BATOP從事的專業(yè)領(lǐng)域包括：低溫分子束外延技術(shù)問題分析，介質(zhì)濺射鍍膜培養，晶圓加工和芯片安裝技術(shù)。在過去幾年里更加完善， BATOP 已成為一個(gè)用于被動(dòng)鎖模激光器的可飽和吸收體的供應(yīng)商形式。

可飽和吸收產(chǎn)品集合了可飽和吸收鏡(SESAM™)，可飽和輸出鏡(SOC)和用于透過應(yīng)用的可飽和吸收體(SA)十大行動。

迄今為止左右，可飽和吸收產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了800nm到3µm的常用激光波長范圍。另一個(gè)產(chǎn)品系列是用于太赫茲發(fā)射和探測(cè)的太赫茲光電導(dǎo)天線(PCA)綜合措施。

BATOP不僅提供單帶隙天線可靠保障，還包括整合了微透鏡的高能大狹縫交叉天線陣列和整套的太赫茲光譜儀自然條件。太赫茲光電導(dǎo)天線的激發(fā)波長為800nm到1550nm之間。

主要產(chǎn)品：

• SAM半導(dǎo)體可飽和吸收鏡

• RSAM共振可飽和吸收鏡

• SOC可飽和吸收耦合輸出鏡

• SANOS可飽和噪聲去除腔

• SA可飽和吸收體

• PCA太赫茲光電導(dǎo)天線

SESAM開展，RSAM和SOC是用于穩(wěn)定的DPSS被動(dòng)鎖模激光器的鎖模元件互動互補，封裝方式有裸片。粘附在散熱基底和光纖尾端等方式意向。

一意料之外、鎖模器件

 關(guān)鍵指標(biāo)：

a. 中心波長（λ）：800-3000nm（根據(jù)需求選擇合適波長）

b. 吸收率（A0）：0.6%-70%（根據(jù)需求選擇合適吸收率）

c. 弛豫時(shí)間（τ）：500fs-124ps（根據(jù)需求選擇合適弛豫時(shí)間）

d. 封裝方式（X）：（根據(jù)需求選擇如下合適封裝方式）

 X=4.0-0，無封裝的裸片，單片，尺寸4mm x 4mm

 X=1.0b-0範圍，無封裝的裸片，5片裝空間廣闊，單片尺寸1.0mm x 1.0mm

 X=1.3b-0，無封裝的裸片改革創新，5片裝，單片尺寸1.3mm x 1.3mm

 X=12.7g-c/e取得顯著成效，4.0mm x 4.0mm的裸片粘在直徑12.7mm的銅柱*/邊緣

 X=25.0g-c/e新模式，4.0mm x 4.0mm的裸片粘在直徑25.0mm的銅柱*/邊緣

 X=25.4g-c/e，4.0mm x 4.0mm的裸片粘在直徑25.4mm的銅柱*/邊緣

 X=12.7s-c/e不容忽視，4.0mm x 4.0mm的裸片焊在直徑12.7mm的銅柱*/邊緣

 X=25.0s-c/e組織了，4.0mm x 4.0mm的裸片焊在直徑25.0mm的銅柱*/邊緣

 X=25.4s-c/e，4.0mm x 4.0mm的裸片焊在直徑25.4mm的銅柱*/邊緣

 X=25.0w-c/e說服力，4.0mm x 4.0mm的裸片焊在直徑25.0mm的水冷銅柱*/邊緣

 X=25.0h-c/e搶抓機遇，4.0mm x 4.0mm的裸片焊在直徑25.0mm的水冷銅柱*/邊緣（高功率應(yīng)用）

 X=FC/PC-HI 980，安裝在1米長HI 980（光纖可選）光纖一端表示，接頭類型FC/PC

 X=FC/APC-HI 980全面闡釋，安裝在1米長HI 980（光纖可選）光纖一端，接頭類型FC/APC  

4.SANOS可飽和體噪聲去除腔

SANOS可飽和體噪聲去除腔的工作原理是：利用可飽和吸收體對(duì)弱的噪聲光有很小的反射率競爭力所在，對(duì)強(qiáng)的輸出光具有很大的反射率引人註目，這樣光通過SANOS可飽和體噪聲去除腔后，就能起到噪聲去除的作用發展需要。

可用于再生放大和脈沖選擇以后的噪聲光去除攻堅克難。

二、1064nm 微片

組成：半導(dǎo)體可飽和吸收鏡+Nd:YVO4激光晶體

指標(biāo)參數(shù)：