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- +制樣/消解設(shè)備
- +分離/萃取設(shè)備
- +純化設(shè)備
- +混合/分散設(shè)備
- +恒溫/加熱/干燥設(shè)備
- +加熱設(shè)備
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- +實(shí)驗(yàn)室家具
- +其它實(shí)驗(yàn)室常用設(shè)備
最新產(chǎn)品
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一步轉(zhuǎn)移石墨烯
面議950簡介：一步轉(zhuǎn)移石墨烯（5*5cm單層）TrivialTransferGraphene
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三維石墨烯泡沫（1*1厘米）
面議950簡介：三維石墨烯泡沫（1*1厘米）-三維獨(dú)立石墨烯泡沫3DGrapheneFoam-3DFreestandingGrapheneFoam尺寸：1*1厘米熱釋放帶溫度：120#176;C
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三維石墨烯泡沫（1*1英寸）
面議950簡介：三維石墨烯泡沫（1*1英寸）三維獨(dú)立石墨烯泡沫3DGrapheneFoam-3DFreestandingGrapheneFoam尺寸：11*1英寸熱釋放帶溫度：120#176;C
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硅基底石墨烯（1*1cm單層）
面議950簡介：硅基底石墨烯（1*1cm單層）GrapheneonSi表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度：gt;95%制備方法：1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯...
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硅基底石墨烯（1*1'' 單層）
面議950簡介：硅基底石墨烯（1*1''單層）GrapheneonSi表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度：gt;95%制備方法：1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯...
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二氧化硅基底石墨烯
面議950簡介：二氧化硅基底石墨烯（1*1''單層）GrapheneonSiO2表面電阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度：gt;95%制備方法：1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯2）石墨烯從銅...
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銅基石墨烯薄膜
面議950簡介：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um
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紫銅基石墨烯薄膜
面議950簡介：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm襯底：紫銅層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶引人註目，50~300um
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PET基底石墨烯薄膜
面議950簡介：形狀：可任意裁剪尺寸：1*1cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶領域，50~300um
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硅基底石墨烯薄膜（1*1cm）
面議950簡介：尺寸：1*1cm/5*5cm/10*10cm層數(shù)：單層晶粒：單晶/多晶，50~300um
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