PHI VersaProbe III是的掃描 X射線單色化的 XPS設(shè)備拓展基地，具有**的大面積和微區(qū)分析能力。其設(shè)計需求是為快速地實力增強，空間分辨分析固體表面的元素和化學(xué)態(tài)組成體系流動性。PHI VersaProbe III 結(jié)合的掃描單色化 X 射線和自動化樣品控制以及分析區(qū)域識別系統(tǒng)，可在自動化環(huán)境下實現(xiàn)化學(xué)態(tài)成像和多點圖譜分析功能帶來全新智能。

技術(shù)的聚焦掃描型X射線束用于樣品成像和分析實現了超越，一個帶有多通道探測器的半球形能量分析器，一個高性能低能氬濺射離子*去完善，一個和技術(shù)的電荷補(bǔ)償系統(tǒng)和一個大型五軸精密樣品臺橋梁作用。
為多種技術(shù)系統(tǒng)配置設(shè)計的。所有激發(fā)源法蘭可安裝和對準(zhǔn)到一個共同的分析位置求索，掃描 X 射線單色器可與其他所選激發(fā)源結(jié)合以實現(xiàn)多種表面分析技術(shù)聯(lián)用的功能讓人糾結，而且?guī)в懈哒婵諛悠分苽淝皇液蜆悠穫魉蜅U，VersaProbe III 可支持**的研究項目穩定發展。
提供可選配的的 Ar 氣團(tuán)簇離子束（GCIB）和 C60 濺射離子*用于有機(jī)和無機(jī)材料的表面清潔和薄膜深度剖析基石之一。
使用 X射線光電子能譜儀(XPS) 能夠詳細(xì)地分析元素和化學(xué)態(tài)，通常也被稱為電子能譜化學(xué)分析儀（ESCA）增持能力。其一系列的功能提供了的高性能 XPS 薄膜分析（深度剖析）能力共同努力。系統(tǒng)的設(shè)計可自動分析不同類型的樣品而無需更改儀器設(shè)置或參數(shù)設(shè)定。
基于一個超高真空分析腔室以保護(hù)樣品不受污染追求卓越，可以對材料表面逐漸完善、 薄膜結(jié)構(gòu)和表面污染進(jìn)行清晰準(zhǔn)確的元素和化學(xué)態(tài)表征參與能力。
分析腔室由480 l/s 差分離子泵和鈦升華泵 (TSP)抽真空。而系統(tǒng)的預(yù)抽氣異常狀況、 進(jìn)樣腔室抽氣和對濺射離子*的差分抽氣均由 67 l/s 的分子渦輪泵完成研究。由于該系統(tǒng)固有的真空清潔度，對于分析所有類型的樣品應用創新，碳?xì)浠衔锖推渌廴径急唤档偷?小水平競爭激烈。
PHI VersaProbe III 的系統(tǒng)控制和數(shù)據(jù)處理都是通過一臺**PC完成，其基于Windows ® 操作系統(tǒng)和安裝了**軟件改善。

性能特點

的X射線源

PHI VersaProbe III 是由的高通量的X 射線源產(chǎn)生聚焦單色化的X射線束空白區，可以在樣品表面掃描。
的SXI ™掃描 X 射線成像

PHI VersaProbe III 可對樣品表面采集 X射線激發(fā)的二次電子像信息化，類似于掃描電鏡采集的二次電子像形勢。可用SXI 圖像選取分析領(lǐng)域取得明顯成效，以保證采集到的圖譜即是所感興趣的圖像區(qū)域約定管轄。通常1 到 5 秒即可采集一張SXI 圖像。
名副其實的 X 射線光電子能譜

高分辨率 180 ° 半球形能量分析器提供功能**的 XPS 分析能力包括 XPS全譜掃描創新的技術、面分布發揮、深度剖析、線掃描和角分辨分析快速增長。
高性能開放以來，低能量氬氣離子*

在高能量或低能量的離子作用下，氬氣離子*可對樣品表面進(jìn)行清潔高質量，以及進(jìn)行 XPS 化學(xué)深度剖析提供了有力支撐。這個的功能使其可進(jìn)行單分子層深度分辨率的濺射深度剖析。
與聚焦X射線束相應(yīng)前景，這種離子*在濺射時可對樣品進(jìn)行小范圍區(qū)域濺射進一步意見，與傳統(tǒng)的XPS系統(tǒng)相比可提高濺射速率。
的電荷中和/補(bǔ)償能力

PHI VersaProbe III 配有一套的PHI 技術(shù)的雙束電荷中和/補(bǔ)償系統(tǒng)共享應用，其利用冷陰極電子流和氬離子濺射*產(chǎn)生的極低能離子可以對所有類型的樣品進(jìn)行荷電中和的必然要求。
完備靈活的五軸樣品臺

五軸軟件驅(qū)動的樣品臺可提供一個穩(wěn)定的具有高度準(zhǔn)確性和重復(fù)性的分析平臺。X 和 Y ± 25mm的移動范圍可探測到水平 50mm的樣品表面而無需旋轉(zhuǎn)取得了一定進展。
常中心旋轉(zhuǎn)的功能用于定位微區(qū)樣品特征以進(jìn)行離子刻蝕和分析完善好。
20mm的 Z 軸移動范圍使樣品操作靈活。
0o 到 90o 的傾斜軸范圍可實現(xiàn)角分辨XPS 測量（帶有型號 279HCA 的樣品裝載）積極參與。
提供多種樣品放置類型：

型號 190HC – 2 個：直徑25.4 mm (1 inch.)問題分析，不銹鋼樣品托可放置直徑達(dá)25.4 mm的樣品。
型號 191HC – 2 個：直徑25.4 mm (1 inch)交流研討，不銹鋼樣品托更加完善，有凹槽適宜放置粉狀或塊狀樣品形式。凹槽大小為 10 x 20 x 5 mm （0.4 x 0.8 x 0.2 inches）。
冷/熱樣品臺選項

根據(jù)研發(fā)的需要十大行動，PHI VersaProbe III多功能的技術(shù)平臺可選項配備：

10keV的C60離子*
雙陽極左右，非單色X射線源
紫外線光源
95毫米的樣品處理
熱/冷樣品處理
可選的AES電子*
真空轉(zhuǎn)移平臺 (Vacuum Transfer Vessel)

應(yīng)用領(lǐng)域

Micro-Electronics 微電子, 電子封裝
Polymer 高份子材料
Tribology 摩擦學(xué)
Magnetic 磁性材料, 硬盤, 藍(lán)光光盤
Display Industries 顯示工業(yè)
Graphene 石墨稀
Catalysis 催化劑
Energy related 能源產(chǎn)業(yè)
Glass 玻璃
Metal 金屬
Ceramic 陶瓷
Semi-conductors 半導(dǎo)體
Bio-Medical 生醫(yī)科學(xué)