本測試儀內(nèi)存窗口信息是基于對器件*集成后進(jìn)行模擬電滯回線測量后得出的技術交流。
鐵電隨機(jī)存儲器測試儀應(yīng)用領(lǐng)域：
鐵電存儲器的生產(chǎn)
生產(chǎn)過程中的質(zhì)量控制先進的解決方案，以便不會影響到CMOS生產(chǎn)過程
在MHz的操作速度下，單級電滯回線數(shù)據(jù)
鐵電隨機(jī)存儲器測試儀優(yōu)點：
生產(chǎn)過程的工藝優(yōu)化
在MHz范圍的時間影響測試
適用于2T-2C 設(shè)計和1T-1C設(shè)計
從模擬測試數(shù)據(jù)得出內(nèi)存窗口信息
客戶可定制測試環(huán)境
升級服務(wù)
客戶支持
程序功能：
可以在單一器件上進(jìn)行電滯回線創造更多、PUND脈沖測試等測試過程宣講活動。
上升時間*低可實現(xiàn)1μm，自定義的測試脈沖可以用于測試不同類型的失效機(jī)制工藝技術。預(yù)極化脈沖參數(shù)可以在測試序列里單獨設(shè)置效率。
可以使用Access Time程序進(jìn)行相同脈沖強(qiáng)度下不同幅值相同脈沖寬度或相同脈沖幅值不同脈沖寬度的測試。
這些測試是基于*的技術(shù)：原位寄生電容補(bǔ)償近年來。
特點：
FeRAM測試儀是用來記錄測試單元電滯回線的講道理，測試儀生成所需要的時間。
如果芯片的布局發(fā)生變化總之，可以自動獲取材料特性較大的陣列面向。這種情況下支撐作用，測試儀是用一個開關(guān)盒和一個探針臺工作的研學體驗。軟件可以自動調(diào)整設(shè)置的參數(shù)。
參數(shù)的統(tǒng)計評價是通過aixPlorer完成的最為突出。
FeRAM測試儀的優(yōu)點就是可以使重要信息流程化落實落細，從而提高產(chǎn)量，降低了成本高效化，從而減少了產(chǎn)品上市的時間製高點項目。相關(guān)的數(shù)字結(jié)果和模擬實驗提供了重要信息。
FeRAM測試儀擁有高分辨測量和速度到微秒的測量功能範圍和領域。
本測試儀內(nèi)存窗口信息是基于對器件*集成后進(jìn)行模擬電滯回線測量后得出的有所增加。
鐵電隨機(jī)存儲器測試儀應(yīng)用領(lǐng)域：
鐵電存儲器的生產(chǎn)
生產(chǎn)過程中的質(zhì)量控制各項要求，以便不會影響到CMOS生產(chǎn)過程
在MHz的操作速度下，單級電滯回線數(shù)據(jù)
鐵電隨機(jī)存儲器測試儀優(yōu)點：
生產(chǎn)過程的工藝優(yōu)化
在MHz范圍的時間影響測試
適用于2T-2C 設(shè)計和1T-1C設(shè)計
從模擬測試數(shù)據(jù)得出內(nèi)存窗口信息
客戶可定制測試環(huán)境
升級服務(wù)
客戶支持
程序功能：
可以在單一器件上進(jìn)行電滯回線越來越重要的位置、PUND脈沖測試等測試過程新技術。
上升時間*低可實現(xiàn)1μm，自定義的測試脈沖可以用于測試不同類型的失效機(jī)制順滑地配合。預(yù)極化脈沖參數(shù)可以在測試序列里單獨設(shè)置深入。
可以使用Access Time程序進(jìn)行相同脈沖強(qiáng)度下不同幅值相同脈沖寬度或相同脈沖幅值不同脈沖寬度的測試。
這些測試是基于*的技術(shù)：原位寄生電容補(bǔ)償前沿技術。
特點：
FeRAM測試儀是用來記錄測試單元電滯回線的基礎，測試儀生成所需要的時間。
如果芯片的布局發(fā)生變化多種方式，可以自動獲取材料特性較大的陣列對外開放。這種情況下，測試儀是用一個開關(guān)盒和一個探針臺工作的邁出了重要的一步。軟件可以自動調(diào)整設(shè)置的參數(shù)有序推進。
參數(shù)的統(tǒng)計評價是通過aixPlorer完成的。
FeRAM測試儀的優(yōu)點就是可以使重要信息流程化需求，從而提高產(chǎn)量堅定不移，降低了成本，從而減少了產(chǎn)品上市的時間更讓我明白了。相關(guān)的數(shù)字結(jié)果和模擬實驗提供了重要信息迎難而上。
FeRAM測試儀擁有高分辨測量和速度到微秒的測量功能。
