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太赫茲光電導天線 THz天線

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自由空間太赫茲發(fā)射器(太赫茲光電導天線)

自由空間的太赫茲發(fā)射器由一個光電導天線和高阻硅透鏡封裝而成引領作用。我們通常使用低溫生產的GaAs(LT-GaAs)或者GaBiAs作為光電導材料。不同的光電導材料適用于不同的激發(fā)波長臺上與臺下。

太赫茲發(fā)射器參數(shù)規(guī)格

LT-GaAs天線GaBiAs天線
激發(fā)功率:<50mW, 典型值30mW
激發(fā)功率:<50mW
偏置電壓:<50V, 典型值40V偏置電壓:<40V
集成高阻硅透鏡集成高阻硅透鏡
激發(fā)波長:800±40nm激發(fā)波長:1050±40nm
封裝XY二維調節(jié)架效率和安,調節(jié)范圍±3mm封裝XY二維調節(jié)架,調節(jié)范圍±3mm



自由空間太赫茲探測器(太赫茲光電導天線)


太赫茲探測器參數(shù)規(guī)格

LT-GaAs天線GaBiAs天線
激發(fā)功率:<50mW
激發(fā)功率:<25
集成預放大器預放大器
集成高阻硅透鏡集成高阻硅透鏡
探測太赫茲帶寬:[ protected]激光脈寬探測太赫茲寬:[ protected]激光脈寬
太赫茲頻譜峰值位置:400GHz太赫茲頻譜峰值位置:400GHz
激發(fā)波長:800±40nm激發(fā)波長:1050±40nm
封裝XY二維調節(jié)架品牌,調節(jié)范圍±3mm封裝XY二維調節(jié)架深入開展,調節(jié)范圍±3mm




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