APD設(shè)備特點
◆ 系統(tǒng)可以通過調(diào)節(jié)放電電容選擇納米顆粒沉積直徑在1.5nm到6nm范圍內(nèi)機製。
◆ 只要靶材是導(dǎo)電材料全過程,系統(tǒng)就可以將其等離子體化。(電阻率小于0.01ohm·cm)探討。
◆ 改變系統(tǒng)的氣氛氛圍不負眾望,可以制備氧化物或氮化物。石墨在氫氣中放電能產(chǎn)生超納米微晶鉆石調解製度。
◆ 用該系統(tǒng)制備的活性催化劑效果優(yōu)于濕法制備精準調控。
◆ Model APD-P支持將納米顆粒做成粉末。Model APD-S適合在2英寸基片上制備均勻薄膜應用的因素之一。
APD技術(shù)原理
1解決、在觸發(fā)電極上加載高電壓后,電容中的電荷充到陰極(靶材)上敢於監督;
2集成技術、真空中的陽極和陰極(靶材)間就能壓製,電子形成了蠕緩放電,并產(chǎn)生放電回路適應能力,靶材被加熱并形成等離子體更優美;
3、通過磁場控制等離子體照射到基底上防控,形成薄膜或納米顆粒成效與經驗。