世界*薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng)薄弱點，又名薄膜應(yīng)力計或薄膜應(yīng)力儀！MOS美國技術(shù)優化程度！曾榮獲2008 Innovation of the Year Awardee積極性！ 采用非接觸MOS激光技術(shù)；不但可以精確的對樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計分析不斷豐富，而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力實施體系、曲率成像分析；并且這種設(shè)計始終保證所有陣列的激光光點始終在同一頻率運動或掃描各有優勢，從而有效的避免了外界振動對測試結(jié)果的影響效果較好；同時大大提高了測試的分

實時原位薄膜應(yīng)力儀：同樣采用*的MOS技術(shù)，可裝在各種真空沉積設(shè)備上（如：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects）持續，對于薄膜生長過程中的應(yīng)力變化進(jìn)行實時原位測量和二維成像分析開拓創新；

技術(shù)參數(shù)：

薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng)，薄膜應(yīng)力測試儀必然趨勢，薄膜應(yīng)力計促進善治，薄膜應(yīng)力儀，Film Stress Tester, Film Stress Measurement System;

1.XY雙向程序控制掃描平臺掃描范圍：200mm多樣性；300mm (XY)（可選）發揮效力；

2.XY雙向掃描速度：zui大20mm/s；

3.XY雙向掃描平臺掃描zui小步進(jìn)/分辨率：2 μm 落到實處；

4.薄膜應(yīng)力測量范圍：5×10⁵到4×10¹⁰dynes/cm²（或者5×104Pa to 4×109Pa）服務水平；

5.薄膜應(yīng)力測量分辨率：優(yōu)于0.1MPa;

6.測量精度：優(yōu)于±0.1%；

7.測量重復(fù)性：優(yōu)于0.1%技術創新；

8.平均曲率分辨率：< 2e-5 (1/m) 1-sigma (100km radius) ；

9.平均曲率重復(fù)性：<2×10e-5 1/m重要作用；

主要特點：

1.程序化控制掃描模式：單點掃描持續向好、選定區(qū)域、多點線性掃描充足、全面積掃描進展情況；

2.成像功能：樣品表面2D曲率成像的積極性，定量薄膜應(yīng)力2D成像分析； 
3.測量功能：薄膜應(yīng)力至關重要、翹曲不久前、曲率半徑等；
4.支持變溫?zé)釕?yīng)力測量功能提升行動，溫度范圍-65C to 1000C能力建設；
5.薄膜殘余應(yīng)力測量；