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新型砷化鎵等離子體太赫茲探測器:新的發(fā)現(xiàn)增強了頻率響應優(yōu)化的能力

閱讀:452      發(fā)布時間:2020-8-28
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  新型砷化鎵等離子體太赫茲探測器:新的發(fā)現(xiàn)增強了頻率響應優(yōu)化的能力
 
  
 
TERASENSE推出一項真正革命性的太赫茲成像技術取得明顯成效,這在某些方面很不尋常的是它與半導體測輻射熱計和外差探測器都沒有關系。我們的技術是基于制造像素的砷化鎵半導體數據,而像素本身代表高速等離子體太赫茲探測器創新的技術,與其他類型的傳感器不同,它能夠在室溫環(huán)境下工作顯著。
  當然快速增長,跟其他領域一樣,太赫茲成像技術知識沒有邊界占,還有更多東西有待發(fā)現(xiàn)高質量。擁有*的研究實驗室的TERASENSE科學家們一直在不斷努力學習有關其產(chǎn)品的更多信息,并且近取得了如下所述的另一項突破激發創作。
 
  我們的許多客戶已經(jīng)知道前景,我們的太赫茲傳感器陣列/成像攝像機中使用的太赫茲檢測器是寬帶類型的,這使他們能夠在50 GHz至700 GHz整個認證范圍內(nèi)拾取輻射增幅最大。 但是共享應用,我們的探測器的靈敏度(即測得的頻率響應)不是單調的,因此不代表連續(xù)曲線標準。 由于檢測器的檢測器基板(即內(nèi)部的晶體)內(nèi)部存在輻射干擾示範推廣,因此其響應度由多個峰和滴組成。 這是我們的新想法即將展開,并始終告訴客戶大幅增加,我們的專家可以在制造階段調整響應度曲線中大值的位置,以與客戶喜歡的頻率相匹配傳承。
 
  除此之外等特點,并以此為基礎,Igor Kukushkin教授帶領了一批均有固態(tài)物理學博士學位的年輕科學家近開展了一項研究項目形式,旨在更深入地研究我們的單像素GaAs等離子體激元太赫茲檢測器在各種次太赫茲頻率上的振蕩行為建設應用。 結果支撐作用,他們在THz檢測器的基板厚度與在某些頻率下可以達到的實際頻率響應和靈敏度大值之間建立了明確的依存關系日漸深入。
 
  他們的研究表明動力,由檢測器基板內(nèi)部的電磁波干擾引起的這種頻率依賴性可以有效地用于簡單地通過調整基板厚度來優(yōu)化所需的工作頻率。 它既適用于作為離散元件的單像素(點)太赫茲檢測器可靠保障,又適用于我們的傳感器陣列/太赫茲成像相機(作為一組點檢測器)自然條件。 這里發(fā)布的圖片顯示了一些頻率響應隨基片厚度變化的關鍵圖。
 
  而且開展,他們的研究表明互動互補,安裝在這種單像素太赫茲檢測器上的半球形硅透鏡可以有效地抑制基板內(nèi)的干擾,因此意向,這可以幫助我們獲得更均勻和可預測的頻率響應意料之外。
 
  下圖顯示了用于測量我們的點THz檢測器的頻率響應的實驗設置的元素。 我們使用了一些BWO信號源來生成65 GHz–384 GHz和530–710 GHz頻率范圍內(nèi)的CW測試信號形式。在384 GHz - 530 GHz之間的頻率跨度沒有被檢測僅僅是因為缺乏相應的連續(xù)波源置之不顧,但我們的研究人員認為,我們的THz探測器在該領域仍然是敏感的數字化。歡迎您仔細閱讀我們在上發(fā)表的新型的GaAs等離子體激元太赫茲檢測器的頻率響應的優(yōu)化(A.V.Shchepetilnikov等人)的文章方便,該文章于2019年11月12日在Springer Science(Springer Nature 2019的一部分)上在線發(fā)布。(光學和量子電子(2019)51:376 https://doi.org/10.1007/s11082-019-2093-4)
 
  這項發(fā)現(xiàn)的實際含義很難被高估各領域,因為它將有助于改進THz成像技術應用領域,以用于諸如工業(yè)NDT中的實時THz成像以及安全性篩選和電信等應用領域。由于我們的技術采用了廣泛用于半導體生產(chǎn)的標準工藝以進行批量生產(chǎn)進行培訓,因此我們可以要求合理的價格并確保高性能和快速響應率發展機遇。毫無疑問,我們科學家的成就將幫助我們更好地滿足客戶未來的需求法治力量,并簡化我們產(chǎn)品的開發(fā)過程服務體系。
 
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