化鎵(碲摻雜)晶體(99.995%) GaTeI
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
低維材料新層狀過渡金屬化合物材料讓人糾結,新增材料:
FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
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化鎵(碲摻雜)晶體(99.995%) GaTeI
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
低維材料新層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:
FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
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(99.995%) GaTeI
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
低維材料新層狀過渡金屬化合物材料穩定發展,新增材料:
FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
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(99.995%) GaTeI
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
低維材料新層狀過渡金屬化合物材料基石之一,新增材料:
FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
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(99.995%) GaTeI
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%
低維材料新層狀過渡金屬化合物材料聯動,新增材料:
FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2
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