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更新時(shí)間：2025-04-01 11:49:22瀏覽次數(shù)：38評(píng)價(jià)
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STS 系列綜合光電性能測(cè)試系統(tǒng)
產(chǎn)品概述
基于RTS-mini顯微系統(tǒng)而搭建，集成拉曼/熒光/光電流原位測(cè)試功能敢於監督。該系統(tǒng)可原位探測(cè)拉曼幅度、熒光及光電流信號(hào)。配合高精度微米電動(dòng)位移臺(tái)重要的作用，實(shí)現(xiàn)Raman Mapping貢獻，PL Mapping以及激光誘導(dǎo)光電流成像（LBIC)。深度表征材料內(nèi)部的分子振動(dòng)能級(jí)與轉(zhuǎn)動(dòng)能級(jí)結(jié)構(gòu)信息穩中求進，光生載流子的生成與復(fù)合機(jī)制統籌，器件吸收和電荷生成的微區(qū)特性，光電材料界面以及半導(dǎo)體結(jié)區(qū)的品質(zhì)分布等特性協同控製。
STS 系列綜合光電性能測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)
拉曼/拉曼Mapping | 拉曼頻移范圍 | 60-6000cm-1 @532nm激光器 |
共焦方式 | 光纖共聚焦 | |
高靈敏度 | 硅三階拉曼峰的信噪比好于20:1振奮起來，并能觀察到四階峰 | |
空間分辨率 | ≤1μm@100X物鏡，NA0.9利用好，532nm單縱模激光器 | |
光譜CCD探測(cè)器 | 分辨率≥2000x256 量子效率在700nm-870nm區(qū)間處>90%深入各系統， 光譜范圍：200 ~ 1100 nm | |
熒光/熒光壽命成像 | 光譜掃描范圍 | 200-900nm |
最小時(shí)間分辨率 | 16ps | |
熒光壽命測(cè)量范圍 | 500ps-10μs | |
空間分辨率 | ≤1μm@100X物鏡@405nm皮秒脈沖激光器 | |
光電流/光電流成像 | 激光器（光源） | 標(biāo)配532nm激光器，能量穩(wěn)定性1%@4小時(shí) 可選配2路激光器用于光電流測(cè)試 |
數(shù)據(jù)采集 | 電流源表：Keithley 2450 測(cè)量范圍：1nA – 1A 暗噪聲：50pA 分辨率：20fA 準(zhǔn)確度： 0.03% | |
探針臺(tái) | 直徑65mm真空吸附卡盤 探針座和樣品整體二維移動(dòng)尤為突出，方便樣品位置與光斑位置重合 樣品位置單獨(dú)二維移動(dòng)規定，方便同類樣品更換 樣品位置移動(dòng)行程25mm，分辨率5μm 探針座：XYZ行程12mm空間載體，分辨率0.7μm 探針：鎢針，直徑5μm應用情況，10μm保護好，20μm可選 | |
測(cè)試功能 | 光電流掃描（Mapping）：可以設(shè)定固定的電壓，逐點(diǎn)獲取電流值 I-V曲線掃描（Mapping）：可以設(shè)定*定的電壓區(qū)間表現，逐點(diǎn)獲取I-V曲線 | |
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