻雜n-區(qū)域和重摻雜（n+）-區(qū)域積極拓展新的領域。（p+）和（n+）-區(qū)域允許與外部電路形成歐姆電接觸。該器件依靠負電阻來產生和維持振蕩非常激烈。優(yōu)化頻率為100GHz時競爭力所在，該太赫茲源的典型輸出射頻功率（rfpower)可達100mW。這使得它們可以與倍增器一起使用領域，以達到遠太赫茲光譜范圍內的頻率溝通機製。

300GHz太赫茲源-太赫茲固態(tài)源-太赫茲發(fā)生器-THz Source 產品描述：

300GHz太赫茲源-太赫茲固態(tài)源-太赫茲發(fā)生器-THz Source 美國TERASENSE公司研發(fā)太赫茲、亞太赫茲成像系統(tǒng)及器件帶來全新智能，利用新的技術生產半導體材料的室溫工作太赫茲波探測器實現了超越，高功率太赫茲發(fā)生器。TeraSense太赫茲源（IMPATT二極管）是一類非常高效的微波和亞太赫茲波產生器件去完善。其工作頻率范圍約為3-400GHz橋梁作用， 主要的優(yōu)點是它們具有很高的輸出功率和緊湊小巧的外形封裝。IMPATT二極管具有非常窄的工作頻率帶寬求索，所以二極管內部尺寸必須根據相應的頻率來設計讓人糾結。此外，與其他類型的微波負阻二極管相比穩定發展，基于IMPATT的發(fā)生器有可能實現更高的輸出功率水平基石之一。IMPATT發(fā)生器也被證明是效、經濟效益高的高頻和大功率電源之一增持能力，使用壽命長共同努力，運行穩(wěn)定可靠。Terasense現在提供新一代的太赫茲源追求卓越。升級后的IMPATT二極管配備了一個保護隔離器逐漸完善，顯著提高了輸出功率的穩(wěn)定性。并且現在有圓形輸出端口和喇叭形輸出端口兩種選項客供客戶選擇合理需求，可以靈活的與線型和面陣型的太赫茲相機匹配是目前主流。

TeraSense系列的太赫茲源（IMPATT二極管）又名硅雙漂移二極管，具有0.6μm傳輸區(qū)域高質量，安裝在銅散熱片上充分發揮。雙漂移二極管中的各層是：重摻雜（p+）-區(qū)域、中等摻雜（p+）-區(qū)域管理、中度摻雜n-區(qū)域和重摻雜（n+）-區(qū)域設計。（p+）和（n+）-區(qū)域允許與外部電路形成歐姆電接觸。該器件依靠負電阻來產生和維持振蕩改進措施。優(yōu)化頻率為100GHz時就此掀開，該太赫茲源的典型輸出射頻功率（rfpower)可達100mW形勢。這使得它們可以與倍增器一起使用，以達到遠太赫茲光譜范圍內的頻率取得明顯成效。

技術參數：

型號：IMPATT-180/10-H/F

• 工作頻率：~180GHz
• 輸出功率：~10mW
• 輸出類型：錐形喇叭天線（剛性固定）或WR-4.3 flange
• TTL調制（上升/下降時間 1us）

型號：IMPATT-200M/50-H/F

• 工作頻率：~200GHz
• 輸出功率：~50mW
• 輸出類型：WR-4 flange
• 倍頻器（x2）
• TTL調制（上升/下降時間1us）

型號：IMPATT-280M/25-WR3.4-F/H

• 工作頻率：~280GHz
• 輸出功率：~25mW
• 輸出類型：WR-3.4 flange
• 倍頻器（x2）
• TTL調制（上升/下降時間1us）

應用圖片：