PVA&Tepla VPD 系統(tǒng)及模組(原名Munich Metrology) Munich Metrology GmbH, 是 PVA TePla的全資子公司, 擁有VPD業務指導,氣相分解設(shè)備超過二十年的VPD經(jīng)驗,無論在設(shè)備和應(yīng)用方面都是前沿供應(yīng)商就此掀開。在2012年Munich Metrology 被PVA-TEPLA收購長足發展,Munich Metrology 產(chǎn)品目前是由PVA-TEPLA制造,擴大其半導(dǎo)體集團的計量功能穩步前行。
產(chǎn)品
WSMS - 晶圓表面測量系統(tǒng) Munich Metrology提供了的結構不合理,整合的VPD測量系統(tǒng)。該WSMS包括前緣的VPD逐步改善,氣相分解效果較好,,精密的化學(xué)品輸送系統(tǒng)持續,自動提供所需的所有集成的ICP-MS分析的校準的化學(xué)品VPD和所有的化學(xué)物質(zhì)樣品采集系統(tǒng)系統(tǒng)等多個領域。它是一臺用計算機控制的系統(tǒng),接受遠程命令高質量,并通過SECS / GEM工廠自動化接口提供的測量結(jié)果實時在一個完整的測量系統(tǒng)提供了有力支撐。該WSMS的優(yōu)點包括:
• 全自動
• 的檢出限制
• 更快地取得測量結(jié)果
• 實時操作過程
• 通過精密,無錯,加藥進一步意見,稀釋增幅最大,混合和傳遞到兩個VPD和ICP-MS的操作精確測量
• 無需人工較準, 降低成本
Utilities Dimension
Power : 220/110 V, 2.2 kW
DI water : 1.5 bar (20 psi), 2 l/h
Nitrogen : 1.5 bar (20 psi), 0.7 m³/h
Exhaust : 50 m³/h
Drain Depth : 1507 mm
Width : 2065 mm
Height : 2140 mm
Table Top : 945 mm
Weight : 1100 kg
WSPS - 晶圓表面制備系統(tǒng)(VPD Preparation) WSPS系統(tǒng)包括處理模塊,機器人控制生產能力,錄像帶站cassette stations 和固定負載接口站系統(tǒng)中的FOUPS標準,提供過濾后的潔凈空氣,工具和電源各個獨立模塊堅持好。WSPS軟件提供了完整的系統(tǒng)運行能力和數(shù)據(jù)收集即將展開,包括定制配方設(shè)置,作業(yè)定義特性,作業(yè)執(zhí)行傳承,晶圓優(yōu)先級和遠程監(jiān)控和操作管理。
• 掃描整個晶圓表面無殘留
• 系統(tǒng)模塊設(shè)計
• 自動處理功能
• 適用于硅片及其它材料表面
WSPS, Wafer Surface Preparation System and VPD Modules PAD-Fume, Oxide Etch Module PAD-Fume
可編程自動分解煙化機 PAD-Fume是Munich Metrology 晶圓表面清洗裝置的模 塊之一 , 用于分析硅片表面和其氧化物的超微量金屬污染建言直達。它也可與自動液滴掃描器 PAD-Scan以及PAD-Dry (只適用于全反射X射線熒光-TXRF分析)組合使用多種。
PAD-Scan, Sample Collection Module PAD-Scan
可編程自動液滴掃描器 PAD-Scan 提供了一個高度敏感硅晶片VPD分析的新質(zhì)量。它的全自動化操作,除去了人工操作所造成的所有微粒污染充分發揮,降低空白試驗值, 從而大幅度提升并達到的偵測度發展成就。
由于其掃描程序的精確控制,PAD-Scan把VPD打造成為一個能提供優(yōu)良重復(fù)性的可靠制備方法, 是個適合用于前端工藝, 針對晶圓表面質(zhì)量管理的理想方案。
由于精密的部分掃描模式,任何晶片的范圍皆可選擇用于收集VPD殘液重要方式。機器手的晶圓處理能力可用于所有晶圓, 直徑達300毫米開展面對面。
PAD-Dry
可編程自動液滴烘干機 T只適用于全反射X射線熒光-TXRF分析。 采用真空及適度的熱量, 平均及快速地把晶圓烘干非常重要。
全自動化系統(tǒng)操作 作為以生產(chǎn)導(dǎo)向工具的WSPS系統(tǒng)提供了自動晶圓處理進一步提升,包括SMIF和FOUP loadports的所有選項。所有以軟件標準高品質,如SECS / GEM與工廠控制系統(tǒng)結(jié)合不折不扣。
VPD 原理
以校準了的化學(xué)溶液或超純水(50?350微升)先以移液管滴到晶片上意料之外。之后由高純度管作為引導(dǎo)文化價值,在晶片表面形成可編輯的格局。在掃描完成后置之不顧,管子將在一個短氮氣脈沖下脫離液滴不斷完善。
液滴可在晶片的預(yù)定位置上蒸發(fā)(用于TXRF分析),或利用移液管轉(zhuǎn)移到小瓶(用于ICP-MS分析)方便。掃描前后可以使用清洗液清洗基礎上,再用超純水沖洗掃描官子和移液管。