一、公司介紹
法國IBS公司（IBS INFORMATION）成立于1987年提供了有力支撐，一直致力于離子注入領(lǐng)域的研發(fā)激發創作、設(shè)計(jì)制造與服務(wù)，并不斷升級和提高在該領(lǐng)域的技術(shù)水平進一步意見。
創(chuàng)始人是來自法方的技術(shù)專家進行探討，在其帶領(lǐng)下，整個(gè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)對技術(shù)更新的熱忱與努力服務水平，嚴(yán)謹(jǐn)?shù)驼{(diào)的作風(fēng)保證了設(shè)備的高質(zhì)量和的穩(wěn)定性最新。產(chǎn)品有多種型號包括低能注入、中束流注入和高能注入處理方法，IBS更具有按照客戶要求設(shè)計(jì)定制的能力重要作用。
二、IMC 200離子注入機(jī)技術(shù)指標(biāo)
應(yīng)用：主要用于半導(dǎo)體微電子襯底材料摻雜活動上，晶圓上注入B有望、P進一步推進、As等元素導向作用，并且具備注入A1、H應用的選擇、N十大行動、He、Ar等其他元素功能背景下。
注入晶圓尺寸：6英寸綜合措施，兼容2-5英寸可靠保障、不規(guī)則小片，最小可注入1cm2的樣品設計標準。
注入能量范圍：20-200KeV;可升級到最小3KeV或二價(jià)/三價(jià)離子開展，注入能量400/600Kev;
注入角度：0°、7°發揮重要帶動作用，可通過手動(dòng)更換夾具的方式改變注入角度0°-45°
注入劑量范圍：1xE11 at/cm2至1xE18 at/cm2
注入均勻性：片間1o<1.0%(注入條件:1000A氧化層意向，11B，注入能量100KeV文化價值，注入劑量1xE14 at/cm2);
真空度：離子源:>2xE-6mbar(2xE-4Pa);
束流管:>7xE-7 mbar(7xE-5Pa);
靶室:>7xE-7 mbar(7xE-5Pa):
離子源真空系統(tǒng)初真空泵為化學(xué)干泵形式，高真空泵為渦輪分子泵;束流管及終端真空系統(tǒng)初真空泵為干泵，高真空泵為冷泵不斷完善。
注入束流：11B單價(jià)離子:>600μA;
31P單價(jià)離子:>1500μA;
75As單價(jià)離子:>1500μA數字化。
(注入條件:6英寸晶圓，注入能量120KeV-200KeV)基礎上。
氣路系統(tǒng)：含5路氣體:BF3各領域、PH3、AsH3保持競爭優勢、Ar及N2交流等，所有氣路系統(tǒng)都集成在機(jī)器里面能實(shí)時(shí)監(jiān)控離子源氣體消耗以及具備氣瓶終點(diǎn)探測技術(shù)。
軟件功能：包括但不限于:權(quán)限管理規劃、參數(shù)管理提高、手動(dòng)控制、實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)進入當下、數(shù)據(jù)記錄紮實、報(bào)警管理等。軟件可根據(jù)需求免費(fèi)更新升級新體系。
三投入力度、PULSION離子注入機(jī)技術(shù)指標(biāo)
優(yōu)勢：3D浸沒式離子注入，不受形狀不難發現、大小貢獻法治、表面狀態(tài)限制;可靠性高，氣體消耗量低發展需要，易于維護(hù)攻堅克難，成本低;的脈沖等離子體配置和偏振技術(shù)，所需能量低顯示，電流輸入輸出能力高雙向互動，工藝穩(wěn)定性高，可以實(shí)現(xiàn)保形處理;能夠以較小的占地面積處理大型部件;工藝時(shí)間短:工藝時(shí)間與待注入的機(jī)械部件的大小無關(guān)，即使要求的注入量非常高;可按照用戶要求定制;有全自動(dòng)品牌、工程和手動(dòng)模式深入開展，工程和手動(dòng)模式下可人為控制單步驟工藝;工藝可編輯，參數(shù)可監(jiān)測等形式、控制和記錄技術的開發，可查看報(bào)警歷史。
原理：把要處理的部件放在真空室中的夾具上飛躍，并浸入待注入離子電離形成的高密度等離子體中服務品質。當(dāng)夾具在脈沖電壓模式下被偏置到負(fù)電壓時(shí)，開始注入組成部分。
應(yīng)用：改善表面機(jī)械性能影響，減少磨損、摩擦力和金屬疲勞;提高表面耐腐蝕的過程中、耐化學(xué)發展契機、耐高溫性能;改變表面理化性能如表面能、粘附性等;
提高生物相容性;逸出功工程;加氫過程中，吸氣;
用于高級存儲(chǔ)器和硅基光電學(xué)的納米沉淀和納米結(jié)構(gòu)
加速電壓：1 kV-10kV
標(biāo)準(zhǔn)注入電流：5 mA-100 mA (N2)
標(biāo)準(zhǔn)注入時(shí)間：30 min -3 h
可注入選項(xiàng)：N去突破，C,O, Ar, H, He, F, Ge, Si...
注入部件尺寸：<400 mmx400 mmx200 mm
輻射：在任意外部屏蔽點(diǎn)10cm處，輻射值<0.6μSv/h1
注入劑量范圍：1xE14 at/cm2至1xE18 at/cm2
腔室idle氣壓：<5xE-6 mbar
設(shè)備尺寸：1.6x2.15x2.3m(標(biāo)準(zhǔn)型);2.15x2.15x2.3m(加大型)
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