半導體激光外延片
歐屹科技十余年來耕耘于半導體激光領(lǐng)域新技術，與日本，英國順滑地配合，美國，德國等半導體激光芯片外延廠商合作問題，無論是單管激光芯片逐漸顯現，還是bars,stack芯片都可以提供，主要尺寸包括2吋系統穩定性，4吋拓展基地，6吋芯片，波長從405nm-1200nm實力增強，探測器芯片也可以提供體系流動性，歐屹科技為您提供性價比高的產(chǎn)品和服務。

半導體激光外延片

       歐屹科技十余年來耕耘于半導體激光領(lǐng)域帶來全新智能，與日本實現了超越，英國，美國去完善，德國等半導體激光芯片外延廠商合作橋梁作用，無論是單管激光芯片，還是bars,stack芯片都可以提供求索，主要尺寸包括2吋讓人糾結，4吋，6吋芯片穩定發展，波長從405nm-1200nm基石之一，探測器芯片也可以提供，歐屹科技為您提供性價比高的產(chǎn)品和服務增持能力。

半導體激光外延片用于制備器件：

• 半導體激光器: 波長范圍405nm - 1,200 nm

• 面發(fā)射器件：VCSELs 和 VECSELs

• 發(fā)光二極管：RCLEDs共同努力、LEDs和SLEDs

• Schottky二極管

• 光電探測器

主要特征： 

• 多種外延材料和外延結(jié)構(gòu)

• 高可靠性

• 高一致性

• 根據(jù)客戶要求客戶定制

主要優(yōu)點：

• 開發(fā)周期短

• 靈活而可靠

• 低開發(fā)成本

• 交貨期快

• 有競爭力的價格

另外也可以提供國內(nèi)高功率激光器或探測器芯片。