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MicroChem光刻膠-PMGI 負(fù)光刻膠

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱(chēng) 尖豐科技(香港)有限公司
  • 品牌
  • 型號(hào)
  • 所在地 香港特別行政區(qū)
  • 廠商性質(zhì) 其他
  • 更新時(shí)間 2024/7/8 15:55:57
  • 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù) 118

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PMGI負(fù)光刻膠產(chǎn)品名稱(chēng):光刻膠型號(hào):PMGI關(guān)鍵詞:MicroChem系列光刻膠PMGILOR負(fù)光刻膠使能高產(chǎn)貢獻,廣泛應(yīng)用于在處理多種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和無(wú)線(xiàn)芯片到MEMS的金屬剝離

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PMGI 負(fù)光刻膠

產(chǎn)品名稱(chēng):光刻膠

型號(hào):PMGI

關(guān)鍵詞:MicroChem系列光刻膠

PMGI & LOR負(fù)光刻膠使能高產(chǎn)更優美,廣泛應(yīng)用于在處理多種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和無(wú)線(xiàn)芯片到MEMS的金屬剝離。PMGI & LOR負(fù)光刻膠作為雙疊層光刻膠防控,PMGI & LOR在超出單層防腐可以延長(zhǎng)限制剝離處理成效與經驗。這包括非常高的分辨率的金屬化(<0.25µM),以及非常厚(>4µm)金屬化堅實基礎。這些的材料可幾乎滿(mǎn)足任何客戶(hù)需要便利性。

材料用途:金屬電梯加工,橋制造行動力,釋放層

材料屬性

l 覆蓋在成像抗蝕劑不會(huì)混雜

l 在TMAH雙疊層一步發(fā)展提供有力支撐,或KOH開(kāi)發(fā)

l 高熱穩(wěn)定性:Tg ~190 C

l 快速清除和常規(guī)抗剝離干凈

l 0.25µm微米雙層抗蝕成像

l 產(chǎn)量高,可用于很厚(>3µm)金屬剝離處理

Bi-Layer Lift-Off Process


Lift-Off: An enabling, additive lithographic process.

光刻膠 光刻膠

Step 1. LOR or PMGI is coated

1. Bi-layer resist pattern

光刻膠 光刻膠

Step 2. The imaging resist is coated onto the LOR or PMGI layer.

2. Metal Deposition

光刻膠 光刻膠

Step 3. The imaging resist is exposed.

3. Clean solvent lift-off

光刻膠

Step 4. The wafer is developed.

光刻膠

Step 5. Metal Deposition

光刻膠

Step 6. Lift-Off!


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