現(xiàn)在強大的功能，大多數(shù)的材料都是多層結(jié)構(gòu)實際需求，比如太陽能光伏電池、LED優勢、硬盤善謀新篇、鋰電池電極增產、鍍層玻璃等。它們表面經(jīng)過特殊處理或采用了鍍層來改善材料性能方法，如提高耐腐蝕能力行動力。
脈沖式射頻輝光放電光譜儀是一款用于鍍層材料研究、過程加工和控制的理想分析工具切實把製度。它可對薄/厚膜保供、導(dǎo)體/非導(dǎo)體進(jìn)行超快速元素深度剖析，并且對所有的元素都有高的靈敏度協同控製。
顧名思義振奮起來，該技術(shù)結(jié)合了脈沖式射頻供電的輝光放電源和高靈敏度的發(fā)射光譜儀。前者具有高深度分辨率利用好，可對樣品分析區(qū)域進(jìn)行一層層剝蝕；后者可助您實時監(jiān)測所有感興趣的元素解決問題。
GD-Profiler 2的射頻輝光放電光源設(shè)計系列，使其既可以測試導(dǎo)體、非導(dǎo)體及導(dǎo)體/非導(dǎo)體相間的鍍層樣品的有效手段；既可以實現(xiàn)表面統籌推進、深度剖析，也可實現(xiàn)基體成分分析關鍵技術。
國際認(rèn)可技術(shù)
輝光放電光譜技術(shù)在材料科學(xué)領(lǐng)域展現(xiàn)了強(qiáng)大的活力了解情況，如ISO/TC 201已為表面分析發(fā)布3個GDS國際標(biāo)準(zhǔn)；市面上已出版了5本相關(guān)參考書技術研究，并且每年發(fā)表60篇以上含有GDS數(shù)據(jù)的科技論文重要的。
快速、高深度分辨率
脈沖式射頻輝光放電光譜儀典型的剝蝕速率為微米/分鐘（即：2-10nm/s）姿勢，可快速測試多個樣本相互融合，反饋及時。該特點使其可用于優(yōu)化和控制蒸發(fā)的每個階段（沉積或退火過程）綠色化，并快速應(yīng)對任何觀察到的變化不同需求。的脈沖式射頻輝光源和超快速檢測能力的光學(xué)系統(tǒng)，使脈沖式射頻輝光放電光譜儀具有了納米級甚至亞納米級的深度分辨率保持穩定。
適用于所有元素
高靈敏度和超快速光學(xué)檢測系統(tǒng)使其可以同時檢測所有感興趣元素的深度分布總之；發(fā)射譜線范圍從VUV（H和同位素D的譜線在120nm附近，O在130nm等）到IR的鋰（670nm）和鉀（766nm）支撐作用。
薄/厚膜的定量深度剖析
表面靈敏技術(shù)（XPS或SIMS）分析速度很慢并且僅能分析1微米以內(nèi)的鍍層研學體驗。對于較厚的鍍層，雖然可以使用SEM EDX測試橫截面規模，但需要繁復(fù)的樣品制備而且不能測試輕元素近年來。脈沖式射頻輝光放電光譜可快速濺射十幾微米以測試所有元素，薄/厚膜均適用。
具備性能的脈沖式射頻源結(jié)合發(fā)射光譜儀可使基體效應(yīng)最小化技術先進。通過標(biāo)準(zhǔn)曲線更多的合作機會，可將測試所得的定性曲線（強(qiáng)度vs.時間）轉(zhuǎn)化為定量深度曲線（濃度vs.深度）非常方便。
特點：
● 分析時間短認為，比需要超高真空環(huán)境的經(jīng)典表面分析技術(shù)快1000倍服務好。
● 非導(dǎo)體非常容易分析，無表面電荷效應(yīng)反應能力。
● 同時測定所有元素共謀發展，包括H、C結構重塑、N市場開拓、O、F大大縮短、Li等要落實好。
● 納米級深度分辨率。
● GDS可與那些提供成像更默契了、橫向分辨率或分子信息的技術(shù)互補分析先進技術。
標(biāo)準(zhǔn)配置：
激發(fā)源：頻率為13.56MHz的射頻水冷式固態(tài)發(fā)生器，可以在RF不合理波動、脈沖RF或是VDC下運行
功率：150W
光譜范圍：120nm ~ 800nm
光譜儀恒溫系統(tǒng)：（31±0.1℃）宣講手段；焦長0.5m；2400gr/mm光柵
光譜分辨率：18pm~25pm
深度分辨率：1nm
元素通道：47個
檢測器線性動態(tài)范圍：5×109
真空泵真空度可達(dá)：5×10E-4
軟件：Quantum
計算機(jī)：Windows 7, Dell 1070 MT （根據(jù)計算機(jī)水平更新）
可選配置：
單色儀：焦長0.64m積極拓展新的領域；2400gr/mm（160nm~800nm）或3600gr/mm（160nm~560nm）
平場多色儀：焦長0.2m配套設備；1200gr/mm光柵
銅陽極：標(biāo)準(zhǔn)直徑為4mm；1mm多種方式、2mm對外開放、7mm和8mm可選
DIP深度測試：附件適用于鏡面平整的樣品
設(shè)備需求：
尺寸：150 X 86 X 125 cm（長 X 寬 X 高）
重量：350 Kg
電源：230V +/-10%的單相電，頻率為50/60Hz
環(huán)境：濕度：20~80%深入交流研討； 溫度：18~24℃（±2℃）
氬氣（等離子體）：純度>99.999%資料，壓力4 bar
氮氣（吹掃光譜室）：純度>99.995%，流速3L/min
壓縮空氣壓力：6 bar
