nanoVoxel 2000系列X射線三維顯微CT突破了傳統(tǒng)的光學(xué)顯微鏡深入交流、掃描電鏡引領作用、透射電鏡等表面顯微成像技術(shù)的局限性，以較高的分辨率和襯度臺上與臺下，解密樣品內(nèi)部三維結(jié)構(gòu)信息用的舒心。
nanoVoxel 2000系列X射線三維顯微CT將很大限度的保護(hù)貴重樣品的原貌和利用率，滿足跨尺寸樣品從宏觀到微觀不同分辨率的成像需求集聚效應，為業(yè)內(nèi)提供了全新的高分辨率3D/4D檢測技術(shù)解決方案集成。

產(chǎn)品特點(diǎn)

長工作距離下的微納米空間分辨率成像 

       nanoVoxel 2000系列X射線三維顯微CT，不受樣品尺寸確定性、和外部環(huán)境的影響更加廣闊，在距離射線源數(shù)毫米至數(shù)厘米的工作距離上仍能獲得高達(dá)500納米的真實(shí)空間分辨率。

突破性的二級(jí)光學(xué)放大

        突破了傳統(tǒng)斷層成像（簡稱CT）技術(shù)中單純依賴大視野平板探測器一級(jí)幾何放大成像的原理講故事，通過二級(jí)光學(xué)放大技術(shù)非常完善，實(shí)現(xiàn)了超越傳統(tǒng)斷層成像技術(shù)的無損三維亞微米級(jí)別的高分辨率、高襯度成像全面革新。

無限接近同步輻射的高吸收/相位襯度成像系統(tǒng) 

       基于的吸收襯度成像作用、相位襯度成像和超分辨成像技術(shù)，使得nanoVoxel 2000系列X射線三維顯微CT通用性大大提升行業分類，應(yīng)用領(lǐng)域從低原子序數(shù)的軟材料技術特點，如不同纖維復(fù)合材料、泡沫材料發展邏輯、高分子材料凝聚力量、動(dòng)物軟組織，到高原子序數(shù)的巖石聽得進、合金新的力量、金剛石、電子器件等更多可能性，均可提供高對(duì)比度去創新、出色圖像質(zhì)量的結(jié)構(gòu)信息足夠的實力。演繹了同步輻射光源實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)的相稱成像效果。

簡單的操作流程 

       可進(jìn)行全自動(dòng)樣品掃描結構，實(shí)驗(yàn)條件簡單更適合，無需復(fù)雜制樣，無需真空環(huán)境溝通協調，降低了對(duì)設(shè)備操作人員的專業(yè)要求要素配置改革。 

產(chǎn)品優(yōu)勢

 nanoVoxel 2000實(shí)現(xiàn)了低成本、高性能X射線三維顯微CT技術(shù)解決方案保障性，多種光源帶動產業發展、多款平板探測器、光耦探測器的選擇可靈活應(yīng)對(duì)多類樣品不同尺寸十分落實、不同分辨率的成像需求倍增效應。

應(yīng)用領(lǐng)域

材料

      在材料科學(xué)中，材料的宏觀性能與其微觀結(jié)構(gòu)類型密切相關(guān)製造業。在材料的制備和使用過程中需求，對(duì)材料內(nèi)部的孔隙、夾雜組合運用、裂紋以及為材料微觀結(jié)構(gòu)的三維空間的數(shù)量更讓我明白了、體積分?jǐn)?shù)、分布等信息的準(zhǔn)確掌握積極，有利于分析材料的缺陷信息與力學(xué)性能的關(guān)系探索，辨別缺陷在材料失效中的作用，進(jìn)而幫助進(jìn)行失效機(jī)理的研究產業，以優(yōu)化和改善材料的質(zhì)量滿意度。X射線三維顯微成像技術(shù)在材料領(lǐng)域的應(yīng)用將更快的促進(jìn)新材料工藝研發(fā)以及材料性能提升。                                                                    
石油/地質(zhì)科學(xué)

      無損三維定量表征狀況、描述機製性梗阻、分析來自于地表出露和井下巖芯機製、巖屑進(jìn)而得到巖性信息全過程，為石油勘探、儲(chǔ)層研究探討、油氣儲(chǔ)運(yùn)及非常規(guī)油氣田領(lǐng)域的發(fā)展制定全新的技術(shù)方案不負眾望。強(qiáng)大的數(shù)字巖心分析軟件系統(tǒng)，將獲得的巖芯結(jié)構(gòu)信息轉(zhuǎn)換成模擬真實(shí)樣品的數(shù)值網(wǎng)絡(luò)調解製度，建立大型虛擬數(shù)字巖芯庫精準調控。為巖石物理學(xué)專家和油氣工程師提供方便、快捷應用的因素之一、全面的儲(chǔ)層信息解決，制定更明智的解決方案預期。     

電子元器件

      X射線無損三維檢測可以直觀顯示元器件表面及其內(nèi)部一定深度的結(jié)構(gòu)，有助于電子元件封裝過程中內(nèi)部缺陷的檢測幅度〗Y構？舍槍?duì)但不限于球柵陣列器件BGA浸潤不良、內(nèi)部裂紋貢獻、空洞規模最大、多錫、少錫等問題統籌，以及復(fù)雜精密組裝部件中的壞件最深厚的底氣、錯(cuò)件、隱藏元件振奮起來、PCB開/短路傳遞、功能失效，腳翹勞動精神、腳彎等問題進(jìn)行無損三維成像檢測提供有力支撐，還可廣泛應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體器件、超大規(guī)模集成電路以及量子功能器件等新型交叉研究領(lǐng)域保供，實(shí)現(xiàn)無損表征產(chǎn)品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及位置關(guān)系自行開發、內(nèi)部成分構(gòu)成比例檢測，洞察微失效及加工缺陷責任，在電子封裝領(lǐng)域開展多方面的研究工作應用情況。