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PILATUS3 R CdTe混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

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1管理、產(chǎn)特點(diǎn)

 PILATUS3 R CdTe系列結(jié)合了無噪聲單光子計(jì)數(shù)的優(yōu)點(diǎn)和在大型碲化鎘(CdTe)傳感器中直接檢測(cè)硬X射線的優(yōu)點(diǎn)顯示。
      與閃爍體的檢測(cè)器相比,混合像素中的直接檢測(cè)產(chǎn)生更銳利的信號(hào)和更好的空間分辨率合作。 CdTe為Mo勃勃生機,Ag和In輻射提供接近100%的吸收效率。結(jié)合無噪聲單光子計(jì)數(shù)極致用戶體驗,這將實(shí)驗(yàn)室中的X射線檢測(cè)帶入了一個(gè)新的靈敏度和準(zhǔn)確度水平提供有力支撐。
      實(shí)驗(yàn)室中的X射線源,尤其是硬X射線的X射線源比同步加速器弱得多建議,因此需要較長(zhǎng)的曝光時(shí)間并導(dǎo)致較弱的信號(hào)品率,由于沒有暗電流和讀出噪音,PILATUS3 R探測(cè)器超過了實(shí)驗(yàn)室的所有其他技術(shù)不斷發展。單光子計(jì)數(shù)不含所有其他噪聲源以及CMOS電容檢測(cè)器內(nèi)置的不準(zhǔn)確性積極影響,例如復(fù)位噪聲和非線性電荷響應(yīng)。相反緊密協作,由DECTRIS Instant Retrigger Technology提供動(dòng)力的計(jì)數(shù)電子設(shè)備越來越重要?結(jié)合精確的計(jì)數(shù)率校正提供寬泛的線性范圍,*兼容所有實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用和*的X射線源發揮重要作用。
       具有挑戰(zhàn)性的實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用(如電荷密度研究和配對(duì)分布函數(shù)分析)依靠硬輻射和具有出色信噪比的數(shù)據(jù)醒悟,PILATUS3 R CdTe探測(cè)器系列提供了高效直接探測(cè)和無噪聲單光子計(jì)數(shù)的*組合數據顯示,并且是實(shí)驗(yàn)室中這些要求的匹配。


2也逐步提升、核心優(yōu)勢(shì)
     - Mo記得牢,Ag和In量子效率> 90%
     - 直接檢測(cè)清晰的空間分辨率
     - 沒有讀出噪音,也沒有黑暗信號(hào)達(dá)到精度
     - 高動(dòng)態(tài)范圍
     - 熒光背景抑制
     - 的計(jì)數(shù)率
     - 同步輻射證明的輻射硬度
     - 免維護(hù)運(yùn)行
     - 高可靠性:沒有容易發(fā)生故障的密封或復(fù)雜重要的作用,冷卻至室溫以下


 3蓬勃發展、應(yīng)用領(lǐng)域
     - 電荷密度分析
     - 配對(duì)功能(PDF)分析
     - 高分辨率化學(xué)結(jié)晶學(xué)
     - 高壓/高溫XRD
     - 關(guān)鍵尺寸SAXS
     - 計(jì)算機(jī)斷層掃描(CT)

     - 無損檢測(cè)(NDT)


4、技術(shù)參數(shù): 

PILATUS3   R CdTe

300K

300K-W

探測(cè)器模塊數(shù)量

1 × 3

3 x 1

有效面積:寬×高   [mm2]

83.8 × 106.5

253.7 x 33.5

像素大小 [μm2]

172 x 172

總像素?cái)?shù)量

487 × 619

1475 × 195

間隙寬度, 水平/垂直(像素)

*每個(gè)模塊之間水平間隙增加1個(gè)像素

- */ 17

7* / -

非靈敏區(qū) [ % ]

5.7

1.1

缺陷像素

< 0.1%

大幀頻 [Hz]

20

讀出時(shí)間 [ms]

7

點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)

1 pixel(FWHM)

計(jì)數(shù)器深度

20 bits(1,048,576 counts)

功耗 [W]

30

尺寸(WHD)[mm3]

158 x 193 x 262

280 x 62 x 296

重量 [kg]

7.5

7.0

模塊冷卻

水冷

外接觸發(fā)電壓

5V TTL



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