深能級瞬態(tài)光譜（DLTS）是現(xiàn)在一種非常通用的技術(shù)，用于測定與陷阱相關(guān)的幾乎所有參數(shù)搖籃，包括密度技術、熱界面（熱發(fā)射率）、能級和空間剖面推動。

半導(dǎo)體技術(shù)的一個重要目標(biāo)是減少構(gòu)成所有半導(dǎo)體器件中相對較高，晶體、多晶和非晶層中固有的和由工藝引起的缺陷信息。雜質(zhì)大幅增加、晶界、晶面等引起的缺陷導(dǎo)致陷阱的產(chǎn)生傳承，陷阱可以俘獲自由電子和空穴等特點。即使?jié)舛确浅５停葳逡材?地改變設(shè)備的性能形式。深能級瞬態(tài)光譜(DLTS)是現(xiàn)在一種非常通用的技術(shù)建設應用，用于測定與陷阱相關(guān)的幾乎所有參數(shù)支撐作用，包括密度日漸深入、熱界面（熱發(fā)射率）、能級和空間剖面同時。

主要特點(diǎn)

●快速而靈敏地檢測半導(dǎo)體中的電活性缺陷

●高靈敏度：體陷阱檢測限< 10⁹ atoms/cm³互動式宣講；

●具有低至3微秒的快速響應(yīng)時(shí)間

●具有對過載的快速恢復(fù)能力以及對泄露電流的高免疫能力

●快速溫度掃描能力：每8分鐘100K且不影響靈敏度

●高達(dá)60dB的背景電容抑制能力度 

●數(shù)字采集包括：16位分辨率，1毫秒的采樣增量模式，50倍的時(shí)間跨度自動化，和不限平均點(diǎn)數(shù)的平均瞬態(tài)

●單次溫度掃描可同時(shí)記錄不同發(fā)射率窗下的8幅譜圖

主要應(yīng)用

  ●PN結(jié)                 ●肖特基二極管

  ●MOS管             ●LED

  ●場效應(yīng)管           ●半導(dǎo)體激光器

  ●高電阻率半絕緣材料