型號

有效面積

暗電流

擊穿電壓

電容

維數(shù)

上升時間(μs)

噪聲小分辨率(μm)

芯片

封裝

尺寸(mm)

面積(mm²)

@10V（nA）

(V)

@10V, 100kHz

(pF)

@865nm, 10V, 50Ω

@632nm, 0.50 μW

OD3.5-x

SO8

3.5×1

3.5

6.5

35

15

單軸

0.2

0.05

OD6-7

SO16

6.0×1

6

10.0

15

DL16-7

CERsmd

4×4

16

30

雙軸

0.5

0.06

DL16-7

CERpin

DL100-7

CERsmd

10×10

100

80

30

75

4.0

0.2

DL100-7

CERpin

DL100-7

LCC10

DL400-7

CERsmd

20×20

400

800

100

350

0.3

DL400-7

CERpin

DL100-L

LCC10

10×10

100

50

50

40

6.0

0.5