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磷化鎵是一種人工合成的化合物半導(dǎo)體材料將進一步。外觀：橙紅色透明晶體充分發揮。磷化鎵是一種由ⅢA族元素鎵(Ga)與VA族元素磷(P)人工合成的Ⅲ- V族化合物半導(dǎo)體材料。磷化鎵的晶體結(jié)構(gòu)為閃鋅礦型成就，晶格常數(shù)5.447±0.06埃重要方式，化學(xué)鍵是以共價鍵為主的混合鍵，其離子鍵成分約為20%系統，300K時能隙為2.26eV非常重要，屬間接躍遷型半導(dǎo)體。磷化鎵與其他大帶隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體(如GaAS空間廣闊、 InP)相同營造一處，可通過引入深中心使費米能級接近帶隙中部，如摻入鉻知識和技能、鐵取得顯著成效、氧等雜質(zhì)元素可成為半絕緣材料。目前尚未得到非摻雜半絕緣材料實現。
（110）晶向的GaP晶體常常被用在太赫茲時域光譜儀中作為探測晶體不容忽視，其橫光學(xué)支聲子線在11THz。通撤阵w系？商綔y的頻譜寬度在0.1-6.5THz說服力。
中文名：磷化鎵
外文名：Gallium phosphide
分子式：GaP
分子量：100.6968
實驗結(jié)果圖為40fs鈦藍寶石激光泵浦寬譜光電導(dǎo)天線，400um厚GaP晶體探測的結(jié)果
GaP磷化鎵晶體產(chǎn)品
GaP 磷化鎵晶體基本規(guī)格(a) Description | |
1 | GaP (110), 10x10x4 mm, 2 sides polished. |
2 | GaP (110), 10x10x2 mm, 2 sides polished.. |
3 | GaP (110), 10x10x0.5 mm, 2 sides polished.. |
4 | GaP (110), 10x10x0.4 mm, 2 sides polished.. |
5 | GaP (110), 10x10x0.2 mm, 2 sides polished.. |
6 | GaP (110), 10x10x0.1 mm, 2 sides polished.. |
(a)其他規(guī)格要求可以定制
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