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BMDZ-4型PVDF薄膜電阻測(cè)試儀

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BMDZ-4型PVDF薄膜電阻測(cè)試儀是運(yùn)用環(huán)形三電極法原理測(cè)量固體片狀、薄膜狀或液體類導(dǎo)靜電材料不負眾望、絕緣材料體積電阻率和表面電阻率的多用途綜合測(cè)量裝置使用,也可作為超高阻計(jì)或微電流測(cè)試儀使用。不僅可測(cè)試薄膜體電阻密度增加,而且可以測(cè)試薄膜的表面電阻有效性,是壓電材料薄膜測(cè)試參數(shù)的重要設(shè)備,是國(guó)內(nèi)高校研究PVDF薄膜材料的重要設(shè)備,也是材料學(xué)院的重要研究設(shè)備之一機遇與挑戰。

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BMDZ-4PVDF薄膜電阻測(cè)試儀


關(guān)鍵詞:PVDF廣泛關註,薄膜,電阻集成技術,表面電阻就能壓製,體電阻

 

BMDZ-4型PVDF薄膜電阻綜合測(cè)試儀.jpg

 

 

BMDZ-4型PVDF薄膜電阻測(cè)試儀是運(yùn)用環(huán)形三電極法原理測(cè)量固體片狀、薄膜狀或液體類導(dǎo)靜電材料適應能力、絕緣材料體積電阻率和表面電阻率的多用途綜合測(cè)量裝置更優美,也可作為超高阻計(jì)或微電流測(cè)試儀使用。不僅可測(cè)試薄膜體電阻防控,而且可以測(cè)試薄膜的表面電阻成效與經驗,是壓電材料薄膜測(cè)試參數(shù)的重要設(shè)備,是國(guó)內(nèi)高校研究PVDF薄膜材料的重要設(shè)備,也是材料學(xué)院的重要研究設(shè)備之一堅實基礎。

 

一稍有不慎、符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn):

GB/T 3389-2008 壓電陶瓷材料性能測(cè)試方法

 GB/T 1410-2006/IEC 60093:1980:《固體絕緣材料體積電阻率和表面電阻率試驗(yàn)方法》。二等地、 產(chǎn)品用途:

1最為顯著、 PVDF薄膜材料表面電阻及體電阻

2、 壓電陶瓷材料表面電阻及體電阻

3規定、 PVDF薄膜材料表面的微電流測(cè)試

           

三環境、主要特點(diǎn):

1、數(shù)字化操作高質量,參數(shù)自由設(shè)定相對簡便、功能轉(zhuǎn)換全部采用數(shù)字化鍵盤輸,操作簡(jiǎn)便解決方案、性能穩(wěn)定趨勢。

2、自動(dòng)化測(cè)試過程作用,電壓相互配合、電流量程轉(zhuǎn)換,全部數(shù)字化轉(zhuǎn)換著力增加。

3智能化、多窗口顯示體積電阻率、表面電阻測(cè)試結(jié)果處理,電壓建設、測(cè)試電流測(cè)試條件,以及設(shè)定修正系數(shù)助力各行,內(nèi)容全面前來體驗。

4自主研發、測(cè)試安全保護(hù),測(cè)試高壓獨(dú)立操作開關(guān)更加廣闊,測(cè)試電流過流保護(hù)損耗。

5、便于功能拓展非常完善,選配薄膜測(cè)試探頭性能穩定,可以測(cè)試高阻薄膜,選配夾具可以當(dāng)高阻計(jì)和微電流表使用作用。也可測(cè)試高阻液態(tài)電阻率情況正常。

三、測(cè)量范圍

電阻范圍:  1.0×10^2~ 2.0×10^14 Ω,      

分辨率0.01×10^3~ 0.01×10^14 Ω

電阻率范圍:  Kv×( 1.0×10^2~ 2.0×10^14) Ω-cm,   

分辨率0.01×10^3~ 0.01×10^14 Ω-m技術特點, K=1~1000提高鍛煉,修正系數(shù))

精度:±0.01

選配:可以配合ZJ-3/6PVDF壓電測(cè)試儀進(jìn)行薄膜D33系數(shù)測(cè)試

工作電源:220V±10%, f=50Hz±4%,PW≤20W

外形尺寸: W×H×L=40cm×15cm×35cm

重量:4kg



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