VDP6800霍爾效應測試儀除了用來判斷半導體材料之型態(tài)（n或p）以外深入交流研討，它也可應用于LED磊晶層的質量判定資料，也可以用來判斷在HEMT組件中二維電子氣是否形成，此未還可以用于太陽能電池片的制程輔助關註度。 可說是一套功能強大橫向協同、應用廣泛的系統(tǒng)，再加上平實的價格敢於挑戰， 相信必能受到各界用戶之肯定與愛用不斷創新。

 VDP6800霍爾效應測試儀

儀器簡介：

中國臺灣智果公司VDP6800霍爾效應測試儀為性能穩(wěn)定、功能強大提供了遵循、性價比高的霍爾效應儀,在國內高校參與水平、研究所及半導體業(yè)界擁有廣泛的用戶和度。

霍爾效應測試儀輕巧方便服務效率，易于攜帶明確相關要求，主要用于量測電子材料之重要特性參數(shù)，如載流子濃度統籌發展、遷移率深化涉外、電阻率、霍爾系數(shù)等創新科技，薄膜或體材料均可服務延伸，其原理主要依據(jù)范德堡法則。 

除了用來判斷半導體材料之型態(tài)(n或p)以外具有重要意義，它也可應用于LED磊晶層的質量判定進一步，也可以用來判斷在HEMT組件中二維電子氣是否形成，此未還可以用于太陽能電池片的制程輔助強大的功能。 可說是一套功能強大實際需求、應用廣泛的系統(tǒng)，再加上平實的價格優勢， 相信必能受到各界用戶之肯定與愛用善謀新篇。

共有三種配置： 常溫；常溫+低溫；常溫+低溫+四點探針系統(tǒng)還不大。

目前廣泛應有于大學高產，研究所和半導體廠商。

 技術參數(shù)：

磁場強度：0.65T; 

常溫和液氮溫度(77K)下測量; 

輸出電流：2nA-100mA; 

遷移率(cm2/Volt-sec): 1~10⁷

電阻率(Ohms.cm):  10^-5 to 10⁷ 

載流子濃度(cm-3):  10⁷~10²¹ (cm^-3)

樣品夾具： VDP6800彈簧樣品夾具(免去制作霍爾樣品的麻煩)發揮作用；

測量材料：所有半導體材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可測量) 

 主要特點：

1良好、高精密度電流源 

輸出電流之精確度可達2nA，如此微小之電流可用于半絕緣材料之量測銘記囑托，即高電阻值材料之量測引領。 

2、高精密度電表 

使用超高精度電表示範，電壓量測能力可達nV等級應用前景，上限可達300V，極適合用于量測低電阻值材料運行好。 

3首次、外型精簡、操作簡單 

外型輕巧統籌推進、美觀大方方案，磁鐵組之極性更換也很靈活容易關鍵技術，*之液氮容器設計了解情況，可確保低溫量測之穩(wěn)定性。 

4技術研究、I-V曲線 

采用圖表的方式重要的，測量探針四點(A、B姿勢、C相互融合、D)間電流-電壓曲線，藉此評判樣品的歐姆接觸好壞綠色化。 

5不同需求、單純好用之操作畫面 

使用者只需在同一張操作畫面中，就可以完成所有的設定保持穩定，實驗結果由軟件自動計算得到總之，并在同一張畫面中顯示出來，省卻畫面切換的麻煩支撐作用，結果可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)研學體驗、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)效高性、電阻率(Resistivity)模式、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、等重要實驗數(shù)據(jù)。 

6高品質、自行開發(fā)之彈簧樣品夾具不折不扣，特殊設計之彈簧探針，其強度加強可改善探針與接觸點之電氣接觸資源優勢，提高量測之可靠度有效保障。

7、可集成四點探針

 應用領域： 

所有半導體材料長效機製，包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可測量) 

  典型用戶