上市時(shí)間：2018年9月
(1)采用單色激發(fā)能量色散X射線熒光 (Monochromatic Excitation Beam Energy Dispersive X-Ray Fluorescence) 分析技術(shù)估算，就是用光學(xué)器件將X射線光管出射譜單色化，進(jìn)而使得熒光光譜的連續(xù)散射背景*地降低的可能性，同時(shí)盡可能少的降低甚至于增加所需激發(fā)X射線的單色化的線或窄能量帶的強(qiáng)度不要畏懼，從而大大降低了檢出限。相比傳統(tǒng)的EDXRF降低了1至2個(gè)數(shù)量級(jí)問題，相比大功率（如4kw）的WDXRF也要低得多逐漸顯現。 (2)光學(xué)器件采用對(duì)數(shù)螺線（Logarithmic Spiral）旋轉(zhuǎn)點(diǎn)對(duì)點(diǎn)聚焦雙曲面人工晶體DCAC（Doubly Curved Artificial Crystals），*衍射條件的發展機遇，雖然聚焦不是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的長效機製，而是點(diǎn)對(duì)面的，但由于這個(gè)面很小全技術方案，可認(rèn)為是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的分享。它用的是DM人工晶體，該晶體的積分衍射率是天然晶體的3到10倍信息化，所以該晶體的效率是目前世界上zui高的方式之一。另外，它只需彎曲無(wú)需磨制和拼接新型儲能，制造方便創新能力。相比現(xiàn)有的半聚焦（Johann）DCC，全聚焦（Johansson）DCC等效率更高範圍，成本更低溝通機製。 (3)DM2400的低檢測(cè)限（300s）：Si: 0.5ppm，P: 0.25ppm註入新的動力，S: 0.12ppm領先水平，Cl: 0.08ppm。為已有產(chǎn)品的1/2雙重提升。
MEDXRF輕元素（Si戰略布局、P、S表現明顯更佳、Cl）光譜儀
滿足國(guó)Ⅴ狀態、國(guó)VI對(duì)車用汽柴油超低S檢測(cè)要求
超低檢測(cè)限（300s）：
Si: 0.7ppm， P: 0.4ppm指導，S: 0.15ppm廣泛認同，Cl: 0.08ppm
采用
單色激發(fā)能量色散X射線熒光(MEDXRF)分析技術(shù)
高衍射效率對(duì)數(shù)螺線旋轉(zhuǎn)雙曲面(LSDCC)人工晶體
高計(jì)數(shù)率(2Mcps)和分辨率(123eV)的SDD探測(cè)器
合理 kV、mA、靶材組合的微焦斑薄鈹窗X射線管
符合標(biāo)準(zhǔn)：
GB/T 11140
ISO 20884
ASTM D2622
ASTM D7039
ASTM D7220
ASTM D7757
ASTM D7536
ISO 15597
ASTM D6481
概述
DM2400型單色激發(fā)能量色散X射線熒光輕元素（Si鍛造、P競爭激烈、S、Cl）光譜儀改善，簡(jiǎn)稱DM2400型MEDXRF輕元素光譜儀空白區，是本公司集數(shù)十年X熒光光譜儀的研究經(jīng)驗(yàn)，在公司原有的DM系列X熒光測(cè)硫儀信息化、X熒光多元素分析儀開放要求、波長(zhǎng)色散X射線熒光多道光譜儀等的基礎(chǔ)上研制推出的一種達(dá)到*水平的XRF光譜儀。它采用以下技術(shù)和器件平臺建設，使采用50W光管的能譜儀DM2400具有出色的再現(xiàn)性和穩(wěn)定性服務機製，超低檢出限，實(shí)已將現(xiàn)代科技發(fā)揮到極限使用。
單色激發(fā)能量色散X射線熒光(MEDXRF)分析技術(shù)
X射線熒光光譜儀的檢出限LOD（limit of detection）是指由基質(zhì)空白所產(chǎn)生的儀器背景信號(hào)標(biāo)準(zhǔn)偏差的3倍值的相應(yīng)量大幅拓展，即：
（1）
式中，Rb為背景（本底）計(jì)數(shù)強(qiáng)度優化程度，N為已知濃度為C的低濃度試樣的計(jì)數(shù)強(qiáng)度，T為測(cè)量時(shí)間奮勇向前。從式（1）可以看出檢出限與靈敏度（N-Rb）/C成反比不斷豐富，與背景Rb的平方根成正比。在測(cè)量時(shí)間一定的情況下要降低檢出限組建，就必須提高靈敏度和（或）降低背景各有優勢。
傳統(tǒng)XRF，無(wú)論是EDXRF還是WDXRF重要的意義，無(wú)法實(shí)現(xiàn)較低檢出限的一個(gè)主要原因是X射線光管出射譜中連續(xù)軔致輻射的散射使得熒光光譜的連續(xù)散射背景較高持續。
單色激發(fā)能量色散X射線熒光 (Monochromatic Excitation Beam Energy Dispersive X-Ray Fluorescence) 分析技術(shù)，就是采用光學(xué)器件將X射線光管出射譜單色化再獲，進(jìn)而使得熒光光譜的連續(xù)散射背景*地降低產品和服務，同時(shí)盡可能少的降低甚至于可能的話增加所需激發(fā)X射線的單色化的線或窄能量帶的強(qiáng)度，從而大大降低了檢出限體驗區。相比傳統(tǒng)的EDXRF降低了1至2個(gè)數(shù)量級(jí)增多，相比大功率（如4kw）的WDXRF也要低得多。
高衍射效率對(duì)數(shù)螺線旋轉(zhuǎn)點(diǎn)對(duì)點(diǎn)聚焦人工單色晶體
將X射線光管出射譜單色化的方法很多有望，有濾波片法進一步推進，二次靶法和衍射法等。而衍射法中的雙曲面衍射晶體DCC（Doubly CurvedCrystals）是單色化超好和效率zui高的方案。
衍射必須滿足Bragg定律：
nλ=2dsinθ （2）
也就是說(shuō)從源出射的射線其波長(zhǎng)必須滿足（2）式才被衍射應用的選擇，所以其具有*的單色化。又由于DCC能將點(diǎn)源聚焦，所以有大的收集立體角背景下，從而有*的效率綜合措施。另外，聚焦還能使照射到樣品的光斑很小等特點，從而使小面積的半導(dǎo)體探測(cè)器Si-PIN或SDD可以接受大部分樣品較小面中的熒光射線的積極性，也就是說(shuō)DCC還提高了探測(cè)效率。
DCC按其曲面又分為半聚焦（Johann）至關重要，全聚焦（Johansson）和對(duì)數(shù)螺線（Logarithmic Spiral）等不久前。其中半聚焦只是部分滿足衍射條件，所以經(jīng)半聚焦DCC單色化的特征X射線入射譜是差的提升行動。全聚焦是*衍射條件且是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)聚焦的能力建設。但全聚焦DCC的制造工藝極其復(fù)雜，除彎曲外它必須有一個(gè)磨成R曲面的過(guò)程研究進展，天然晶體如Si無障礙，Ge等是很脆的，極不容易磨制快速融入，而人工晶體是不可能磨制的認為，另外天然晶體通常在非常窄的光譜區(qū)域中衍射X射線。導(dǎo)致靶材特征X射線只有一部分被衍射增強，積分衍射率低
MEDXRF輕元素（Si重要意義、P、S更加廣闊、Cl）光譜儀采用的對(duì)數(shù)螺線旋轉(zhuǎn)雙曲面人工晶體DM30L規劃，是集本公司技術(shù)精英經(jīng)2年的刻苦專研研制而成的專屬產(chǎn)品。對(duì)數(shù)螺線DCC也是*衍射條件的可以使用，雖然聚焦不是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的進入當下，而是點(diǎn)對(duì)面的，但由于這個(gè)面很小效高化，一般只有2mm左右新體系，所以可認(rèn)為是點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的。它用的是DM人工晶體創造，該晶體的積分衍射率是天然晶體的3到10倍長效機製，所以該晶體具有*的效率。另外全技術方案，它只需彎曲無(wú)需磨制和拼接分享，制造方便。
高分辨率(123eV)高計(jì)數(shù)率(2 Mcps)的SDD探測(cè)器
X射線探測(cè)器的種類有很多信息化，有正比計(jì)數(shù)管方式之一，Si-PIN探測(cè)器和硅漂移探測(cè)器SDD等。探測(cè)器的分辨率以*峰的半寬度表示，*峰的凈計(jì)數(shù)與半寬度無(wú)關(guān)有力扭轉，但其背景計(jì)數(shù)與半寬度成正比上高質量，所以分辨率越高則檢出限越低。正比計(jì)數(shù)管的半寬度是半導(dǎo)體探測(cè)器的8倍左右廣度和深度，所以檢出限高8的平方根倍左右深入交流。Si-PIN的分辨率比SDD的稍差，且其在高計(jì)數(shù)率下分辨率急劇下降加強宣傳。所以SDD是其中的臺上與臺下。
DM2400采用德國(guó)KETEK公司生產(chǎn)的VITUS H20 CUBE(高級(jí))SDD探測(cè)器，其分辨率小于123eV技術發展，有效探測(cè)面積20mm2集聚效應，計(jì)數(shù)率2 Mcps。
kV重要手段、mA互動講、靶材組合的微焦斑薄鈹窗X射線管
激發(fā)樣品的X射線能量越接近所需分析元素的吸收限，其激發(fā)效率就越高像一棵樹。DM30L晶體僅衍射X射線管出射譜中的高強(qiáng)度特征X射線過程中，其有靶材發(fā)出。所以合理的選用靶材能得到zui高的激發(fā)效率能運用。DM2400標(biāo)準(zhǔn)型由于可測(cè)量Cl以下的元素達到，所以選擇Ag作為靶材。
選定靶材后工具，在X射線光管大功率一定的情況下智慧與合力，如50W喜愛，合理的光管高壓（kV）和電流（mA）組合能達(dá)到大的激發(fā)效率重要的角色。由于采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的聚焦，所以必須采用微焦斑的X光管向好態勢。由于靶材的特征X射線能量很低平臺建設，所以必須用薄鈹窗X射線管。
DM2400采用50W微焦斑薄鈹窗X射線管貢獻力量，標(biāo)準(zhǔn)型選用Ag靶使用，并對(duì)kV、mA進(jìn)行良好組合發行速度。
標(biāo)定
用已知含量的7個(gè)含Si更加堅強、P、S結構、Cl樣品對(duì)儀器進(jìn)行標(biāo)定更適合，得圖5的工作曲線。
這些工作曲線的相關(guān)系數(shù)γ 均大于0.999，表示DM2400光譜儀的線性誤差極小要素配置改革。
準(zhǔn)確度
為了進(jìn)一步測(cè)試分析的準(zhǔn)確性體系，制備了具有不同硫含量的柴油和輕質(zhì)油的五個(gè)樣品，每個(gè)樣品裝入兩個(gè)不同的樣品杯中進(jìn)行S準(zhǔn)確度試驗(yàn)：
表2. 用五個(gè)未知樣品測(cè)定S分析的準(zhǔn)確度結(jié)果
樣品 | 標(biāo)稱值（ppm） | 1號(hào)樣品杯（ppm） | 2號(hào)樣品杯（ppm） |
柴油5 | 5 | 4.91 | 4.82 |
柴油3 | 3 | 3.02 | 3.05 |
汽油2 | 2 | 2.12 | 2.00 |
汽油10 | 10 | 10.8 | 10.2 |
汽油25 | 25 | 24.5 | 25.2 |
表2示出了獲得的濃度結(jié)果（ppm）帶動產業發展，以及與標(biāo)稱值的比較責任製。這些結(jié)果表示在低濃度水平下，用DM2400光譜儀可以實(shí)現(xiàn)S的優(yōu)異的準(zhǔn)確度倍增效應。
精確度
對(duì)三種規則製定，每種各裝入七個(gè)不同樣品杯的汽油樣品進(jìn)行S重復(fù)性試驗(yàn)：
表1. S汽油樣品S分析的重復(fù)性測(cè)試數(shù)據(jù)
樣品杯 號(hào) | 第1種樣品（ppm） | 第2種樣品（ppm） | 第3種樣品（ppm） |
1 | 1.15 | 5.31 | 10.32 |
2 | 1.08 | 4.92 | 9.89 |
3 | 0.90 | 5.05 | 10.11 |
4 | 0.93 | 4.78 | 9.67 |
5 | 1.01 | 4.88 | 9.51 |
6 | 1.03 | 5.16 | 9.90 |
7 | 0.97 | 5.26 | 9.81 |
平均值 | 1.01 | 5.05 | 9.89 |
標(biāo)準(zhǔn)偏差 | 0.086 | 0.201 | 0.269 |
RSD | 8.6% | 4.00% | 2.69% |
這些結(jié)果表示在低濃度水平下，用DM2400光譜儀可以實(shí)現(xiàn)S的優(yōu)異的重復(fù)性多樣性。
特點(diǎn)
快速同時(shí)–所需測(cè)量元素同時(shí)快速分析發揮效力，一般幾十秒給出含量結(jié)果。
低檢出限–采用*MEDXRF技術(shù)明顯，LSDCC核心技術(shù)安全鏈，達(dá)到超低檢出限。具*的重現(xiàn)性和再現(xiàn)性創新為先。
*穩(wěn)定–采用可變?cè)鲆鏀?shù)字多道,有PHA自動(dòng)調(diào)整真正做到、漂移校正、偏差修正等功能創新延展，具*的*穩(wěn)定性強化意識。
環(huán)保節(jié)能–射線防護(hù)達(dá)豁免要求。分析時(shí)不接觸不破壞樣品基本情況，無(wú)污染現場，無(wú)需化學(xué)試劑，也不需要燃燒力量。
使用方便–觸摸屏操作我有所應。樣品直接裝入樣品杯，放入儀器后只需按[啟動(dòng)]鍵即可深入實施，真正實(shí)現(xiàn)一鍵操作至關重要。
高可靠性–一體化設(shè)計(jì)，集成化程度高效果，環(huán)境適應(yīng)能力強(qiáng)應用的因素之一，抗*力強(qiáng)，可靠性高預期。
高性價(jià)比–無(wú)需鋼瓶氣體敢於監督，運(yùn)行維護(hù)成本極低。價(jià)格為國(guó)外同類產(chǎn)品的一半結構。是真正的高性價(jià)比產(chǎn)品重要的作用。
適用范圍
適用于煉油廠適應能力、檢測(cè)及認(rèn)證機(jī)構(gòu)、油庫(kù)各方面、實(shí)驗(yàn)室測(cè)量范圍從0.5ppm到10%的各種油品(如汽油防控、柴油、重油適應性、殘?jiān)剂嫌偷?堅實基礎、添加劑、含添加劑潤(rùn)滑油重要作用、以及煉化過(guò)程中的產(chǎn)品等地。
亦適用于各行各業(yè)任何材料中Cl以下元素的同時(shí)測(cè)量
主要技術(shù)指標(biāo)
測(cè)量元素 | Si、P尤為突出、S規定、Cl(可選擇B～Cl中的任意元素組合) |
X射線管 | 電壓：≤50keV，電流：≤2mA空間載體，功率≤50W高質量，靶材：Ag（Mo、Rh重要組成部分、Pd流程、Cr等可選） |
探測(cè)器 | SDD，有效面積：20mm2勃勃生機，分辨率：≥123eV助力各業，計(jì)數(shù)率：≤2Mcps，入射窗：8μm鈹 （AP3.3可選） |
檢測(cè)限（300s） | Si：0.12ppm提供有力支撐，P：0.7ppm應用，S：0.26ppm，Cl：0.14ppm（標(biāo)準(zhǔn)型品率，1塊LSDCC晶體） Si：0.7ppm相貫通，P：0.4ppm，S：0.15ppm在此基礎上，Cl：0.08ppm（增強(qiáng)型助力各行，3塊LSDCC晶體） |
測(cè)量范圍 | 檢測(cè)限的3倍～9.99% |
線性誤差 分析精度 | 測(cè)S：滿足GB/T 11140前來體驗，ISO20884自主研發，SH/T 0842，ASTMD2622更加廣闊、D7039損耗、D7220等的相關(guān)要求。 測(cè)Si：滿足ASTM D7757非常完善，SH/T 0706性能穩定，SH/T 0058等的相關(guān)要求全面革新。測(cè)Cl：滿足ASTM D7536，ISO 15597情況正常，SH/T 0161等的相關(guān)要求行業分類。測(cè)P：滿足ASTM D6481，SH/T 0296提高鍛煉，SH/T 0631等的相關(guān)要求發展邏輯。 |
系統(tǒng)分析時(shí)間 | 1～999s，*值：微量測(cè)量為300s有所提升，常量測(cè)量為60s |
使用條件 | 環(huán)境溫度：5～40℃聽得進，相對(duì)濕度：≤85%(30℃)，供電電源：220V±20V先進水平，50Hz便利性，≤200W |
測(cè)量氛圍 | 自充氣系統(tǒng)或氦氣 |
尺寸及重量 | 540mm×500mm×450mm，35kg |
注：如用戶認(rèn)為標(biāo)準(zhǔn)型的DM2400不能滿足要求重要平臺，可向本公司提出深刻認識，本公司可盡可能滿足用戶的要求。如要求更低的檢測(cè)限應用提升，本公司可將晶體從1塊增加到3塊以降低檢測(cè)限為原來(lái)的1/1.73高效。如要求測(cè)量F以下原子序數(shù)的元素，本公司可為用戶選擇AP3.3入射窗的SDD要素配置改革。如用戶要在高S的基體下測(cè)微量Al和Si體系，本公司可將標(biāo)準(zhǔn)型的Ag靶改為Mo靶，以滿足用戶要求帶動產業發展。
