Q-開關(guān)

Q-Switches

Quantum Technology生產(chǎn)三種類型的普克爾斯盒，使用高質(zhì)量的無應(yīng)變的光電晶體材料：

1)系列-QS橫向電極(TE)BBO 晶體普克爾斯盒(200 nm - 1064 nm)高速鍛造、高平均功率切換競爭激烈。

2)系列-QC環(huán)電極(重新)KD * P晶體普克爾斯盒(300 nm - 1064 nm)低損耗腔內(nèi)切換。

3)系列-LN (TE型)鈮酸鋰晶體普克爾斯盒(800 nm - 2500 nm)Q-開關(guān)和調(diào)制改善。

1)系列-QS BBO Super-Switches低插入損耗空白區，無共振操作，承受能力超過平均20千瓦/ cm²(CW)信息化。AC四分之一波長的電壓3毫米孔徑是4.0 KV 在1064nm形勢。腔外使用，兩個晶體模型QS-3-2建議4.0 KV的半波電壓充分發揮。隨著波長降低選擇適用，這個電壓線性下降管理。*的特點是它的極低電容小于2 pF設計，給快速上升時間在一個50歐姆阻抗系統(tǒng)中。偏硼酸鋇有高的損傷閾值改進措施。晶體面AR涂層是聚合物涂層和BBO放置在AR涂層窗口就此掀開。模型QS-3是理想的Q-開關(guān)的高功率緊湊二極管泵浦固體激光器在亞納秒速度。

2)系列-QC普克爾斯盒利用晶體含重氫的兩個級別今年，95%的KD * P和99% 的KD * P穩步前行。個類型是適合開關(guān)紅寶石激光器(典型的四分之一波長電壓2.2 KV)。第二種類型是有用的Nd:YAG激光器(典型的四分之一波長電壓3.2 KV)動手能力。這些行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)Q-開關(guān)在干或濕的版本是可用的逐步改善。晶體是涂有聚合物涂層在干燥操作或index-matched低損耗在一個封裝與AR涂層窗口。QC-10是35毫米的直徑提升，長度是45 mms大大提高。兩個晶體設(shè)備，如QC-10-2可用在大多數(shù)模型為較低半波電壓操作研究成果。

3)系列-LN 普克爾斯盒內(nèi)腔式Q開關(guān)的孔徑9 mms(LN-9)和16 mms(LN-16)取得了一定進展。模型LN-9需要DC切換1.5千伏的電壓在1064nm。其他模型LN-16需要切換2千伏的電壓在1064nm大面積。這些都是干式AR涂層表面積極參與，AR 窗口。

4)模型QB-8是一個布魯斯特KD * P普克爾斯盒對低損耗和高光功率處理能力為8毫米激光束有望。這些和其他的修改可以在所有的模型來提高其效用進一步推進。

5)模型MC-10 是一種阻抗匹配KD * P普克爾斯盒為皮秒光脈沖上升時間光學(xué)脈沖發(fā)生器在終止的在50歐姆(低VSWR)和由一個合適的高壓電源。MC模型僅在單晶版本可用方案。

6)模型LAP是一個50毫米大孔徑KD * P普克爾斯盒示範推廣。

7)普克耳斯盒RTP晶體可用堅持好。

普克爾斯盒規(guī)格：