CEL-SPS1000 CEL-SPS1000表面光電壓譜儀
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- 公司名稱 北京中教金源科技有限公司
- 品牌
- 型號 CEL-SPS1000
- 所在地 北京市
- 廠商性質(zhì) 其他
- 更新時間 2018/9/18 15:21:20
- 訪問次數(shù) 1581
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優(yōu)勢特點
表面光電壓是固體表面的光生伏*應品質,是光致電子躍遷的結(jié)果試驗。
1876年,W.GAdam就發(fā)現(xiàn)了這一光致電子躍遷現(xiàn)象;
1948年才將這一光生伏*應作為光譜檢測技術應用于半導體材料的特征參數(shù)和表面特性研究上提供有力支撐,這種光譜技術稱為表面電壓技術(Surface Photovoltaic Technique切實把製度,簡稱SPV)或表面光電壓譜(Surface Photovoltaic Spe
優(yōu)勢特點
表面光電壓是固體表面的光生伏*應,是光致電子躍遷的結(jié)果自行開發。1876年進行部署,W.GAdam就發(fā)現(xiàn)了這一光致電子躍遷現(xiàn)象;1948年才將這一光生伏*應作為光譜檢測技術應用于半導體材料的特征參數(shù)和表面特性研究上,這種光譜技術稱為表面電壓技術(Surface Photovoltaic Technique應用情況,簡稱SPV)或表面光電壓譜(Surface Photovoltaic Spectroscopy保護好,簡稱SPS)。表面光電壓技術是一種研究半導體特征參數(shù)的途徑表現,這種方法是通過對材料光致表面電壓的改變進行分析來獲得相關信息的特點。1970年,表面光伏研究獲得重大突破結論,美國麻省理工學院Gates教授的研究小組在用低于禁帶寬度能量的光照射CdS表面時和諧共生,歷史性的一次獲得入射光波長與表面光電壓的譜圖,以此來確定表面態(tài)的能級適應性強,從而形成了表面光電壓這一新的研究測試手段技術交流。SPV技術是靈敏的固體表面性質(zhì)研究的方法之一,其特點是操作簡單拓展、再現(xiàn)性好創造更多、不污染樣品,不破壞樣品形貌不斷進步,因而被廣泛應用于解析光電材料光生電荷行為的研究中工藝技術。SPV技術所檢測的信息主要是樣品表層(一般為幾十納米)的性質(zhì),因此不受基底或本體的影響規模,這對光敏表面的性質(zhì)及界面電子轉(zhuǎn)移過程的研究顯然很重要近年來。由于表面電壓技術的原理是基于檢測由入射光誘導的表面電荷的變化,其檢測靈敏度很高發展目標奮鬥,而借助場誘導表面光電壓譜技術可以用來測定半導體的導電類型(特別是有機半導體的導電類型)技術先進、半導體表面參數(shù),研究納米晶體材料的光電特性作用,了解半導體光激發(fā)電荷分離和電荷轉(zhuǎn)移過程情況正常,實現(xiàn)半導體的譜帶解釋行業分類,并為研究符合體系的光敏過程和光致界面電荷轉(zhuǎn)移過程提供可行性方法最為突出。由于SPV技術的諸多優(yōu)點,SPV技術得到了廣泛的應用相結合,尤其是今年來隨著激光光源的應用高效化、微弱信號檢測水平的提高和計算機技術的進展製高點項目,SPV技術應用的范圍得到了很大的擴展。
產(chǎn)品應用
半導體材料的光生電壓性能的測試分析範圍和領域、可開展光催化等方面的機理研究有所增加,應用于太陽能電池、光解水制氫等方面的研究更高要求,可用于研究光生電荷的性質(zhì)越來越重要的位置,如:光生電荷擴散方向;解析光生電荷屬性等共同學習。主要代表材料有TiO2順滑地配合、ZnO、CdS效高、GaAs前沿技術、CdTe、CdSe等性能。
表面光電壓譜的應用技術參數(shù)
儀器名稱 | 儀器功能 | 性能指標 | 使用研究方向 |
表面光電壓譜 | 1.表面光電壓譜 | 檢測光伏>100nV 光譜波長范圍:300-1000 nm 光譜分辨率:2 nm | 功能材料的光電性質(zhì)多種方式,可開展光催化等方面的機理研究。 |
2.表面光電流譜 | 檢測光電流> 100 pA 光譜波長范圍:300-1000 nm 光譜分辨率:2 nm | 研究功能材料光電流性質(zhì)技術創新,可應用于太陽能電池深入交流研討、光解水制氫等方面的研究。 | |
3. 光伏相位譜 | 相檢測范圍:-180°至+180° 光譜波長范圍:300-1000 nm 光譜分辨率:2 nm | 可用于研究光生電荷的性質(zhì)設施,如:光生電荷擴散方向需求;解析光生電荷屬性等。 |
SPV表面光電壓譜 樣品池結(jié)構(gòu)及數(shù)據(jù)分析
SPC表面光電流譜 樣品池結(jié)構(gòu)及數(shù)據(jù)分析
Scheme of thesurface photovoltage (SPV) setup applied for the measurements on multilayered sample of CdTe and CdSe NCs. Excitons are created upon light excitation, which diffuse through the structure and may reach andbecome separated at the type II CdTe/CdSe interface. The random diffusionof separated charges creates an electric field measured as the SPV signal U by two transparent outer FTO electrodes in a capacitor arrangement.
表面光電壓譜的配置清單
1)光電壓測量:可檢測光伏>100nV組合運用;光譜波長范圍:300-1000nm更讓我明白了,光譜分辨率2nm;
2)光電流測量:可檢測光電流>100 pA積極;光譜波長范圍:300-1000nm探索,光譜分辨率2nm;
3)光伏相位譜:相檢測范圍:-180°至+180°產業;光譜波長范圍:300-1000nm滿意度;
(1)氙燈光源
參數(shù):
技術參數(shù):
1.燈泡電功率:500W氙燈;2.電流調(diào)節(jié)范圍:15A-25A能力建設;3.點光輸出直徑:4-6mm模樣;4.平行光輸出直徑:50mm;5.發(fā)射光譜范圍:200nm-2500nm服務;6.平行光輸出直徑:50-60mm很重要;7.變焦功能:有;(可改變光輸出圓斑大小)
基本配置:1.穩(wěn)流電源異常狀況;2.燈箱及光學匯聚系統(tǒng)研究;3.預裝國產(chǎn)500W氙燈一只;4.使用說明書應用創新;
(2)單色儀
技術參數(shù):
1.波長范圍:190-2000nmnm提高;2.焦距:300mm;3.相對孔徑: f/3.9的特性;4.光學結(jié)構(gòu):C-T交流;5.分辨率(nm):0.1;6.倒線色散(nm/mm): 2.7提供堅實支撐;
(3)斬波器(斯坦福)
技術參數(shù):
1.具有電壓控制輸入推進一步,四位數(shù)字頻率顯示,十段頻率控制簡單化,和兩種可選工作模式的參考輸出力度;2.4Hz—3.7kHz斬波頻率;3.單光束和雙光束調(diào)制系統性;4.低相位抖動頻和差頻參考信號輸出勇探新路;5.USB轉(zhuǎn)232串口線;
(4)鎖相放大器(斯坦福)
技術參數(shù):
1.mHz-102.4kHz頻率范圍傳遞;2.大于100dB動態(tài)存儲試驗;3.5ppm/oC的穩(wěn)定性;4.0.01度相位分辨率開展攻關合作;5.時間常數(shù)10us-30ks製度保障;6.同步參考源信號;7.GPIB及RS232接口的有效手段;8.9轉(zhuǎn)25串口線統籌推進;
9.USB轉(zhuǎn)232串口線
(5)控制軟件
數(shù)據(jù)記載,數(shù)據(jù)保存關鍵技術,應用于表面光電壓譜的數(shù)據(jù)反饋
主要配件:
1.光學導軌及滑塊的必然要求;2.光電壓及光電流池;3.外電場調(diào)系統(tǒng)取得了一定進展;4.電流-電壓轉(zhuǎn)換器完善好;5.計算機;
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