TTT-SOT 自旋軌道輸運系統(tǒng)
參考價 | ¥1.00 |
- 公司名稱 托托科技(蘇州)有限公司
- 品牌
- 型號 TTT-SOT
- 所在地 蘇州市
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2025/7/25 10:50:38
- 訪問次數(shù) 8
1 | 1.00元 | 1111 件可售 |
參考價 | ¥1.00 |
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自旋軌道輸運系統(tǒng) TTT-SOT
自旋電子學經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展,在非易失性磁存儲方面凸顯出巨大的潛力進行部署,被視為未來存儲設(shè)備的重要方向責任,也被工業(yè)界廣泛重視。它能夠在縮小技術(shù)規(guī)模的同時示範,解決當前電子電路中功率耗散增加的問題應用前景。基于自旋電子學的結(jié)構(gòu)利用電子的自旋自由度運行好,使其具有零待機泄漏首次、低功耗、良好的讀寫性能部署安排、非易失性方案,以及與當前基于CMOS技術(shù)的電子電路易于三維集成的特點。所有這些優(yōu)勢推動了在存儲單元中
自旋軌道輸運系統(tǒng) TTT-SOT
自旋電子學經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展了解情況,在非易失性磁存儲方面凸顯出巨大的潛力深入,被視為未來存儲設(shè)備的重要方向技術研究,也被工業(yè)界廣泛重視。它能夠在縮小技術(shù)規(guī)模的同時開展研究,解決當前電子電路中功率耗散增加的問題姿勢。基于自旋電子學的結(jié)構(gòu)利用電子的自旋自由度首要任務,使其具有零待機泄漏綠色化、低功耗、良好的讀寫性能發展、非易失性保持穩定,以及與當前基于CMOS技術(shù)的電子電路易于三維集成的特點。所有這些優(yōu)勢推動了在存儲單元中使用自旋電子器件的積極研究活動面向,也改變了未來內(nèi)存中處理架構(gòu)的概念支撐作用。
通過對半導體兩端/三端邏輯器件進行一整套完整的電輸運測試,實現(xiàn)磁阻建設項目、正匙顬橥怀?;魻枺闯相結合;魻柛咝Щ?,諧波霍爾測試,脈沖電流驅(qū)動磁疇翻轉(zhuǎn)等為產業發展。獲得待測樣品電學性能參數(shù)範圍和領域,例如霍爾電壓,磁阻各項要求,寫入功耗新趨勢,讀取穩(wěn)定性,有助于分析物理過程的機理講實踐,幫助制造商優(yōu)化MRAM器件的設(shè)計和制造流程數字技術,提高其品質(zhì)和性能指標。
托托科技TTT-SOT是一款自旋軌道輸運系統(tǒng)測量儀器市場開拓,具備測量速度快措施、精度高、操作簡單等優(yōu)點要落實好。
用途:獲取磁性材料的矯頑力緊密相關、飽和磁場,自旋霍爾角先進技術、DMI有效場培訓,快速篩查樣品,輔助調(diào)整樣品制備工藝宣講手段。
應用示例
① 磁阻測試 ② 脈沖驅(qū)動磁疇翻轉(zhuǎn)測試 ③反持匾ぞ?;魻枩y試 ④ 平面霍爾測試 ⑤ 諧波霍爾測試 ⑥ Loop shift表征 DMI有效場測試
產(chǎn)品定位/推薦
該系統(tǒng)的定位是為客戶提供穩(wěn)定積極拓展新的領域、快捷的自旋電輸運測量設(shè)備。如需更多附加功能更優質,例如:磁疇成像相對開放,微區(qū)測量,集成溫控設(shè)備脫穎而出,集成電學測量設(shè)備拓展應用,集成樣品掃描成像等選項,我們建議客戶考慮 TTT-Mag-Kerr Microscope 系列產(chǎn)品結構。
TTT-SOT測試數(shù)據(jù)
1. 磁阻測試
圖1.1 磁阻接線設(shè)置
2. 脈沖驅(qū)動磁疇翻轉(zhuǎn)測試
圖2.1 (a)脈沖驅(qū)動磁疇翻轉(zhuǎn)示意圖管理;(b)電流驅(qū)動磁疇翻轉(zhuǎn)測量反常霍爾回線能力建設;(c)掃描寫入脈沖/Write pulse模樣,用讀取脈沖/Read pulse來采集霍爾電壓,降低熱效應建立和完善;(d)設(shè)備裝置示意圖提供了遵循,器件和水平磁場的夾角為0參與水平;
圖2.2 脈沖驅(qū)動磁疇翻轉(zhuǎn)反炒笮?;魻柦泳€設(shè)置;
圖2.3 脈沖驅(qū)動磁疇翻轉(zhuǎn)測試數(shù)據(jù)
2. 反趁鞔_相關要求;魻枩y試
圖3.1 (a)器件結(jié)構(gòu)(b)反持匾饬x;魻柷€(c)反常霍爾設(shè)備測試設(shè)置
圖3.2 反承袠I內卷;魻柦泳€設(shè)置
圖3.3 面外樣品測試數(shù)據(jù)
圖3.4 面內(nèi)樣品測試數(shù)據(jù)
3. 平面霍爾測試
圖4.1(a)器件結(jié)構(gòu)追求卓越;(b)平面霍爾隨外磁場強度變化曲線;(c)平面霍爾設(shè)備測試設(shè)置參與能力;
圖4.2 平面霍爾接線設(shè)置
圖4.3 平面霍爾測試數(shù)據(jù)
5. 諧波霍爾測試
A.小場諧波霍爾測試
圖5.1 (a)Longitudinal scheme/縱向測量合理需求,transverse scheme/橫向測量;(b)縱向/橫向充分發揮,一階和二階諧波霍爾測量數(shù)據(jù)高質量;(c)設(shè)備裝置示意圖;
圖5.2 諧波霍爾測試接線圖
B.大場諧波霍爾測試
圖5.3(a)Longitudinal scheme/縱向測量選擇適用,一階和二階測量諧波霍爾測量數(shù)據(jù)管理; (b)transverse scheme/橫向測量,一階和二階諧波霍爾測量數(shù)據(jù)業務指導;(c)設(shè)備裝置示意圖改進措施,器件和水平磁場的夾角為4°;
圖5.4 一次諧波霍爾測試數(shù)據(jù)
圖5.5 二次諧波霍爾測試數(shù)據(jù)
C. 面內(nèi)轉(zhuǎn)角諧波霍爾測試
圖5.6 (a)面內(nèi)轉(zhuǎn)角測量SOT諧波霍爾信號示意圖長足發展;(b)一階和二階諧波霍爾測量數(shù)據(jù)今年;(c)設(shè)備裝置示意圖穩步前行;
圖5.7 一次面內(nèi)轉(zhuǎn)角諧波霍爾測試數(shù)據(jù)
圖5.8 二次面內(nèi)轉(zhuǎn)角諧波霍爾測試數(shù)據(jù)
6. Loop shift 表征 DMI 有效場測試
圖6.1 (a) Loop shift表征DMI有效場示意圖;(b)水平磁場下良好,正負直流電流下反持鸩斤@現;魻柣鼐€;(c)反骋I;魻柣鼐€偏置隨電流密度的變化曲線自動化裝置;(d) 偏置場隨水平磁場變化曲線,得SOT有效場和DMI有效場應用前景;(e)反向水平輔助磁場對SOT有效場方向的調(diào)控有很大提升空間;(f)正向水平水平輔助磁場對SOT有效場方向的調(diào)控;(g)設(shè)備裝置示意圖首次,器件和水平磁場的夾角為0可能性更大,X軸磁鐵提供水平方向磁場,Y軸磁鐵提供樣品法線方向的掃描磁場搖籃;
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